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[期刊论文] 作者：郑文龙,张亚光,顾溢,李宝宝,陈泽中,陈平平,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
研究了全固态源分子束外延(MBE)生长InGaAs/InP异质结界面扩散对InGaAs外延薄膜电学和光学性质的影响.通过X射线衍射、变温霍尔测试和变温光致发光等方法对InGaAs薄膜样品进...
[期刊论文] 作者：顾溢,王凯,李成,方祥,曹远迎,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
利用气态源分子束外延在InP衬底上生长了具有InxGa1-xAs或InxAl1-xAs连续递变缓冲层的高In组分In0.78Ga0.22As探测器结构.通过原子力显微镜、X射线衍射、透射电子显微镜和光...
[会议论文] 作者：李好斯白音,张永刚,顾溢,陈星佑,周立,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
短波红外波段探测器在空间遥感和气体检测等领域有着十分重要的作用.InGaAs是制备该波段探测器的优良材料,InGaAs探测器具有可以室温工作,探测率高等特点,特别适用于空间遥感...
[会议论文] 作者：张亚光,李雪,龚海梅,顾溢,张永刚,陈平平,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：马英杰,顾溢,张永刚,陈星佑,奚苏萍,周立,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：张亚光,顾溢,陈平平,张永刚,李雪,龚海梅,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
为扩大产量,商业化MBE材料生产通常采用大尺寸、多衬底的生长方式,所面临的均匀性问题十分突出.一方面,对于焦平面探测器等尺寸较大的器件,若不能有效改善均匀性,将极大地限制良品率.另一方面,对于激光器等尺寸较小的器件,材料非均匀性也会极大影响不同器件的性......
[期刊论文] 作者：张永刚,顾溢,朱诚,郝国强,李爱珍,刘天东,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2006
采用气态源分子束外延方法及应用有源区同质结构及较薄的组分渐变InxGa1-xAs缓冲层，研制了波长扩展的InGaAs／InP光伏探测器系列，其室温下的截止波长分别约为1．9μm，2，2μm．和2．5μm．对......
[期刊论文] 作者：张永刚, 顾溢, 王凯, 李成, 李爱珍, 郑燕兰,,
来源：红外与激光工程 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[会议论文] 作者：张永刚;顾溢;王凯;李成;李爱珍;郑燕兰;,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
采用气态源分子束外延方法和化合物半导体工艺研制了晶格匹配和波长扩展的InGaAs探测器,其室温下的截止波长已由1.7μm拓展至2.7μm。对此探测器系列的特性进行了细致的测量...
[会议论文] 作者：李耀耀,李爱珍,张永刚,顾溢,徐刚毅,王凯,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
为了应对复杂多变的测量环境，提高测量分辨率，要求QCLs能够具有较宽的光谱调谐范围和优良的单模特性。本文分析了实验室利用分布反馈(Distributed Feedback, DFB)光栅的DFB QCL...
[期刊论文] 作者：李雅飞,李晓良,马英杰,陈洁珺,徐飞,顾溢,
来源：半导体光电 年份：2018
采用AZ1500光刻胶作为掩模对GaAs和InP进行ICP刻蚀, 研究了刻蚀参数对光刻胶掩模及刻蚀图形侧壁的影响。结果表明, 光刻胶的碳化变性与等离子体的轰击相关, 压强、ICP功率和RF功率的增加以及Cl2比例的减小都会加速光刻胶的碳化变性, Cl2/Ar比Cl2/BCl3更易使光刻......
[期刊论文] 作者：张永刚,奚苏萍,周立,顾溢,陈星佑,马英杰,杜奔,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2016
针对采用FTIR方法在宽波数范围内测得不同样品的发射光谱在强度上难以做定量比较的困难,提出了一种简便可行的校正方案,即通过计算发射谱仪器函数来进行强度校正;对其可行性...
[会议论文] 作者：李耀耀,李爱珍,顾溢,张永刚,李好斯白音,
来源：第十届全国分子束外延学术会议 年份：2013
中红外量子级联激光器(Quantum Cascade Lasers,QCLs)以它的高灵敏度、高分辨率和紧凑小型的优势成为半导体吸收光谱的理想光源.在空气质量检测、近空、深空探测与物质研究、...
[会议论文] 作者：顾溢,张永刚,陈星佑,马英杰,周立,奚苏萍,杜奔,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：杜奔,陈星佑,顾溢,马英杰,奚苏萍,张见,张永刚,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：张见,陈星佑,顾溢,马英杰,奚苏萍,杜奔,张永刚,
来源：第十二届全国分子束外延学术会议 年份：2017
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[会议论文] 作者：张永刚,顾溢,李成,王凯,李好斯白音,方祥,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本文概述了短波红外波段光电探测器在非通讯领域的一些主要应用,对涉及此波段的一些化合物半导体光电探测材料及其特点进行了综述,侧重介绍了波长延伸的InGaAs在此波段的应用和我们的重要研究结果。......
[期刊论文] 作者：师艳辉,杨楠楠,马英杰,顾溢,陈星佑,龚谦,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2019
研究了In0. 83Al0. 17As /In0. 52Al0. 48As 数字递变异变缓冲层结构( DGMB)的总周期数对2. 6 μm 延伸波长In0. 83Ga0. 17As 光电二极管性能的影响.实验表明,在保持总缓冲层...
[期刊论文] 作者：顾溢,李成,王凯,李好斯白音,李耀耀,张永刚,
来源：红外与毫米波学报 年份：2010
利用气态源分子束外延,采用相对较高的1.1%μm-1失配度变化速率,在InAlAs递变缓冲层上生长了晶格失配度高达2.6%的InP基InGaAs变形晶格探测器结构,并与采用相同结构而晶格失...
[期刊论文] 作者：李成,李好斯白音,李耀耀,王凯,顾溢,张永刚,,
来源：半导体光电 年份：2009
模拟分析了三种不同结构的双异质结扩展波长In0.78Ga0.22As PIN光电探测器在室温下的暗电流特性,并与器件的实际测量结果进行了比较和讨论。结果表明,对于扩展波长的探测器,...
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