搜索筛选:
搜索耗时0.6202秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 153 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：谢江林,胡辉勇,涂国平,,
来源：江西社会科学 年份：2017
当前,支持我国经济增长的低成本要素优势正在逐步消退,依靠低成本要素投入的经济发展模式已变得不可持续。在资源价格低估、损毁环境成本不足以抵消利润回报对违法行为的惩罚...
[期刊论文] 作者：吴华英,张鹤鸣,宋建军,胡辉勇,,
来源：物理学报 年份：2011
本文基于量子机制建立了单轴应变硅nMOSFET栅隧穿电流模型,分析了隧穿电流与器件结构参数、偏置电压及应力的关系.仿真分析结果与单轴应变硅nMOSFET的实验结果符合较好,表明...
[期刊论文] 作者：牛玉峰,庄奕琪,胡辉勇,宋建军,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
应变SiCMOS技术是当前研究发展的重点,其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础。基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/（001）Si1-...
[期刊论文] 作者：戴显英,胡辉勇,张鹤鸣,孙建诚,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2003
介绍了一种新的制备SiGe/Si材料的化学气相沉积技术.该技术组合了紫外光化学气相沉积和超高真空化学气相沉积两种技术的优点,具有超高真空背景和低温淀积的特点.应用该技术在...
[期刊论文] 作者：戴显英,胡辉勇,张鹤鸣,孙建诚,
来源：光子学报 年份：2003
介绍了采用紫外光化学汽相淀积(UVCVD)、超高真空化学汽相淀积 (UHVCVD)和超低压化学汽相淀积 (ULPCVD)技术研制的化学汽相淀积 (CVD)工艺系统,简称U3CVD系统.应用该系统,在4...
[期刊论文] 作者：吴铁峰,张鹤鸣,胡辉勇,王斌,,
来源：电子器件 年份：2009
研究分析了用于放大微弱信号的三运放构成的测量放大器的共模抑制比,根据影响其共模抑制比的因素,在考虑有噪声干扰、非理想运放、电阻匹配及其应用条件的情况下,提出一种新...
[期刊论文] 作者：牛玉峰,庄奕琪,胡辉勇,宋建军,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
应变Si CMOS技术是当前研究发展的重点,其材料的能带结构是研究设计高速/高性能器件和电路的理论基础.基于密度泛函理论框架的第一性原理平面波赝势方法对双轴应变Si/(001)Si...
[会议论文] 作者：田靖,张鹤鸣,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
采用溶胶凝胶法，制备了以BZN薄膜为栅介质的GaN基MIS结构，测试分析了MIS结构样品的表面形貌、薄膜厚度、高频C-V曲线。在实验数据的基础上，得到BZN薄膜相对介电常数为91,CaN...
[期刊论文] 作者：吕懿,张鹤鸣,胡辉勇,杨晋勇,,
来源：物理学报 年份：2014
热载流子效应产生的栅电流是影响器件功耗及可靠性的重要因素之一,本文基于热载流子形成的物理过程,建立了单轴应变硅NMOSFET热载流子栅电流模型,并对热载流子栅电流与应力强...
Substrate bias effects on collector resistance in SiGe heterojunction bipolar transistors on thin fi
[期刊论文] 作者：徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,屈江涛,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
An analytical expression for the collector resistance of a novel vertical SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) on thin film silicon-on-insulator(SOI) is...
[期刊论文] 作者：徐小波,张鹤鸣,胡辉勇,马建立,,
来源：Chinese Physics B 年份：2011
Silicon germanium(SiGe) heterojunction bipolar transistor(HBT) on thin silicon-on-insulator(SOI) has recently been demonstrated and integrated into the latest S...
[期刊论文] 作者：吴铁峰,张鹤鸣,王冠宇,胡辉勇,,
来源：物理学报 年份：2011
小尺寸金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)器件由于具有超薄的氧化层、关态栅隧穿漏电流的存在严重地影响了器件的性能,应变硅MOSFET器件也存在同样的问题.为了说明漏电流...
[期刊论文] 作者：刘洪宁,孙建诚,胡辉勇,张鹤鸣,
来源：真空电子技术 年份：2000
介绍了新近研制的用于 Si Ge材料生长的超高真空 ( UHV) /紫外光 ( UV) /能量辅助 CVD工艺系统。A newly developed ultrahigh vacuum (UHV) / ultraviolet (UV) / energy...
[期刊论文] 作者：赵丽霞,张鹤鸣,宣荣喜,胡辉勇,,
来源：西安电子科技大学学报 年份：2012
基于费米黄金法则及玻尔兹曼方程碰撞项近似理论，针对离化杂质、声学声子、谷间声子及合金无序散射机制，研究了应变Si1-xGe／（100）Si材料电子散射几率与应力及能量的关系．结果表明：在......
[期刊论文] 作者：王喜媛,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,
来源：微纳电子技术 年份：2003
在进行pnp型SiGe HBT的设计时,通过改变基区Ge组分改变能带结构,从而获得较高的电流增益和截止频率.本文就基区中Ge组分分布的三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并...
[期刊论文] 作者：李立,戴显英,朱永刚,胡辉勇,,
来源：电子器件 年份：2006
采用SiGe异质结结构提高pnp晶体管的性能，重点研究了Ge组分在基区的三角形分布对晶体管电流增益β和特征频率fτ的影响。三角形分布，又分为起点为零和不为零两种情况。同时为了...
[期刊论文] 作者：黄大鹏,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,
来源：电子科技 年份：2004
采用紫外光能量辅助化学气相淀积(UVCVD)方法,同时结合超高真空化学气相淀积(UHVCVD)及超低压化学气相淀积(ULPCVD)技术,在450℃低温外延生长了应变SiGe/Si材料.讨论了应变Si...
[期刊论文] 作者：王喜媛,张鹤鸣,戴显英,胡辉勇,
来源：微电子学与计算机 年份：2003
在进行PNP型SiGe HBT的设计时,通过改变Ge组分而改变能带结构,而获得较高的电流增益.文章对基区中的Ge组分分布三种形式:三角形、梯形、矩形进行计算机模拟并进行结果分析,认...
[会议论文] 作者：俞智刚,胡辉勇,张鹤鸣,戴显英,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文在考虑了AlxGa1-xN/GaN异质结压电和自发极化效应的基础上,通过求解泊松方程,建立了AlxGa1-xN/GaN量子阱沟道中电子面密度和阈值电压模型.应用MATLAB软件对该模型进行了...
[会议论文] 作者：李敏,张鹤鸣,宋建军,胡辉勇,宣荣喜,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
为确保芯片的稳定工作,许多集成电路都需要有高质量的内部稳定电压源,为芯片内部其他电路提供稳定的电压.本文设计了一款适用于芯片内部的具有温度系数低,电源抑制比高,...
相关搜索：
