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[期刊论文] 作者：郭红霞,张义门,陈雨生,周辉,陈世斌,龚仁喜,关颖,韩福斌,龚建成,
来源：强激光与粒子束 年份：2002
用增强光电流模型对微电路 pn结瞬态电离辐射响应开展了数值模拟计算。该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上 ,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底 (准中性...
[期刊论文] 作者：郭红霞,张义门,陈雨生,周辉,龚仁喜,何宝平,关颖,韩福斌,龚建成,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2003
通过分析总剂量辐照产生的界面陷阱的施主和受主性质 ,用半导体器件模拟软件 Medici模拟了NMOS、PMOS器件加电下辐照后的特性。结果表明 ,对于 NMOSFET,费米能级临近导带 (N...
[会议论文] 作者：郭红霞,张义门,陈雨生,周辉,陈世彬,龚仁喜,关颖,韩福斌,龚建成,
来源：第三届计算物理学术会议 年份：2001
本文针对新一代微电路PN结结构提出了增强光电流模型.该模型在Wirth-Rogers光电流模型的基础上,增加考虑了高注入对过剩载流子寿命的影响以及衬底(准中性区)电场的效应.这些...
[期刊论文] 作者：孙秋杰,张玉明,宋庆文,汤晓燕,张艺蒙,李诚瞻,赵艳黎,张义门,,
来源：Chinese Physics B 年份：2017
Near-interface oxide traps(NIOTs)in 4H–Si C metal–oxide–semiconductor(MOS)structures fabricated with and without annealing in NO are systematically investiga...
[会议论文] 作者：Xubin Ning,宁旭斌,Hongliang Lv,吕红亮,Yuming Zhang,张玉明,Yimen Zhang,张义门,Qiangsheng Cui,崔强生,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电子气的影响。在对InAs/AlSb材料的能带结构分析研究的基础上,可以通过在InAs沟道上下两层的......
[期刊论文] 作者：孙哲,吕红亮,王悦湖,贾仁需,汤晓燕,张玉明,张义门,杨霏,钮应喜,,
来源：微纳电子技术 年份：2014
基于水平热壁化学气相沉积(CVD)技术,采用原位刻蚀方法,在3英寸(1英寸=2.54 cm)(0001)Si面零偏4H-SiC衬底上生长了高质量的同质外延层,并对其主要工艺参数和生长机制进行了探...
[会议论文] 作者：Yinghui Zhong,钟英辉,Yuming Zhang,张玉明,Yimen Zhang,张义门,Hongliang Lu,吕红亮,Jincan Zhang,张金灿,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文基于0.15μm栅长的lnP HEMT器件工艺研制出了一款工作在W波段的低噪声放大器。因为Cascode结构具有输出阻抗大、反向隔离度好、Miller效应小、增益大的优点,本设计采用Cascodc拓扑结构。共面波导和Cascode结构单元布局兼容,并且不需要减薄和背金,本设计选取......
[会议论文] 作者：宋庆文[1]刘长道[2]袁昊[3]汤晓燕[3]王悦湖[3]张玉明[3]张义门[3],
来源：第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2014
利用水平式低压热壁CVD生长系统,在N型4H-SiC(0001)面的导电型衬底上进了两次外延生长,成功生长出了FJ(Floating Junction-FJ)结构的4H-SiC双层同质外延材料,利用原子力显微...
[期刊论文] 作者：钟英辉,张玉明,张义门,曹玉雄,姚鸿飞,王显泰,吕红亮,刘新宇,金智,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
A W-band two-stage amplifier MMIC has been developed using a fully passivated 2 20 m gate-width and 0.15 m gate-length InP-based high electron mobility transist...
[期刊论文] 作者：宋庆文,汤晓燕,袁昊,王悦湖,张艺蒙,郭辉,贾仁需,吕红亮,张义门,张玉明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
In this paper, 1.2 kV, 3.3 kV, and 5.0 kV class 4H–SiC power Schottky barrier diodes(SBDs)are fabricated with three N-type drift layer thickness values of 10...
