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[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,潘福泉,
来源：半导体光电 年份：1990
为了提高光控晶闸管的触发灵敏度,我们在器件的受光区表面蒸镀上一层SiO减反射膜,本文在理论上指出了SiO作为减反射膜所必须满足的条件,并在实验上对SiO膜的减反射效果进行了...
Controlling the output power of soft switching arc welding inverter by two-stage continuous PWM meth
[期刊论文] 作者：傅强,赵善麒,范新南,,
来源：China Welding 年份：2016
The full bridge zero voltage zero current switching(FB-ZVZCS),which could adjust the output power by keeping the duty ratio of lagging leg constant and changing...
[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,潘福泉,
来源：半导体学报 年份：1990
本文介绍一种高灵敏度光触发晶闸管的结构特点及关键的生产工艺,并对该器件进行了理论分析和主要参数的计算机辅助设计,提出了带有薄n层的台阶形光敏门极结构可使器件获得较...
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,赵善麒,
来源：半导体学报 年份：1998
探讨了一种新颖开管扩镓系统的基本原理和实施方法，用于各类晶闸管的制造，使器件具有触发参数一致性好，通态特性优良，ｄｖ／ｄｔ、ｄｉ／ｄｔ耐量高等特点．实践证明，该系统是一项值得在电力半导体器件制......
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,赵善麒,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
对提高快速晶闸管发射区ne与基区Pb杂质浓度比值Ne／Nb，降低器件通态压降进行了理论分析；叙述了开管Ga扩散技术的特点，并与闭管Ga扩散和B－A1双质P到扩散方式进行了比较。实验证明，用......
[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,王正元,
来源：半导体学报 年份：1994
本文具体描述了锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的设计思想，介绍了该新型结构器件的关键的生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究．研制成功的直径为３０ｍｍ，电流容量为......
[期刊论文] 作者：赵善麒,郑景春,宋泽令,
来源：电力电子技术 年份：1995
在阐述双向晶闸管换向理论的基础上，推导出了器件换向电压临界上升率的数学表达式；提出了改善器件换向能力的主要措施，并指出门极短路结构和１２ＭｅＶ电子局部辐照工艺是提高大功率双向晶......
[期刊论文] 作者：赵善麒,郑景春,李景荣,
来源：电力电子技术 年份：1995
在现有的硅－铝－钼（Ｓｉ－Ａｌ－Ｍｏ）烧结工艺的基础上，引入了铬（Ｃｒ），镍（Ｎｉ），银（Ａｇ）金属阻挡层，并将这一新的金属阻挡层烧结工艺应用到双向晶闸管的生产中。结果表明，该工艺能得到浅而平坦的烧结合金结，并能改善器件......
[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,王正元,
来源：电子学报 年份：1994
本文具体描述了中心锥形槽状光敏门极结构光控双向晶闸管的结构特点，介绍了该新型结构器件的关键生产工艺，并对器件的触发特性进行了较深入的理论研究。研制成功的直径为４０ｍｍ，电流宣......
[会议论文] 作者：赵善麒,李天望,郑景春,
来源：中国电工技术学会电力电子学第五次学术会议 年份：1993
...
[期刊论文] 作者：赵善麒,李天望,裴素华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1998
用12MeV电子束对普通高压晶闸管、快速晶闸管、双向晶闸管进行辐照，测试这几种器件的主要电学参数。实验发现12MeV电子辐照能明显改善这些电力半导体器件的电学性能。辐照后的...
[期刊论文] 作者：张兴华, 麦伟民, 傅强, 赵善麒,,
来源：常州工学院学报 年份：2019
城市道路照明的快速发展对照明节能提出了要求。传统的可控硅相控调压存在谐波大、对电网污染严重、对灯具的寿命有影响等缺点,变压器自耦调压存在只能固定档位降压,降压过程...
[期刊论文] 作者：李磊,麻长胜,王晓宝,赵善麒,
来源：电力电子技术 年份：2020
芯片表面电极薄层脱落是绝缘栅双极型晶体管(IGBT)封装模块的一种常见失效现象,因此对其失效机理分析与寿命的有效预测是整体器件可靠性评估中的一个研究要点。首先通过仿真...
[期刊论文] 作者：赵善麒,高鼎三,潘福泉,韩杰,
来源：吉林大学自然科学学报 年份：1991
本文进一步闸明了晶闸管关断的物理过程,根据莫尔理论和电荷控制模型推导出一个包含晶闸管两个共基极直流电流放大系数的新的关断时间表达式。该公式充分体现了器件的导通过...
[会议论文] 作者：巩鹏亮, 刘清军, 刘利峰, 赵善麒,,
来源： 年份：2008
本文针对FRD（Fast Recovery Diode）和FRED（Fast Recovery Epitaxial Diode）产品的特性参数,以江苏宏微科技有限公司模块封装的FRED产品参数表为例详细解释了快恢复二极管的相关参...
[会议论文] 作者：陆界江, 张景超, 关艳霞, 赵善麒,,
来源： 年份：2004
本文主要通过对场板和场限环终端结构的理论分析,介绍器件终端结构击穿电压随环间距、环宽度、场板长度等参数的变化规律。利用二维器件模拟软件Medici模拟具有1700V高压阻断...
[会议论文] 作者：陆界江,关艳霞,张景超,赵善麒,
来源：2008年中国电工技术学会电力电子学会第十一届学术年会 年份：2008
本文主要通过对场板和场限环终端结构的理论分析，介绍器件终端结构击穿电压随环间距、环宽度、场板长度等参数的变化规律。利用二维器件模拟软件Medici模拟具有1700V高压阻断能力的器件，通过对器件表面和内部电场以及场限环分压能力的分析和对参数的调整，实现优化......
[期刊论文] 作者：戚丽娜,张景超,刘利峰,赵善麒,,
来源：电力电子技术 年份：2012
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是由双极型晶体管(BJT)和绝缘栅型场效应管(即MOSFET)合成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,具有MOSFET的高输入阻抗及BJT的低导通压降,以及驱...
[期刊论文] 作者：张景超,赵善麒,刘利峰,王晓宝,,
来源：电力电子技术 年份：2010
介绍了绝缘栅双极晶体管(IGBT)的基本结构和工作原理;讨论了IGBT各关键参数和结构设计中需要考虑的主要问题;分析了IGBT设计中需要协调的几对矛盾参数的关系以及影响IGBT可靠...
[期刊论文] 作者：姚玉双,亓笑妍,王晓宝,赵善麒,,
来源：电力电子技术 年份：2012
近年来,市场对功率模块的需求是体积越来越小,可靠度越来越高。功率模块由很多种材料组成,主要需要克服的挑战是对于可靠性需求的迎合。这些新的需求将加强优化封装并克服原...
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