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[期刊论文] 作者：N．Kumar,S．Chu,D．L．Diehl,K．Maek,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
随着金属导线线宽的不断缩小,在90 nm技术以下,刻蚀残留物的存在会在应力迁移测试中形成高通孔电阻和空洞成核现象.物理氩离子预清洗是一种去除残留物的有效方法.但在应力迁...
[期刊论文] 作者：N.Kumar, D.L.Diehl, K.Maekawa,K.Mori,K.Kobayashi,M.Yoneda,
来源：电子工业专用设备 年份：2005
随着金属导线线宽的不断缩小,在90nm 技术以下,刻蚀残留物的存在会在应力迁移测试中形成高通孔电阻和空洞成核现象。物理氩离子预清洗是一种去除残留物的有效方法。但在应力...
IMPROVEMENT IN PARAMETRIC AND RELIABILITY PERFORMANCE OF 90NM DUAL -DAMASCENE INTERCONNECTS USING AR
[期刊论文] 作者：N.Kumar,S.Chu,D.L.Diehl,K.Maekawa,K.Mori,K.Kobayashi,M.Yoneda,,
来源：集成电路应用 年份：2005
As interconnects shrink beyond 90nm node, the presence of etch residues can createhigh via resistance and void nucleation during stress migration (SM) testing....
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