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[期刊论文] 作者：丁志博,王琦,王坤,王欢,陈田祥,张国义,姚淑德,
来源：物理学报 年份：2007
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术以蓝宝石为衬底在n型GaN单晶层上生长了InGaN/GaN多量子阱结构外延薄膜,利用高分辨X射线衍射(HRXRD),卢瑟福背散射/沟道(RBS/channeling...
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