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[期刊论文] 作者：E.M.Monlerg,郑松龄,,
来源：半导体情报 年份：1989
对垂直梯度凝固法(VGF)和液封直拉法(LCE)生长的InP单晶片进行了研究,并作了全面质量比较。用来表征缺陷结构的方法有:1)腐蚀法揭示位错。2)透射X射线形貌术(TXRT)。3)透射阴...
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