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[会议论文] 作者：K. H. Choi,K. H. Noh,D. K. Park,K. Y. Sohn,
来源：2011年第三届微电子及等离子体技术国际会议 年份：2011
Selective dry etching of GaAs over Al0.2Ga0.8As semiconductor in pulsed DC BCl3/SF6 plasma was studied for the first time....
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