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[期刊论文] 作者：高学邦,
来源：半导体情报 年份：1996
ＧａＡｓ和ＩｎＰＩＣ技术的新发展──１９９５ＩＥＥＥＧａＡｓＩＣ研讨会述评高学邦（电子部第１３研究所，石家庄，０５００５１）１会议简介１９９５年１０月２９日至１１月１日在美国加利福尼亚州圣地亚哥市召开了...
[期刊论文] 作者：高学邦,
来源：半导体情报 年份：2000
分析了ＭＥＳＦＥＴ和ＰＨＥＭＴ大信号建模的现状，提出了在ＤＣ和脉冲两种状态下通用于ＭＥＳＦＥＴ和ＰＨＥＭＴ的有确Ｉ－Ｖ模型；提出了具有二维Ｃ－Ｖ模型精度的一维Ｃ－Ｖ模型格负载线Ｓ参数测量提取方法，提出了采用改进Ｃｏｌｄ ＦＥＴ测量与提取技术进行管壳......
[期刊论文] 作者：高学邦,
来源：半导体情报 年份：1996
介绍了基于外端口阻抗数据来模拟与优化微波匹配网络的ＣＡＤ方法。该方法已用Ｃ＋＋语言实现，并集成到高频非线性模拟软件ｈｆｎｓ中。...
[期刊论文] 作者：高学邦,
来源：半导体情报 年份：2000
引入了 RF与微波功率器件及放大器的几个新型仿真技术。这些技术可用来优化数字调制信号激励下电路的线性度、优化甲乙类偏置下电路的效率、同时优化电路性能和器件结温以及...
[期刊论文] 作者：刘志军,高学邦,,
来源：半导体技术 年份：2012
介绍了一款高精度大衰减量单片数控衰减器的主要技术指标和设计方法。电路设计基于Agilent ADS微波软件设计环境,采用GaAs HFET工艺技术实现。对开关器件建模流程和数控衰减...
[期刊论文] 作者：韩育,高学邦,
来源：微纳电子技术 年份：2003
针对0.25μm pHEMT器件,建立了其小信号和非线性等效电路模型,采用窄脉冲测试技术提高了深亚微米器件的测试精度,采用改进的Materh模型提高了模型的模拟精度.已建立的两种0.2...
[期刊论文] 作者：冯震,高学邦,
来源：半导体情报 年份：1999
介绍了Ｘ波段１．５Ｗ ＧａＡｓ ＭＭＩＣ的设计，制作和性能测试，包括ＭＥＳＦＥＴ大信号模型的建立，电路ＣＡＤ优化，ＤＯＥ灵敏度分析及Ｔ型栅工艺研究等。微波测试结果为：在频率９．４￣１０．２ＧＨｚ下，输出功率大于３２ｄＢｍ，增益大于１０ｄＢ。......
[期刊论文] 作者：吴洪江,高学邦,
来源：半导体情报 年份：2000
介绍了自主开发的多个完整实用的ＧａＡｓ ＩＣ ＣＡＤ软件，包括微波无源元件建模、微波有源器件测试建模、微波毫米波ＩＣ ＣＡＤ、光电集成电路ＣＡＤ、ＧａＡｓ ＶＨＳＩＣ ＣＡＤ、微波高速ＭＣＭ ＣＡＤ等，并简要介绍了针对ＧａＡｓ工艺线的建库工作......
[期刊论文] 作者：高学邦,高建军,
来源：电子学报 年份：1998
本文提出了一种新的方法有竽微波功率电路的热电一体化设计。该方法是谐波平衡技术的扩展，其特点是同时模拟功率电路的电性能和电路中有源器件的结温，并具有很好的计算效率。该......
[期刊论文] 作者：刘文杰,高学邦,,
来源：半导体技术 年份：2012
介绍了一种宽带放大器芯片,该放大器的工作频率覆盖了2～12 GHz,采用砷化镓(GaAs)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)单片电路工艺实现。在一个宽带负反馈放大器的前面集成了一个幅...
[会议论文] 作者：屠焱,高学邦,
来源：'98全国第七届MIC电路及工艺会议 年份：1998
复包络分析法特别适用于分析现代数字无线通信系统（例如CDMA和TDMA）。该文从器件的角度采用复包络法分析了多音和数字信号激励的非线性电路特性，研究了MESFET中的各个非线性部分......
[会议论文] 作者：冯震,高学邦,
来源：1999年全国微波毫米波会议 年份：1999
...
[期刊论文] 作者：刘文杰,高学邦,,
来源：半导体技术 年份：2013
相对GaAs材料而言,GaN具有更高的击穿电压和更高的功率密度,使得GaN更适合用于宽带功率放大器的设计和实现。采用比GaAs赝配高电子迁移率晶体管更小栅宽的器件,设计和实现了...
[期刊论文] 作者：高学邦,蒋竞棋,
来源：半导体情报 年份：1996
介绍了微波有源器件大信号模型的计算机模拟技术和利用商品化软件ＨＰＭＤＳ提取大信号Ｓ参数的方法。...
[期刊论文] 作者：刘志军,高学邦,吴洪江,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
主要介绍了C波段高增益低噪声单片放大器的设计方法和电路研制结果。电路设计基于Agilent ADS微波设计环境,采用GaAs PHEMT工艺技术实现。为了消除C波段低噪声放大器设计中在...
[期刊论文] 作者：刘文杰, 刘志军, 高学邦,,
来源：半导体技术 年份：2009
介绍了用Agilent ADS软件设计的一种反馈式GaAs MMIC宽带放大器。采用单级GaAs微波场效应管,电路结构上通过并联负反馈的形式增加带宽,可以覆盖2～18GHz频带,增益大于6dB,输入...
[期刊论文] 作者：高学邦,蒋敬旗,
来源：半导体情报 年份：1997
回顾了十年来国内外在ＧａＡｓＦＥＴ大信号模型方面的研究进展，提出了可用于ＭＥＳＦＥＴ和ＨＥＭＴ的统一的精确沟道电流模型。...
[期刊论文] 作者：高学邦,蒋敬旗,
来源：半导体情报 年份：1997
提出适用于功率ＧａＡｓＦＥＴ的新的大信号模型以及脉冲Ｉ－Ｖ和小信号Ｓ参数相结合的整体化参数提取方法。用研制出的大信号建模软件提取了功率ＦＥＴ的大信号模型参数，并用该模型模拟和测量了器件大信号......
[期刊论文] 作者：高学邦,孙先花,
来源：半导体情报 年份：1998
从功率ＦＥＴ大信号建模、功率ＭＭＩＣ设计方法以及ＣＡＤ同工艺因素的结合等方面论述了功率单片电路的ＣＡＤ应用技术。...
[期刊论文] 作者：高学邦,杜红彦,
来源：半导体情报 年份：2000
讨论了开关 Ga As MESFET的开态模型和关态模型 ,介绍了利用高频器件建模软件 Modelling建立 Ga As MESFET开关模型的方法 ,给出了模型模拟与器件测量的曲线和模型参数。...
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