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[学位论文] 作者：金昌连,
来源：厦门大学 年份：2013
近年来，氧化锌(ZnO)是继氮化镓(GaN)和碳化硅(SIC)后，受到广泛研究的新型宽禁带半导体材料，ZnO基半导体由于具有较宽的禁带宽度(3.37eV)和较大的激子束缚能(60meV)等特点，使得其...
[会议论文] 作者：金昌连,王朋,吴雪峰,詹华瀚,康俊勇,
来源：第五届届全国氧化锌学术会议 年份：2011
氧化锌(ZnO)在发光二极管、脉冲二极管和太阳能电池等光电器件方面有很广泛的应用前景.尽管已有许多研究在蓝宝石上长出高质量的ZnO[1],但从光电集成的前景及其工业化应...
[期刊论文] 作者：邓文广,许叶潞,温建辉,黄碧钦,金昌连,
来源：液晶与显示 年份：2021
残像是影响液晶显示器(LCD)面板品质的重要因素,残像的不良改善已成为面板工厂持续性研究课题。残像程度与杂质离子的含量正相关,为了实现对低温多晶硅(LTPS)LCD盒内杂质离子含量的监控,本文系统地对LTPS-LCD面板测试盒测量体系进行了研究,并对该测量体系的稳定......
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