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[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：电子工程师 年份：1996
报道了毫米波ＨＥＭＴ的发展及现状，介绍了低噪声和功率器件的一些相关技术和典型研究水平。并介绍了１２ＧＨｚ的低噪声ＨＥＭＴ在卫星电视接收机中的应用情况。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界电子元器件 年份：2000
一、引言 等离子体平板显示器(PDP)作为下一代大屏壁挂式TV的最佳显示器件而倍受研究机构和厂商青睐。随着30英寸级PDP制造技术的成熟,以及50英寸级XGA(扩展图形阵列)PD...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界产品与技术 年份：2000
自80年代中期以来,国际上有关多芯片组件(MCM)的报道日益增多。人们从整机、制造和应用的不同角度,对MCM的定义不尽相同,对MCM的技术内涵也有不同的认识和理解。综合分...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界产品与技术 年份：2003
作为人机对话的界面——显示器件在IT领域的作用日益突出,应用范围也随之扩大,如电脑监视器、手机显示屏、数码相机显示屏、车载显示屏、电视机以及各种场合的商务大屏...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界产品与技术 年份：2001
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[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：半导体杂志 年份：1992
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[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：电子工程师 年份：2000
介绍了金刚石半导体器件的发展现状与技术,对金刚石肖特基二极管双极器件和金刚石场效应管进行了较详细的分析。同时,讨论了该领域的未来研究趋向...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界电子元器件 年份：1997
随着Gb级DRAM的问世,使存储器的发展又上了一个新的台阶。本文主要介绍国外最新报道的256Mb、1Gb和4Gb的开发研究信息。△256Mb DRAM 韩国三星电子采用0.25μm CMOS工艺...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：半导体情报 年份：1999
阐述了ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓ异质结双极晶体管的最新发展动态，重点讨论了ＨＢＴ的结构与性能以及ＨＢＴ ＩＣ的高速性能与可靠性问题。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：世界电子元器件 年份：1999
作为毫米波器件应该在毫米波段(30GHz以上)满足大功率、高增益、低噪声的要求。由于毫米波应用范围较小,主要是近距离的雷达系统、通信系统等微小型组件。所以其输出功...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：半导体技术 年份：1999
介绍了金刚石器件的发展现状与技术，对金刚石双极器件和金刚石场效应管进行了分析，同时讨论了该领域未来的研究趋向。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：半导体情报 年份：1998
半导体超薄层材料的研究，依赖于先进的外延生长技术本文着重该领域的ＭＢＥ，ＭＯＣＶＤ，ＣＢＥ和ＡＬＥ的发展现状及关键技术作一综述。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：微纳电子技术 年份：2002
阐述了近来毫米波器件及电路的技术动向.异质结FET和HBT在InP系突现出优越的性能,在GaAs系已完全进入系统应用阶段.在此应用观点的影响下,相继开发成功了宽带无线通信系统和...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
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[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：光电子技术 年份：1997
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[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：光电子技术 年份：1997
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[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：光电子技术 年份：1997
1996年秋，日本的数字公司相继公开发布了100cm(40in)级的大屏幕、超薄型PDP电视商品化的计划。从而使PDP技术的研究成为本世纪末平板显示技术的热点之一。...
[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：光电子技术 年份：1997
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[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：光电子技术 年份：1997
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[期刊论文] 作者：孙再吉,
来源：光电子技术 年份：1997
日本ノリタヶ公司使用低成本的厚膜印刷技术，开发了高度为130μm，宽度为30μm的障壁形成技术，用于54cm级1280×1024象素的PDP制作。...
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