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[会议论文] 作者：王博宇,向伟,秦秀波,曹兴忠,王宝义,
来源：第十一届全国正电子湮没谱学会议 年份：2012
在中子发生器上,利用不同能量的D+离子束对氘钛靶进行连续辐照,利用慢正电子湮没技术和扫描电镜对束流辐照前后的氘钛靶的微观性能进行表征,结果表明,D+离子束对氘钛靶微...
[期刊论文] 作者：况鹏,韩小龙,曹兴忠,夏锐,张鹏,王宝义,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Doppler broadening and coincidence Doppler broadening of annihilation radiation experiments have been performed in three kinds of polyethylene glycol(PEG) membr...
[会议论文] 作者：曹兴忠,宋力刚,张仁刚,王宝义,魏龙,
来源：第十三届全国正电子谱学会议 年份：2016
正电子湮没谱学技术在研究材料内微观缺陷、微观结构相较于其他谱学分析技术有着独特的优势，在研究阳离子空位等负电性空位型缺陷方面，可获取材料内部微观缺陷的种类与分布......
[期刊论文] 作者：罗潘,徐曼,王绍辉,徐阳,曹兴忠,张鹏,,
来源：高分子学报 年份：2016
采用硅烷偶联剂KH550对介孔分子筛MCM-41内、外表面进行改性,并利用氮气吸附-脱附,傅里叶红外光谱以及小角X衍射等进行表征,其结果显示KH550分子被引入MCM-41纳米孔道中,且—...
[会议论文] 作者：潘梦霄,曹兴忠,李养贤,王宝义,魏龙,
来源：第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：2003
采用直流磁控反应溅射在Si(100)衬底上溅射得到(001)取向的VO薄膜.X-ray衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)的结果表明,氧分压影响薄膜的成分和生长取向,在氧分压0.4Pa时溅射得到(001)取向的纳米VO薄膜,即沿c轴垂直衬底方向取向生长的薄膜.并测试了薄膜具有优良的电致变......
[期刊论文] 作者：吴亚茹, 曹兴忠, 李玉晓, 张静, 杨静, 王胜, 张鹏,,
来源：材料导报 年份：2014
稀土三价钐离子掺杂不同基质发光材料由于在照明、显示器件、激光等许多领域都具有广阔的应用前景而备受关注并得到深入研究。介绍了三价钐离子的能级结构、荧光物质发光性能...
[会议论文] 作者：杨静,于润升,曹兴忠,李卓昕,王宝义,袁大庆,
来源：第十一届全国正电子湮没谱学会议 年份：2012
本文采用常规正电子湮没寿命谱和符合多普勒技术，研究了γ辐照对ETFE的影响，辐照剂量分别为0、20、100、500 KGy。在辐照样品中，氟峰的强度随辐照计量的增大而升高，当辐照计......
[会议论文] 作者：况鹏,张鹏,曹兴忠,于润升,王宝义,魏龙,
来源：第十三届全国正电子谱学会议 年份：2016
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[期刊论文] 作者：胡远超, 曹兴忠, 李玉晓, 张鹏, 靳硕学, 卢二阳, 于,
来源：物理学报 年份：2004
正电子湮没谱学技术是研究材料微观结构非常有效的一种核谱学分析方法,主要用于获取材料内部微观结构的分布信息,特别是微观缺陷结构及其特性等传统表征方法难以获取的微观结...
[期刊论文] 作者：吴亚茹, 曹兴忠, 李玉晓, 杨静, 张鹏, 于润升, 王宝,
来源：材料导报 年份：2015
对稀土铕离子掺杂聚合物基荧光材料的制备方法进行了分析归纳,介绍了稀土离子配位数及离子簇的存在对发光性能的影响,同时列举了聚合物基荧光复合材料在农业、生物医学、防伪...
[期刊论文] 作者：曹兴忠,王宝义,王平,马雁云,秦秀波,魏龙,
来源：中国学术期刊文摘 年份：2007
慢正电子强柬流采用高能脉冲电子柬流轰击金属钽靶，以产生正负电子对的方式提供正电子，作为慢正电子柬流方法学研究和薄膜材料缺陷研究的柬流基础．该文是在该装置实现运行后，对慢......
[期刊论文] 作者：张鹏,秦秀波,于润升,李玉晓,曹兴忠,王宝义,,
来源：郑州大学学报(理学版) 年份：2012
以电子辐照金红石相TiO2晶体为研究对象,以正电子湮没多普勒展宽能谱和符合多普勒展宽谱为主要的研究手段,对不同辐照参数时的空位型缺陷类型和浓度进行表征.多普勒展宽能谱...
[期刊论文] 作者：曹兴忠,王宝义,王平,马雁云,秦秀波,魏龙,,
来源：黑龙江科技信息 年份：2006
本文通过对荣华二采区10...
[期刊论文] 作者：李金泉,徐碧聪,靳硕学,张鹏,姜增辉,曹兴忠,,
来源：中国科学:技术科学 年份：2017
在相同的切削条件下对工业纯钛(TA2)和钛合金(TC4)进行切削试验,获得了不同形态的切屑.从价电子结构角度研究不同合金元素对绝热剪切敏感性的作用机理.研究结果表明,绝热剪切...
[会议论文] 作者：张辉, 王宝义, 张仁刚, 曹兴忠, 张哲, 周春兰, 马创新,,
来源：第九届全国正电子谱学会议论文集 年份：2005
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[会议论文] 作者：靳硕学, 张鹏, 卢二阳, 张春雄, 曹兴忠, 王宝义,,
来源： 年份：2004
采用慢正电子束多普勒展宽测量技术表征氢离子辐照Fe0.3Cu合金的Cu析出现象以及与辐照缺陷的关系。实验结果表明:氢离子注入产生了大量的空位型缺陷且H与空位缺陷结合产生大...
[期刊论文] 作者：曹兴忠,宋力刚,靳硕学,张仁刚,王宝义,魏龙,,
来源：物理学报 年份：2017
正电子湮没谱学技术在研究材料微观缺陷、微观结构方面有着独特的优势,尤其是在针对阳离子空位等负电性空位型缺陷的研究中,可以获取材料内部微观缺陷的种类与分布的关键信息...
[期刊论文] 作者：李东翔,秦秀波,李玉晓,赵博震,曹兴忠,王宝义,,
来源：材料导报 年份：2012
综述了TiO2的基本性质，并对稀磁半导体中磁性起源的理论模型做了简单分析，同时还重点以薄膜和晶体类型的TiO2为阐述对象，讨论了过渡金属掺杂、非磁性元素掺杂和未掺杂TiO2对于探......
[期刊论文] 作者：曹兴忠, 王宝义, 章志明, 魏存峰, 张天保, 薛德胜,,
来源：核技术 年份：2004
采用电子束流以及脉冲慢正电子束流对系统进行了调试,对束流系统的性能参数进行了测定和研究.实验结果表明,系统对于模拟电子的传输效率高于98%,电子束斑直径小于5 mm.在目前...
[期刊论文] 作者：曹兴忠,王宝义,于润升,魏存峰,薛德胜,魏龙,
来源：高能物理与核物理 年份：2004
针对基于北京正负电子对撞机的慢正电子强束流系统对输运磁场的设计要求,本文对不同规格的磁场输运线圈模型、长螺线管端口处磁场的补偿以及地磁场和弯管道对正电子束流的影...
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