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[期刊论文] 作者：田志刚,孙汭,张捷,张建华,刘杰,田彤,明雨,崔正言,
来源：免疫学杂志 年份：1994
应用ＭＨ６０·ＢＳＦ２细胞检测ＩＬ－６生物学效价时，存在该细胞饲养困难和长期培养容易变异而失去ＩＬ－６增殖依赖性等问题。为此我们首先探讨了克隆化筛选ＭＨ６０·ＢＳＦ２的方法，从增殖依赖性较差的ＭＨ６０·ＢＳＦ２细胞群体中筛选到３株......
[期刊论文] 作者：田志刚,明雨,张建华,刘杰,孙汭,张捷,田彤,崔正言,
来源：上海免疫学杂志 年份：1994
以健康人外周血为来源，采用简便易行的体外大规模分离和培养ＬＡＫ细胞工艺，加入ＬＡＫ细胞活性增强因子，可明显地提高同种异体外周血中ＬＡＫ前体细胞的体外扩增能力和抗肿瘤活性。结果表明，由此工......
[会议论文] 作者：王伟,孙浩,田彤,艾立鹍,谈惠祖,齐鸣,孙晓玮,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电...
[期刊论文] 作者：格温·方蒂诺特,露西·汉克,凯瑞·卡尔森,田彤坤,,
来源：中国质量 年份：2007
自从上世纪80年代中期起,质量管理就成为一种改进产品质量、降低成本和提高对顾客服务的方法,并被广泛采纳。而其中的顾客满意评价,一直是大家长期争论的问题。马尔科姆·波...
[期刊论文] 作者：孙汭,田志刚,张建华,刘杰,张捷,田彤,明雨,崔正言,
来源：中华医学杂志 年份：1993
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[期刊论文] 作者：田志刚,孙汭,张捷,张建华,韩娜,刘杰,田彤,崔正言,
来源：中华微生物学和免疫学杂志 年份：1992
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[期刊论文] 作者：田志刚,孙汭,刘杰,张捷,张建华,田彤,明雨,刘钟滨,
来源：中国肿瘤生物治疗杂志 年份：1995
应用RT—PCR方法,体外扩增获得人IL—6、IL—10、IL—13和SCF膜外区蛋白质编码序列.又运用基因重组手段,将这些基因序列分别插入到表达性载体PBV220中,转化大肠肝菌DH5α,经...
[期刊论文] 作者：田志刚,孙汭,刘杰,张捷,张建华,田彤,明雨,刘钟滨,
来源：中国肿瘤生物治疗杂志 年份：1995
应用RT—PCR方法，体外扩增获得人IL-6、IL-10、IL-13和SCF膜外区蛋白质编码序列。又运用基因重组手段，将这些基因序列分别插入到表达性载体PBV220中．转化大肠肝菌DH5x，经过筛选和...
[期刊论文] 作者：田志刚,明雨,张建华,张燕,刘杰,孙汭,张捷,田彤,崔正言,,
来源：中国肿瘤临床 年份：1994
为了探索一种新的ＩＬ－２／ＬＡＫ治疗方案，本研究采用ｒＩＬ－２和自行设计的工艺制备的人同种异体ＬＡＫ细胞，按“３Ｗ”方案，治疗多种晚期恶性肿瘤患者共３８例，结果表明，多数患者自觉症状有改善，生活质量提高，部分患者的......
[期刊论文] 作者：田彤,罗晋生,吴顺君,李祖华,陈堂胜 林金庭,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
提出一种集成化平面肖特基变容管微波频段C-V特性物理模型,该模型考虑了由平面结构引起的分布有源层串联电阻、分布结电容、结反向饱和漏电流及侧壁电容对微波频段C-V特性的...
[期刊论文] 作者：田彤,罗晋生,张瑞智,李祖华,陈堂胜,林金庭,
来源：电子学报 年份：1998
采用负阻电路以及我们自行构造的模型设计的集成化平面肖特基变容管，用GaAsMMIC技术实现了L波段大调频范围压控带通滤波器该滤波器具有200MHk的3dB带宽，调频范围1．64GHz～1．0GHz、...
[期刊论文] 作者：田彤,叶雨盛,曾桂萍,陈徇,李哲,戴保威,王晓琳,
来源：辽宁农业科学 年份：2011
利用SSR标记对19个喀斯特山区常用玉米自交系进行遗传多样性分析,在此基础上又进行了杂种优势类划分。从90对引物中共筛选出46个能够稳定扩增的多态性引物,这46对引物共扩增...
[期刊论文] 作者：田志刚,明雨,张建华,张燕,刘杰,孙汭,张捷,田彤,崔正言,陈黎,王媛,
来源：中国肿瘤临床 年份：1994
为了探索一种新的IL—2/LAK治疗方案,本研究采用rIL—2和自行设计的工艺制备的人同种异体LAK细胞,按“3W”方案,治疗多种晚期恶性肿瘤患者共38例.结果表明,多数患者自觉症状...
[会议论文] 作者：王伟[1]孙浩[2]田彤[2]艾立鹍[2]谈惠祖[2]齐鸣[2]孙晓玮[2],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
通过对InP基RTD器件的模拟分析,设计了高掺杂发射区RTD器件层结构。采用气态源分子束外延的方法生长制备出了该结构的RTD器件,室温下具有较好的负阻特性,峰值电压0.6V,峰值电...
[会议论文] 作者：孙浩,孙晓玮,齐鸣,王伟,艾立鹍,滕腾,李凌云,钱蓉,徐安怀,朱福英,田彤,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同...
[会议论文] 作者：孙浩[1]孙晓玮[1]齐鸣[1]王伟[2]艾立鹍[1]滕腾[2]李凌云[1]钱蓉[1]徐安怀[1]朱福英[1]田彤[1],
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
利用气态源分子束外延生长的InAlAs/InGaAs/InP HEMT 结构上制备出了InP基肖特基二极管器件,器件开启电压为0.1V,理想因子1.94,具有较小的肖特基势垒0.356eV。在室温下对不同...
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