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[学位论文] 作者:高本良,, 来源:长春理工大学 年份:2009
由于GaAs衬底与InGaAsSb的平均晶格参数存在7%的晶格失配,论文通过系列实验研究了GaSb、AlSb缓冲层技术:通过优化GaSb、AlSb缓冲层的Ⅴ/Ⅲ比、生长温度以及生长厚度等参数,得...
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