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[会议论文] 作者:李国辉,姬成周, 来源:中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份:1993
[期刊论文] 作者:郭慧民,周会,姬成周, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:2003
从基本半导体方程出发,用数值模拟方法得到了一种新型晶体管内部的电场分布,载流子浓度分布和输出特性.晶体管的有效基区宽度约为50nm.证明了这种晶体管有效基区中的电场是载...
[期刊论文] 作者:姬成周,王安民,郑金山, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:1999
用三扫描极化测量、背散射和电镜方法研究了离子束混合Al(Ti),Al(Pd)非晶合金层在NaHCO3溶液(中的钝化.Ti35Al65的腐蚀速率为纯铝的1/24,而Pd30Al70的腐蚀速率比纯铝增大了44%.这说明用离子轰击方法制备耐腐蚀合金材料时,合金......
[期刊论文] 作者:张燕文,姬成周,李国辉,, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:1992
报道使用两步快退火(RTA)工艺对MeV Si~+注入的〈100〉取向SI-GaAs样品进行热处理。2 MeV,2×10~(14)cm~(-2)Si注入的GaAs样品,经低温(350~450℃),长时间(20~30 s)退火和高...
[期刊论文] 作者:王安民,姬成周,张通和,, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:1992
利用强束流离子注入过程中杂质扩散的数学模型,研究了部分对浓度分布影响较大的参数、试图分析和理解用MEVVA源注入金属的复杂过程。发现靶温是影响杂质分布及穿透深度的主要...
[期刊论文] 作者:姬成周,黄致新,刘伊犁, 来源:北京师范大学学报:自然科学版 年份:1989
Mo膜中的杂质氧明显减慢了Xe+离子轰击诱生的MoSi2的生长速率,氧的内扩散和再分布是由损伤分布支配的.小电流密度(【5×10-7A/cm...
[期刊论文] 作者:姬成周,王安民,张通和,, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:1992
给出了一个计算强束流离子注入下杂质浓度分布的数学模型.利用有限差分法,给出了该模型的数值解及计算程序.用该程序对Mo,W等注入离子的浓度分布进行了数值计算,给出了部分结...
[期刊论文] 作者:张通和,姬成周,沈京华,, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:1991
Ti 注入钢的射程参数(1~1000keV)是用 TRIM87程序计算而得到的.考虑到高注量注入溅射效应的影响,利用 Schuilz 模型计算了 Ti 注入钢和 Al 中浓度分布.对此模型中饱和注量与离...
[期刊论文] 作者:姬成周,张通和,沈京华,, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:1990
高注量(>3×10~(17)cm~(-2))钛离子注入铝时,靶样品的温度明显地改变钛原子的浓度分布。靶温度超过400℃时,析出相为金属间化合物Al_3Ti。用金属蒸汽真空弧(MEVVA)离子源注钛...
[期刊论文] 作者:张燕文,姬成周,李国辉, 来源:固体电子学研究与进展 年份:1993
报导不同注量下MeV硅离子注入半绝缘砷化镓衬底的激活能,随注量增加激活能增大。对相同注入条件分别经一步或两步快退火处理样品的电特性进行了比较,认为MeV硅离子注入砷化镓...
[期刊论文] 作者:姬成周,刘伊型,沈京华,, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:1988
报导了用快速白光辐照、通过薄膜反应在GaAs衬底上生成单一化学相的硅化物W_5Si_3,对样品的结构方式和硅供应量对钨硅化物生成相的影响进行了讨论。The effect of the stru...
[期刊论文] 作者:刘伊犁,姬成周,林文廉,, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:1988
用超高真空电子束蒸发法,在单晶Si(100)衬底上淀积厚度为1000A的单层Mo膜,并在不破坏真空条件下,继续蒸镀120Aα-Si层。将样品在1.3×10~(-4)~2.6×10_(-4)Pa真空条件下退火,...
[期刊论文] 作者:姬成周,黄致新,刘伊犁,, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:1989
Mo膜中的杂质氧明显减慢了Xe~+离子轰击诱生的MoSi_2的生长速率,氧的内扩散和再分布是由损伤分布支配的.小电流密度(300℃)条件下,Xe~+离子轰击诱生的MoSi_2为六角结构.后退...
[期刊论文] 作者:缴桂跃,姬成周,王广甫, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:1995
基于Langmuir-Saha表面电离理论,推演一适用于透射表面电离过程的解析模型,包括系统导流系数的解析表述,中性粒子流密度公式的修正,空间电荷影响下的电离几率等,并给出了与透射型表面电离源实验......
[期刊论文] 作者:缴桂跃,姬成周,王文勋, 来源:北京师范大学学报:自然科学版 年份:1994
通过电离表面的痕量分析和Cs^+离子产额的测量,研究了功函数、表面温度及铯通量等因素对铯溅型负离子源表面电离效率的影响。结合Langmuir-Saha表面电离理论,提示Cs^+离子产额饱和的原因。提出一项改......
[期刊论文] 作者:蔡一茂,姬成周,李国辉, 来源:北京师范大学学报(自然科学版) 年份:2003
利用基尔霍夫电流定律修改双极晶体管的EM(Ebers-Moll)模型,使得它适合描述4层结构的数字集成晶体管.这样通过流经各个PN结的电流的变化,可以研究数字集成晶体管在不同工作状...
[期刊论文] 作者:姬成周,P.Wang,单锦安,郑东东, 来源:核技术:英文版 年份:1990
Upon heating, Mn atoms implanted into Na - beta- alumina diffuse inwards andoutwards with an activation energy of 0.96 eV, and substitute for Al3+ in the spinel...
[会议论文] 作者:李国辉,姬成周,王文勋, 来源:第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份:1991
[期刊论文] 作者:曾贻伟,姬成周,林文廉, 来源:Chinese Science Bulletin 年份:1996
The surface properties on both friction and wear resistance can be improved by Ti-ionimplantation.The results show that the significant effect has been obtaine...
[期刊论文] 作者:曾贻伟,姬成周,林文廉, 来源:科学通报 年份:1996
金属Ti离子注入,可以改善钢材表面的耐摩擦、耐磨损性能。研究结果表明大注剂量(>1×10~(17)cm~(-2))将会产生明显的效果,而近来研制成功的金属蒸汽真空弧离子源(MEVVA源)恰...
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