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[期刊论文] 作者:徐雯阁,, 来源:艺术教育 年份:2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”$ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’#陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者:纵雯阁,, 来源:中国校外教育 年份:2014
良好的习惯是学生终身的财富,亦是学生终身发展所必须的条件。尤其是小学阶段是促使学生形成良好习惯的最佳时期。而小学科学教育旨在培养学生的科学素养,而良好的习惯对培养...
[期刊论文] 作者:纵雯阁, 来源:安徽教育科研 年份:2021
摘要:应素质教育的发展和新课改的要求,科学课越来越被大众所重视。科学实验是科学课程的重要内容,通过实验,教师能够有效培养小学生的综合素质,激发学生的思维。小学教师需要在新课改的要求下,结合学生实际的学习情况,在实验教学方面进行相应的改革,以提高学生的思维能......
[期刊论文] 作者:纵雯阁, 来源:新课程学习·下旬 年份:2013
随着新课改的不断深入发展,小学科学的教学方法不断地得以改进,但在实际教学中教学的重点仍然是过多地重视科学知识的讲授,虽然很多教师也都开始采用探究式教学,但由于探究方法的......
[期刊论文] 作者:徐雯阁,, 来源:文化月刊 年份:2017
随着新农村建设的不断发展,人们的生活水平极大改善,物质生活日益得到满足,于是开始追求精神文化建设。本文主要探讨了在新形势下如何开展基层群众文化工作,以此来满足人们的...
[学位论文] 作者:段雯阁, 来源:西安理工大学 年份:2023
基于GaN材料的AlGaN/GaN HEMT器件拥有高迁移率、高击穿电压、低导通电阻与耐高温等优异特性,已成为功率半导体领域研究热点。器件阻断能力与理论极限相比差距较大,未能充分发挥GaN材料高临界击穿电场特性。论文提出两种改善器件击穿特性的结构,主要内容如下:1......
[期刊论文] 作者:冬莉,雯阁,, 来源:黑河学刊 年份:1991
最近,黑龙江人民出版社出版了李兴盛的又一部学术专著《东北流人史》。李兴盛现为黑龙江省社科院历史所副研究员。多年来,他一直致力于东北古代史,尤其是东北流人史和东北历...
[期刊论文] 作者:孟令杰,戴雯阁, 来源:黑龙江财会 年份:1999
[期刊论文] 作者:刘静,段雯阁,王琳倩,张艳, 来源:电力电子技术 年份:2020
提出一种新型氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)结构改善器件的电流崩塌效应,对新结构器件的电流崩塌效应改善机制和有效性进行研究。靠近漏端的电场峰值是引起HEMT电流崩...
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