[期刊论文] 作者：宋庆文,汤晓燕,袁昊,王悦湖,张艺蒙,郭辉,贾仁需,吕红亮,张义门,张玉明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
In this paper, 1.2 kV, 3.3 kV, and 5.0 kV class 4H–SiC power Schottky barrier diodes(SBDs)are fabricated with three N-type drift layer thickness values of 10 μm, 30 μm, and 50 μm, respectively. The av...
[会议论文] 作者：Yongle Lou,娄永乐,Yuming Zhang,张玉明,Daqing Xu,徐大庆,Hui Guo,郭辉,Yimen Zhang,张义门,Yuchen Li,李妤晨,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
采用磁控溅射(magnetron sputtering)方法生长了磁隧道结结构，通过优化溅射方法和400℃真空退火改善了磁隧道结中MgO层的结晶质量。借助X射线衍射(XRD)分析发现，利用不同靶材溅射生长Mg0薄膜所得到的结晶质量是不同的。利用MgO靶溅射生成的是常规的晶格常数为0.42......
[会议论文] 作者：Jincan Zhang,Yuming Zhang,Hongliang Lv,Yimen Zhang,Wei Zhou,Min Liu,张金灿,张玉明,吕红亮,张义门,周威,刘敏,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数提取中。该方法采用层层剥离的技巧,运用...
[会议论文] 作者：Jincan Zhang,张金灿,Yuming Zhang,张玉明,Hongliang Lv,吕红亮,Yimen Zhang,张义门,Wei Zhou,周威,Min Liu,刘敏,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文提出了一种直接提取异质结双极晶体管小信号模型参数的新方法,并且成功地应用到InGaAs/InP异质结双极晶体管的小信号模型参数提取中。该方法采用层层剥离的技巧,运用电路网络理论以及S,Y,Z参数之间的关系,分别对HBT小信号模型的寄生参数和本征元件参数进行......
[期刊论文] 作者：Wang Shou-Guo(王守国),Yang Lin-An(杨林安),Zhang Yi-Men(张义门),Zhang Yu-Ming(张玉明),Zhang Zhi-Yong(张志勇),Yan Jun-Feng,
来源：中国物理（英文版） 年份：2003
This paper describes the fabrication and characteristics of the lateral Ti/4H-SiC Schottky barrier diodes (SBDs).SBDs are fabricated by nitrogen ion implantatio...
[会议论文] 作者：XubinNing[1]宁旭斌[2]HongliangLv[1]吕红亮[2]YumingZhang[1]张玉明[2]YimenZhang[1]张义门[2]QiangshengCui[1]崔强生[2],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用AFM(原子力显微镜)、CV以及霍尔测试手段,对在GaAs衬底上分子束外延(MBE)制备的两种不同结构的InAs/AlSb材料进行测试,研究了δ掺杂对InAs沟道中电子迁移率与二维电...
[会议论文] 作者：YinghuiZhong[1]钟英辉[2]YumingZhang[1]张玉明[2]YimenZhang[1]张义门[2]HongliangLu[1]吕红亮[2]JincanZhang[1]张金灿[2],
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文基于0.15μm栅长的lnP HEMT器件工艺研制出了一款工作在W波段的低噪声放大器。因为Cascode结构具有输出阻抗大、反向隔离度好、Miller效应小、增益大的优点,本设计采...
Fabrication and characterization of the normally-off N-channel lateral 4H–SiC metal–oxide–semiconduc
[期刊论文] 作者：宋庆文,汤晓燕,何艳静,唐冠男,王悦湖,张艺蒙,郭辉,贾仁需,吕红亮,张义门,张玉明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
In this paper, the normally-off N-channel lateral 4H–Si C metal–oxide–semiconductor field-effect transistors(MOSFFETs) have been fabricated and characterized...
Effect of NO annealing on charge traps in oxide insulator and transition layer for 4H-SiC metal–oxid
[期刊论文] 作者：贾一凡,吕红亮,钮应喜,李玲,宋庆文,汤晓燕,李诚瞻,赵艳黎,肖莉,王梁永,唐光明,张义门,张玉明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2016
The effect of nitric oxide(NO) annealing on charge traps in the oxide insulator and transition layer in n-type4H–Si C metal–oxide–semiconductor(MOS) devices...
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