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[期刊论文] 作者：学,
来源：河北工业大学学报 年份：2005
受河北省教育厅资助，由我校刘彩池教授，刘淑英讲师等人承担的重掺杂硅单晶中氧的热行为及内吸除效应科研项目在天津于2004年9月25日通过鉴定．...
[期刊论文] 作者：崔德升,刘彩池,
来源：河北工业大学学报 年份：1997
采用电化学腐蚀法制备多孔硅（ＰＳ），测量了ＰＳ在近红外光（８００ｎｍ）激发下的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＰＬＥ）谱，结果表明ＰＳ具有良好的上转换荧光特性，并随着存放时间的延长，在一定期了内峰值强度有明显的增强......
[期刊论文] 作者：梁李敏, 李英, 刘彩池,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技...
[期刊论文] 作者：任丙彦,刘彩池,等,
来源：人工晶体学报 年份：2000
为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入，对常规的406mm（16英寸）热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统，使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过对热场的数......
[期刊论文] 作者：张帷,刘彩池,郝秋艳,,
来源：半导体技术 年份：2008
Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一，具有宽禁带、高温下物理，化学性质稳定等特点，在光电子，微电子等领域有广泛的应用，降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层......
[期刊论文] 作者：张雯,刘彩池,王海云,
来源：半导体学报 年份：2005
采用回转振荡法，在向导电流体所在空间引入水平可调永磁磁场的条件下，测量研究了导电流体——液态汞（20℃）的粘度．结果表明，液态汞的粘度随磁场强度的增大而增加，二者呈光滑的抛物线......
[期刊论文] 作者：刘彩池, 李养贤, 徐岳生,,
来源：科学通报 年份：1994
近年来,随着半导体缺陷工程的发展,人们极其关注对辐照缺陷的研究.中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的...
[期刊论文] 作者：乔治,刘彩池,史严,张彦立,,
来源：河北工业大学学报 年份：2005
概要介绍了近年来国内外对大直径CZ-Si单晶中空洞型缺陷的研究进展,详细阐述了COPs、LSTDs和FPDs3种空洞型原生缺陷的基本性质、形成过程以及3种消除空洞型缺陷的方法.研究表...
[期刊论文] 作者：梅俊平,王敏,解新建,刘彩池,,
来源：河北工业大学学报 年份：2011
用分子束气相外延生长（MBE）法,通过改变缓冲层AlN的生长时间沉积GaN薄膜.用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、原子力显微镜（AFM）和拉曼光谱仪（Raman Spectroscropy）,测试GaN薄膜的应力......
[期刊论文] 作者：梁李敏,刘彩池,解新建,王清周,,
来源：材料导报 年份：2010
概述了GaN异质外延生长中衬底的选择以及缺陷的形成机理，从缓冲层技术、横向外延技术、柔性衬底技术等生长工艺方面综述了国内外GaN基半导体薄膜生长的最新研究和进展，并对其优......
[期刊论文] 作者：梁李敏,解新建,郝秋艳,田园,刘彩池,
来源：人工晶体学报 年份：2012
本文对10 MeV电子辐照的GaN进行了不同温度的热退火处理。用光致发光谱和霍尔测量了样品的光电性能随退火温度的变化。实验结果表明：黄光带强度、电子浓度和电子迁移率随退火...
[期刊论文] 作者：任丙彦,刘彩池,张志成,郝秋艳,
来源：人工晶体学报 年份：2000
为了降低大直径硅单晶生长过程中氧的引入 ,对常规的 4 0 6mm(16英寸 )热场进行了改造。设计了以矮加热器为核心的复合式加热器系统 ,使晶体生长过程中熔体热对流减小。通过...
[期刊论文] 作者：刘金颖, 李宁, 任丙彦, 刘彩池,,
来源：太阳能学报 年份：2017
采用PC1D模拟软件模拟不同少子寿命的硅片条件下电阻率、扩散方块电阻、结深对n-PERC电池性能的影响。结果表明,随着硅片少子寿命的延长,电池效率提高。通过对实际生产中少子...
[期刊论文] 作者：王海云,刘红艳,徐岳生,刘彩池,,
来源：现代仪器 年份：2007
本文采用X射线衍射仪（XRD）,通过异常透射对半绝缘砷化镓（SI-GaAs）的形貌及缺陷进行研究。在没有特殊工艺措施的情况下,LEC法生产的SI-GaAs单晶片的周边区域,都存在有高密度位错的...
[会议论文] 作者：孙世龙, 刘彩池, 赵丽伟, 滕晓云,,
来源： 年份：2005
对重掺硼硅片快速热处理,发现快速热处理有效地促进了氧沉淀的生成,并获得一定的清洁区。随着快速热处理温度的升高,氧沉淀的密度在减小,清洁区逐渐出现。较低的温度下,对重...
[期刊论文] 作者：朱军山,徐岳生,刘彩池,洪在地,
来源：家电科技 年份：2005
本文介绍一种实用的太阳能冰箱.通过光伏电池转换,把太阳能转换成电能.我们在吸取国内外已有研究成果的基础上优化整个系统,使这种冰箱完全不用电网电能,并且可以连续工作.将...
[期刊论文] 作者：王立建,刘彩池,孙海知,郝秋艳,
来源：光电子．激光 年份：2007
采用酸腐多晶Si片的方法，获得了各向同性的表面织构。酸腐蚀液选取HF-HNO3混合溶液，并用H3PO4进行改良。分别利用扫描电镜（SEM）和光谱响应系统，分析了腐蚀后多晶Si片的表面形貌和......
[期刊论文] 作者：赵彦桥,刘彩池,郝秋艳,孙卫忠,
来源：半导体学报 年份：2007
利用化学腐蚀法对直径150mm LEC SI-GaAs单晶片进行腐蚀,并用金相显微镜对腐蚀后的样品进行检测.在样品中发现了不同形貌的位错和微缺陷,其中球形微缺陷和胞状位错尤为常见....
[期刊论文] 作者：梁李敏, 解新建, 刘辉, 田园, 郝秋艳, 刘彩池,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：乔治,解新建,刘辉,梁李敏,郝秋艳,刘彩池,
来源：人工晶体学报 年份：2015
采用RF-PECVD法在低温低功率密度下制备了p型nc-Si∶H薄膜,并系统地研究了硼掺杂对薄膜微结构及光电性能的影响。结果表明：由于＂硼掺杂效应＂,随着掺硼比的增大,nc-Si∶H薄膜的晶...
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