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[期刊论文] 作者：宋志棠,曾建明,
来源：稀有金属材料与工程 年份：1999
采用高真空电子束蒸与直流溅射在ＳｉＯ２／Ｓｉ基底上制备Ｐｔ／Ｔｉ底电极，对Ｐｔ／Ｔｉ在不同热处理温度下的结构与形貌进行对比研究。结果表明；由于采用不同的制备工艺，Ｐｔ晶粒在成核与生长方式上有所不同，导致了Ｐｔ薄......
[期刊论文] 作者：张楷亮,宋志棠,,
来源：技术与市场 年份：2008
随着半导体工业的飞速发展,化学机械抛光(CMP)渐成为集成电路制造中的一项关键工艺,其中抛光液是化学机械抛光过程中重要的消耗品,长期以来国内主要硅材料厂及半导体元件厂依...
[期刊论文] 作者：宋志棠,刘纯亮,
来源：西安交通大学学报 年份：1996
利用计算机推导出环形电场轴向所有三阶象差系数具体解析表达式，所有软件色均用人工智能语言Ａｒｉｔｙ－Ｐｒｏｌｏｇ编制，并简要地介绍了该软件包推导象差系数的过程，所得结果可直接应用于工程设计和计......
[期刊论文] 作者：宋志棠,杨型健,
来源：太原重型机械学院学报 年份：1996
本文是文献［１］的后续部分．本文将进一步给出求解Ｇ—Ｓ关系的计算机实现过程和手工反解得到的四阶Ｓ—Ｇ规则，从而为计算四阶离子轨迹及其斜率奠定基础．This article is the follow-up to......
[期刊论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,,
来源：微纳电子技术 年份：2007
介绍了我国相变存储器的研究现状及面临的关键问题。提出了我国相变存储器的发展思路和目标:加强新型材料和器件结构等方面的基础研究,形成创新性的成果,同时加强专利战略布...
[期刊论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,
来源：物理 年份：2005
文章系统地介绍了相变型半导体存储器的原理、相变材料、特点、器件结构设计、研究现状及面临的几个关键器件工艺问题.C-RAM由于具有非易失性、循环寿命长、元件尺寸小、功耗...
[期刊论文] 作者：宋志棠,刘波,封松林,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2008
相变存储技术是纳电子器件发展的主流技术之一,利用其电脉冲操作下的纳秒级的可逆相变过程制备的相变存储器（PCRAM）,在嵌入式与大容量存储方面有巨大的商用价值与应用前景,已成......
[期刊论文] 作者：章宁琳,宋志棠,等,
来源：功能材料 年份：2002
随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非...
[期刊论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,
来源：半导体技术 年份：2008
介绍了相变随机存储器（PCRAM）的研究现状，包括新型相变材料、热阻层材料和器件结构等。分析了GeSb和SiSb等相变材料具有组分简单、数据保持力好、优良的存储性能等特点，介绍了PCR......
[会议论文] 作者：吴良才,陈坤基,宋志棠,
来源：第三届上海纳米科技与产业发展研讨会 年份：2006
利用O2等离子体氧化单晶硅衬底的方法制备SiO2薄膜作为隧穿势垒,利用laverbylayer方法在SiO2隧穿势垒上原位制备纳米硅(nanocrystalline Si,nc-Si)量子点,然后再原位等离子体...
[会议论文] 作者：宋志棠,刘波,封松林,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了硫系化合物随机存储器的原理、研究现状、特点及其在军事与航空航天领域的应用前景.硫系化合物随机存储器具有抗辐射、耐高低温、抗电子干扰、抗震动、高速读取、高可擦写次数、非易失性、元件尺寸小、功耗低和与半导体工艺兼容性好等优点,被认为最有......
[期刊论文] 作者：吕士龙,宋志棠,封松林,,
来源：微纳电子技术 年份：2006
介绍了在相变材料上的曝光工艺研究，得出了相应的工艺条件，研究了邻近效应的影响以及利用邻近效应制作nm量级间隔大电极对的方法。...
[期刊论文] 作者：孔慧,刘卫丽,宋志棠,
来源：材料导报 年份：2018
以低成本工业级硅酸钠为原料,采用离子交换法制备了非球形纳米二氧化硅颗粒。在制备过程中,采用控制无机碱催化剂1%(质量分数)氢氧化钠水溶液滴加到活性硅酸速度的方法来控制...
[期刊论文] 作者：张磊,刘卫丽,宋志棠,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
在氨水催化水解正硅酸乙酯(TEOS)过程中,采用一种新方法制备了单分散的超小粒径氧化硅.加入聚乙烯吡咯烷酮(PVP)能够有效的减小氧化硅颗粒的粒径大小,氧化硅粒径随着PVP的增...
[会议论文] 作者：邢溯;宋志棠;林成鲁;,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
用MOD法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si衬底上生长了(110)取向柱状生长的Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜过渡层,并在其上用PLD在不同氧压下淀积了Ba0.8Sr0.2TiO3薄膜.发现MOD的薄膜过渡层对其后用...
[期刊论文] 作者：张楷亮, 宋志棠, 封松林,
来源：微电子学 年份：2005
...
[期刊论文] 作者：张泽芳,刘卫丽,宋志棠,,
来源：半导体技术 年份：2012
在LED制造工艺中,金刚石研磨液是一种关键的耗材,用于蓝宝石衬底的研磨和外延片的背减薄,但目前金刚石研磨液均以有机物作为分散介质。采用水为分散介质、多晶金刚石微粉为磨...
[期刊论文] 作者：宋志棠, 陈苏, 汪扬, 封松林,
来源：光子学报 年份：2005
采用超高真空电子束蒸发制备了一维紫外、可见光波段光子晶体.研究了在石英衬底上不同周期Ag/SiO2体系对光子带隙的影响.带隙位置与理论计算结果符合.发现二氧化硅层的厚度对...
[期刊论文] 作者：刘波,宋志棠,封松林,Chen,Bomy,
来源：半导体学报 年份：2006
采用磁控射频溅射法制备了Ge2Sb2Te5薄膜,利用离子注入法研究了硅掺杂对薄膜结构和电阻性能的影响.研究发现,由于硅的掺杂,Ge2Sb2Te5薄膜的结构不仅保留了原有的面心立方低温...
[期刊论文] 作者：夏吉林,刘波,宋志棠,封松林,
来源：半导体学报 年份：2006
研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时,制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响.主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况,探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理.实验结果表明...
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