搜索筛选:
搜索耗时0.4039秒,为你在为你在102,267,441篇论文里面共找到 27 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：惠萌,刘盼芝,白磷,李艳波,武奇生,
来源：西安交通大学学报 年份：2004
针对铁磁谐振事故产生的过电压会对电力设备产生危害的问题,从对一典型铁磁谐振电路的非线性特性分析入手,并考虑铁磁谐振过电压从检测到加入抑制措施会产生一定的时滞,提出...
[期刊论文] 作者：惠萌, 刘盼芝, 白璘, 李艳波, 武奇生,,
来源：西安交通大学学报 年份：2014
针对铁磁谐振事故产生的过电压会对电力设备产生危害的问题,从对一典型铁磁谐振电路的非线性特性分析入手,并考虑铁磁谐振过电压从检测到加入抑制措施会产生一定的时滞,提出...
[期刊论文] 作者：谷文萍,全思,张林,徐小波,刘盼芝,,
来源：半导体技术 年份：2015
采用归一化能量1 Me V的中子脉冲反应堆对Al Ga N/Ga N异质结材料进行了辐照研究。实验发现,经1015cm-2注量的中子辐照后,异质结材料的二维电子气(2DEG)载流子浓度(ns)下降,...
[期刊论文] 作者：谷文萍,张进成,张林,徐小波,刘盼芝,,
来源：半导体技术 年份：2016
由于综合性能优势,GaN基功率器件更适合于卫星电子系统等空间设备中射频功率放大模块的发展需求。因此,GaN基器件及材料的辐照效应研究显得尤为重要。通过对GaN基材料和器件...
[期刊论文] 作者：谷文萍,全思,张林,徐小波,刘盼芝,杨丽媛,,
来源：半导体技术 年份：2015
采用能量为1 Me V的电子对几种不同结构的Al Ga N/Ga N HEMT器件进行了最高注量为8.575×1014cm-2的辐照。实验发现:电子辐照后,最高注量下器件欧姆接触性能也几乎没有退化。...
[期刊论文] 作者：谷文萍,张林,杨鑫,全思,徐小波,杨丽媛,刘盼芝,,
来源：电子学报 年份：2016
分别采用3Me V和10Me V的质子对Ga N基HEMT（High Electron Mobility Transistor）器件进行辐照.实验发现：低注量辐照引起了体材料载流子浓度增加,高注量辐照引起了HEMT器件漏电流...
[期刊论文] 作者：李云梦,关丽敏,王会峰,黄鹤,高荣,刘盼芝,温立民,吕景祥,,
来源：电子测量与仪器学报 年份：2021
针对传统平移扫描检测系统的缺陷,提出了一种基于旋转扫描线结构光的三维检测与重构系统及对应的系统参数标定方法,建立了点云数据获取模型。被测物体通过旋转实现与线结构光间的相对运动,得到被测物体的外表面二维图像。系统标定获得图像坐标与世界坐标间的转......
相关搜索：
