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[学位论文] 作者：高文钰,,
来源：延边大学 年份：2018
2017年国家教育部公布了新的普通高中地理课程标准,其中提出了培养学生地理核心素养,在地理核心素养的培养策略中有一条是“注重学科逻辑和核心素养培养的融合”并且在新的课...
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,
来源：半导体学报 年份：1992
本文研究了MOSFET的电离辐照效应,给出了辐照在MOSFET栅介质中引起氧化物电荷对阈电压的贡献与辐照剂量和栅偏置电场的相互依赖关系.结果表明,辐照引起的氧化物电荷与管子的...
[期刊论文] 作者：高文钰,刘忠立,
来源：半导体学报 年份：1999
实验研究了硅表面清洗方式对７ｎｍ热氧化ＳｉＯ２栅介质可靠性的影响。结果表明，稀ＨＦ酸漂洗后ＲＣＡ清洗时降低ＳＣ１（ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ）温度对提高栅介质可靠性有利，但仍不如用ＳＣ２（ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ／Ｈ２Ｏ）或Ｈ２ＳＯ４／Ｈ２Ｏ２清洗效果好。......
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,
来源：半导体学报 年份：1996
本文研究了Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的ＭＯＳ结构损伤及其室温退火。结果表明有四种损伤产生，氧化物正电荷建立，Ｓｉ／ＳｉＯ２快界面态增长，慢界面态产生和栅介质电容下降，当终止应力后，前三种损伤在室温下有所......
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,
来源：半导体学报 年份：1995
研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响。结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３－０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型。分析认为慢界面态对应的微观缺陷很可......
[期刊论文] 作者：高文钰,大西一功,
来源：半导体学报 年份：1996
通过测量高频Ｃ－Ｖ迟滞曲线研究了ＭＯＳ电容中慢界面态的特性，发现经后退火（ＰＭＡ）前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级，但ＰＭＡ后完全消失，相反，Ｆｏｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｍ高电场应力引起的慢界面态能高于禁带中央，并探讨......
[期刊论文] 作者：高文钰,张兴,等,
来源：半导体学报 年份：2001
采用栅氧化前硅有面在H2SO4／H2O2中形成化学氧化层方法和氮气稀释氧化制备的3．2，4和6nm的SiO2超薄栅介质，并研究了其特性，实验结果表明，恒流应力下3．2和4nm栅介质发生软击穿现象，随着......
[期刊论文] 作者：高文钰,刘忠立,
来源：半导体学报 年份：1999
实验研究表明热生长１３ｎｍ薄ＳｉＯ２的可靠性同氧化前硅表面清洗处理方法有很大关系。氧化前稀ＨＦ酸及ＨＦ／乙醇漂洗不会提高热氧化薄ＳｉＯ２的可靠性；氧化前用ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ（０．０５：２：５）溶液清洗形成化学预氧化层对提高薄ＳｉＯ２可靠性很有......
[期刊论文] 作者：高文钰,刘忠立,
来源：电子学报 年份：1999
采用表沟ｐ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ代替埋沟ｎ＋多晶硅栅／ＰＭＯＳＦＥＴ具有易于调节阈值电压、降低短沟效应和提高器件开关特性的优点，因而在深亚微米ＣＭＯＳ工艺中被采纳．但是多晶硅掺杂后的高温工艺过程会使硼杂质扩散......
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,
来源：核技术 年份：1991
本工作采用TVS测量技术,系统地研究了铝栅MOS电容中可动离子数目随~(69)Co γ辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。结果表明:辐照后可动离子减少,对干氧通TCE和纯干氧栅氧化电...
[期刊论文] 作者：任迪远,高文钰,
来源：核技术 年份：1994
介绍用于测量ＭＯＳ电容、ＭＯＳＦＥＴ、半导体元器件和集成电路辐照效应的微机测试系统及其功能，并给出该系统在半导体辐射损伤研究甲的应用实例．...
[期刊论文] 作者：赵春子,高文钰,
来源：科教导刊 年份：2021
具有阅读地理图像的能力是学生具备地理逻辑思维能力的关键.通过对吉林省延吉市某高中学生阅读地理图像现状进行问卷调查,结合师生访谈总结在培养学生地理逻辑思维能力过程中...
[期刊论文] 作者：高文钰,刘忠立,等,
来源：半导体学报 年份：2001
实验研究表明，多晶硅后的高温退火明显引起热SiO2栅介质击穿电荷降低和FN应力下电子陷阱产生速率增加，采用N2O氮化则可完全消除这些退化效应，而且氮化栅介质性能随着退火时间增......
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,范隆,
来源：核技术 年份：1991
本工作采用TVS测量技术,系统地研究了铝栅MOS电容中可动离子数目随~(69)Co γ辐照剂量和辐照所加偏压的变化关系。结果表明:辐照后可动离子减少,对干氧通TCE和纯干氧栅氧化电...
[期刊论文] 作者：高文钰,赵春子,董玉芝,
来源：现代中小学教育 年份：2018
美国德克萨斯州McDOUGAL LITTELL出版社出版的作为《世界地理》教材的辅助用书,旨在帮助学生读懂和理解《世界地理》教材。该书突出指导作用,不仅辅助教师教学,同时指导学生...
[会议论文] 作者：高文钰,严荣良,余学峰,
来源：中国电子学会电子产品可靠性与质量管理学会第五届学术年会 年份：1990
...
[会议论文] 作者：高文钰,刘忠立,和致经,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
实验研究表明８７５°Ｃ下Ｎ〈，２〉Ｏ退火氮化可明显改善７ｎｍＳｉＯ〈，２〉栅介质可靠性。氮化栅介质抗ＦＮ应力损伤能力增强，表现为Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态产生受到抑制、体内电子陷井产生速率降低、空穴和电子俘获陷阱减少；氮......
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,大西一功,
来源：半导体学报 年份：1996
通过测量高频Ｃ－Ｖ迟滞曲线研究了ＭＯＳ电容中慢界面态的特性．发现金属化后退火（ＰＭＡ）前电容中的慢界面态分布在禁带中央以下的能级，但ＰＭＡ后完全消失；相反，ＦｏｗｌｅｒＮｏｒｄｈｅｉｍ高电场应力引起的慢界面态能级高于禁带中央......
[期刊论文] 作者：高文钰,严荣良,任迪远,
来源：半导体学报 年份：1995
研究了γ辐照感生Ｓｉ／ＳｉＯ２慢界面态的特性及其对高频Ｃ－Ｖ测试的影响．结果表明，辐照产生的慢界面态为界面态的０．３—０．８，分布在Ｓｉ禁带中央以上的能级或呈现受主型．分析认为慢界面态对应的的微观缺陷很可......
[会议论文] 作者：高文钰,刘忠立,和致经,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
实验研究表明８７５°Ｃ下Ｎ〈，２〉Ｏ退火氮化可明显改善７ｎｍＳｉＯ〈，２〉栅介质可靠性。氮化栅介质抗ＦＮ应力损伤能力增强，表现为Ｓｉ／ＳｉＯ２界面态产生受到抑制、体内电子陷井产生速率降低、空穴和电子俘获陷阱减少；氮化降低栅介质内是缺陷密度，提高了栅介质本征击穿性能和完整性；氮化栅介质还表现较强的防......
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