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[期刊论文] 作者：Liu, Y.L., Wang, X., Zhang, W.,
来源：稀有金属：英文版 年份：2000
A new set of technique was adopted in bonding Si-Si by using Ge (Ⅳ element),which is used as the substitute...
[期刊论文] 作者：Liu Yuling,Wang Xin,Zhang Wenzhi,Xu Xiaohui,Zhang Dechen,Zhang Zhihua,
来源：稀有金属(英文版) 年份：2000
A new set of technique was adopted in bonding Si-Si by using Ge (Ⅳ element),which is used as the substitute...
[期刊论文] 作者：刘玉岭,王新,张文智,徐晓辉,张德臣,张志花,
来源：Rare Metals 年份：2000
A new set of technique was adopted in bonding Si-Si by using Ge (Ⅳ element),which is used as the substitute...
[期刊论文] 作者：陈新安,黄庆安,,
来源：半导体学报 年份：2006
在Si—Si直接键合过程中，界面处存在一层很薄的厚度恒定的本征SiO2．Si对SiO2中的杂质的抽取效应，导致了杂质在界面处的浓度大大降低，根据改进了的杂质在Si—Si直接键合片中分布模...
[期刊论文] 作者：郑文礼,李廷会,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2012
Increases in Si content and the calculated Raman spectra acquired from the Si_xGe_(1-x) alloys reveal...that the frequencies of the Ge-Si and Si-Si modes are up-s...
[学位论文] 作者：张永强,
来源：南开大学 年份：1998
该课题组十年前在合成四甲基二硅桥连双环苦戊二烯基四羰基二铁的过程中,发现报道了一个新颖的由Si-Si键与Fe-Fe键的复分解而导致的分子热重排.为了阐明反应的机理,了解反应...
[期刊论文] 作者：Wen-Chi Chen,Sheng-Lon Lee,An-,
来源：材料科学与化学工程(英文) 年份：2018
For alloys that are quenched to 25℃ room temperature, there are Mg-Mg, Si-Si and Mg-Si clusters shown...
[期刊论文] 作者：李雨林,S.T.Ceyer,
来源：化学物理学报 年份：1993
用He原子衍射研究了氟化Si(100)表面的结构。由He衍射测定表明Si的悬空键是氟吸附的位置。F_2与Si(100)2×1反应并不扰乱Si-Si二聚键,在F_2入射平动能低时反应实际上在氟的复...
[期刊论文] 作者：高英俊,李云雯,王态成,黄创高,侯贤华,
来源：轻金属 年份：2005
对Al-Mg-Si合金中主要析出相β(Mg2Si)以及纯硅晶胞的键电子密度计算,表明硅晶胞中最强的Si-Si键nA比β(Mg2Si)相的Mg-Si最强键nA要强2倍,相应的最强键密度ρ也大2倍,这是影...
[期刊论文] 作者：章熙康,王缨,白国仁,江绵恒,王其闵,
来源：电子学报 年份：1985
研究了氧掺杂对a-Si:H光诱导Staebler-Wronski效应的影响(随着掺氧量的增加,光诱导效应减弱)。在掺氧的a-si:H中,红外吸收光谱显示出氧原子主要作为氢原子附近的弱Si-Si键的...
[期刊论文] 作者：CHEN Jie,L(U) Tie-Yu,HUANG Mei-Chun,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2007
preformed systematical ab initio studies of the structural and electronic properties of short-period Si1...-xIVx/Si (x = 0.125, 0.25, 0.5,IV=Ge, Sn) superl...
[期刊论文] 作者：杨志安,靳涛,杨祖慎,姚育娟,罗尹虹,戴慧莹,
来源：强激光与粒子束 年份：2002
利用强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行了辐照 ,测量了 C-V曲线和 I-V曲线。...实验发现 ,经过强脉冲 X射线对 Si-Si O2 界面进行的辐照 ,使 C-V曲线产生了正向漂移 ,这一点与低...
[期刊论文] 作者：Huang Yan,Zhu Xiao-Yan,
来源：中国物理(英文版) 年份：2004
The deposition of a single Si adatom on the p(2×2) reconstructed Si(100) surface has been simulated by...
[期刊论文] 作者：朱邦芬,
来源：半导体学报 年份：2004
对于含氢量较高的 a-Si :H,H原子间相互作用尽管比Si-Si,Si-H键作用小一个量级,但不容忽视.在此前提下,本文采用 CBLM方法(即 Cluster-Bethe-Lattice Method...)计算了a-Si:H的...
[期刊论文] 作者：黄创高,李云雯,张丽娜,高英俊,,
来源：广西大学学报(自然科学版) 年份：2007
对Al-Mg-Si合金中主要析出相p（Mg2Si）以及纯硅晶胞的键电子密度计算，结果表明硅晶胞中最强的Si-Si键nA比β（Mg2Si）相的Mg-Si最强键nA要强2倍，相应的最强键密度ρ也大2倍，这是影响...
[期刊论文] 作者：廖小平,
来源：电子器件 年份：2001
我们对Si/SiGe/Si HBT及其Si兼容工艺进行了研究,在研究了一些关键的单项工艺的基础上,提出了五个高速Si/SiGe/Si HBT结构和一个低噪声Si/SiGe/Si HBT结构,并已研制成功台面...
[期刊论文] 作者：陈琳,李伟,戈肖鸿,车录锋,,
来源：半导体技术 年份：2011
设计并制作了一种新型的基于Si塑性变形的二维驱动器,驱动器由外围垂直驱动和内部水平驱动两部分组成。驱动器的制作采用普通Si片Si-Si键合技术,首先在结构片正面制作出绝缘...
[期刊论文] 作者：Jiahua Zhang,Da Chen,Shihua Huang,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2017
The influence of oxygen doping on resistive-switching characteristics of Ag/a-Si/p~+-c-Si device was...
[期刊论文] 作者：廖乃镘,李伟,蒋亚东,匡跃军,李世彬,吴志明,,
来源：材料导报 年份：2007
氢化非晶硅（a-Si：H）是一种重要的光敏感薄膜材料，其稳定性的好坏是决定能否应用于器件的重要因素之一。介绍了a-Si：H薄膜稳定性的研究进展，论述了a-Si：H薄膜的稳定性与Si-Si弱键的关...
[期刊论文] 作者：Fan-bo Meng,Hong-jun Huang,Xiao-guang Yuan,Ze-wen Cui,Xian-lei Hu,
来源：中国铸造 年份：2020
The effect of Si addition on the microstructure and mechanical properties of Al-Mg-Si-Zn aluminum alloys...
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