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[学位论文] 作者：陆珏,,
来源： 年份：2007
宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等特点,在高温以及微波功率器件制造领域具有极大的潜力。其中,A1GaN／GaN HEMT器件在微波大功率和...
[期刊论文] 作者：王立, 李述体, 江风益, 余淑娴,,
来源：化学教育 年份：2001
本文概述了GaN基发光材料的基本特性和GaN基器件的应用领域及未来的发展前景.简述了GaN基材料的生长技术,着重介绍了金属有机化学气相淀积法....
[学位论文] 作者：赵德胜,,
来源：长春理工大学 年份：2007
随着GaN基半导体材料的发展，GaN基器件获得越来越广泛的应用。然而，在其器件制作工艺中依然存在许多亟待解决的问题。本文针对p-GaN欧姆接触进行了研究，主要包括以下内容： 1．研...
[学位论文] 作者：张效玮,,
来源： 年份：2014
GaN材料卓越的电学特性使得GaN基HEMT器件日益成为毫米波功率器件的重要选择。本论文首先概括了GaN基HEMT器件的国内外发展现状，提出了毫米波GaN基HEMT器件的研究意义；并对GaN...
[学位论文] 作者：钟红生,,
来源：杭州电子科技大学 年份：2011
得益于异质结结构,AlGaN/GaN HEMT成为当前最具发展潜力的射频、微波器件之一。因其大电流增益、高截止频率、强驱动能力、低相位噪声以及大功率密度等优点,AlGaN/GaN HEMT在...
[期刊论文] 作者：胡加辉,朱军山,冯玉春,张建宝,李忠辉,郭宝平,徐岳生,
来源：发光学报 年份：2005
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。...
[学位论文] 作者：张燕峰,,
来源：北京工业大学 年份：2014
GaN LED可靠性的评价是器件在应用前必须解决的问题。随着工艺和技术水平的提高，GaN LED器件的可靠性越来越高。目前，GaN LED器件可以有效工作十年以上，这就使得评价GaN LED器件...
[学位论文] 作者：张会龙,,
来源：西安电子科技大学 年份：2013
由于具有大禁带宽度、高电子迁移率、高电子饱和速度和大击穿场强等优点，基于GaN材料的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在最近十几年成为了微波功率器件及电路领域的研究热...
[期刊论文] 作者：介伟伟,杨春,,
来源：四川师范大学学报(自然科学版) 年份：2010
用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方GaN空位型本征点缺陷进行了理论研究.计算了GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875和GaN0.750等5种模型（Ga和N不同比例情况下的空位型...GaN...
[会议论文] 作者：肖红领,王晓亮,张明兰,马志勇,王翠梅,杨翠柏,唐健,冉军学,李晋闽,王占国,侯洵,,
来源：半导体技术 年份：2008
设计了一种具有双Al N插入层的Al GaN/Al Na/GaN/Al Nb/GaN HEMT结构材料,用以提高沟道对2DEG的限制作用、改善材料的电学性能。...
[期刊论文] 作者：丁咚,阴明利,邹长伟,郭立平,付德君,,
来源：核技术 年份：2008
采用中频磁控溅射技术，以金属Ga为靶材料，在Si（111）衬底上形成了GaN薄膜，研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响。...发现沉积气压为0．4—1．0Pa时，薄膜呈GaN（002）取向，气压...
[学位论文] 作者：史林玉,,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
由于在微波、大功率、高温、高压等方面具有得天独厚的优势，GaN基（包括InN、GaN、AlN及其合金）半导体技术近10年来得到了飞速的发展，特别是AlGaN/GaN HEMT器件得到迅猛发展，其大功...
[学位论文] 作者：李婷婷,,
来源：西安电子科技大学 年份：2011
GaN半导体材料具有禁带宽度大、电子饱和速度高、导热性能好等优点,在高温、大功率、微波器件领域拥有很大发展潜力。A1GaN/GaN HEMT作为GaN基微电子器件的代表,可广泛应用航...
[期刊论文] 作者：许小亮,施朝淑,S.Fung C.D.Beling,
来源：物理学进展 年份：2001
GaN是一种新型的宽禁带半导体兰色发光与激光材料。GaN中的缺陷和杂质对于材料的电学 输运特性和发光性能有着至关重要的影响。本文综述了近年来对于GaN中缺陷和杂质的理论...
[学位论文] 作者：杨铭,,
来源：南京理工大学 年份：2010
一直以来,GaN基半导体材料生长技术的不完善,极大制约了基于NEA GaN光电阴极的发展,然而随着近年来材料生长技术的突破,对NEA GaN光电阴极的研究成为了当前的热点。NEA GaN光...
[学位论文] 作者：黄华,,
来源：长春理工大学 年份：2008
在硅衬底上生长GaN取得了极大进展的基础上,本文创新性地提出了一种制备自支撑GaN衬底的新方法,即首先利用MOCVD,通过插入层和缓冲层技术在硅衬底上生长2μm的无微裂GaN薄膜;...
[期刊论文] 作者：陈席斌,马淑芳,董海亮,梁建,许并社,,
来源：中国材料进展 年份：2015
采用金属有机化学气相沉积方法在蓝宝石衬底上外延生长GaN基材料，设计并优化外延生长条件，探索单层N型GaN（N—GaN）、多量子阱（MQW）、电子阻挡层（P—AlGaN）、P型GaN（P—GaN）材料对发光二...
[学位论文] 作者：黄飞,,
来源：吉林大学 年份：2005
长期以来,GaN 材料的生长一直是人们的目标。由于热力学的性质和限制,GaN 单晶生长面临着很大的困难。外延方法是研究的重点,但是由于缺乏与之相应的衬底,致使外延GaN材料的...
[学位论文] 作者：尹成功,,
来源：电子科技大学 年份：2014
GaN所具有的独特的半导体特性和GaN HEMTs器件所展现出的巨大的应用前景使得毫米波GaN HEMT器件成为当下研究的热点。对于分析GaN HEMT器件性能和设计MMIC电路,合适的GaN HEM...
[学位论文] 作者：黎文波,,
来源：南昌大学 年份：2014
近年来，以GaN为代表的III族氮化物半导体材料，以其优越的光电特性，成为全世界研究的热点。在固态照明领域，其应用也逐渐广泛，显示出了诱人的前景和广阔的市场价值。GaN基高亮度LED...
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