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[期刊论文] 作者：陈记安,
来源：激光与红外 年份：1990
本文综述MOCVD法生长HgCdTe薄膜晶体技术是生长超品格的需要,介绍了国内外的发展过程及本法的特点。目前在生长HgCdTe外延层方面存在的主要问题是外延层和衬底之间的互扩散和...
[期刊论文] 作者：陈记安,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
测量x值的方法有13种,但都存在一些缺点。电阻判别法的原理是基于半导体具有一定的电阻,它与晶体的结构以及能带、电阻率、迁移率、载流子浓度、缺陷等有关,而Hg_(1-x)Cd_xT...
[期刊论文] 作者：丁永庆,陈记安,
来源：稀有金属 年份：1993
用改进的 MOCVD 装置成功地在 GaAs 衬底上生长了 CdTe 过渡层,获得了适合于生长Hg_(1-x) Cd_xTe(CMT)的 CdTe/GaAs 复合衬底材料。所得 CMT 的 x 值可在0.2～0.8之间变化,其电...
[期刊论文] 作者：杨臣华,陈记安,,
来源：功能材料 年份：1991
本文简述MOCVD法生长HgCdTe晶膜的优点。采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/GaAs外延片。研究了生长HgCdTe生长速率与衬底温度的关系,DETe和DMCd源分压对生长速率的影响,...
[期刊论文] 作者：陈记安,刘克岳,
来源：红外与激光技术 年份：1995
本文采用有机偶然性沉积法在ＣａＡｓ衬底上先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层ｘ＝０．２、ｘ＝０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜工艺条件，总结出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性，厚度、表面形貌，结构和电性能。......
[期刊论文] 作者：李肇瑞,陈记安,,
来源：激光与红外 年份：2004
利用Te溶剂法生长x=0.2的Hg_(1-x)Cd_xTe晶体在300K和77K下的定点霍耳测量。其电阻率ρ的轴向分布和x光萤光光谱法所获x值的轴向分布具有相对应的关系,利用Drude-Lorentz理论...
[期刊论文] 作者：陈记安,杨焕文,,
来源：激光与红外 年份：1980
本文扼要叙述碲溶剂法生长高质量、组分均匀的碲镉汞晶体的工艺;着重说明本法具有:降低长晶温度,减少爆炸;拉平长晶时的固-液界面,改善晶体径向均匀性和区域提纯而提高晶体本...
[期刊论文] 作者：常引秀,韩季之,陈记安,,
来源：激光与红外 年份：2004
本文对碲镉汞单晶固溶体作了红外吸收谱的观测。按照Schmit经验公式,用所得“本征吸收边”对镉含量的x值进行了换算;与原子吸收测得值进行了对照;换算了77K下的截止波长,并与...
[期刊论文] 作者：赖德生,关振东,陈记安,,
来源：激光与红外 年份：2004
红外器件材料Hg_(1-x)Cd_xTe是CdTe,HgTe两种化合物以化学计量比配制的连续固溶体。这种三元合金半导体在生长中存在一系列问题。为获得一定波长的红外器件,必须把生长的晶...
[期刊论文] 作者：陈记安,关振东,赖德生,,
来源：激光与红外 年份：1986
1.引言1958年Rcuhrwein提出了用金属烷基化合物制成薄膜的技术称为MOCVD法(金属有机化学汽相沉积),或称MOVPE(有机金属汽相外延)。1968年英国Hansevit开始对化合物半导体单...
[会议论文] 作者：陈记安,王金义,赵乐敏,
来源：1989年全国碲镉汞技术交流会 年份：1989
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[会议论文] 作者：陈记安,赖德生,余惠玲,
来源：第七届红外技术会议 年份：1986
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[期刊论文] 作者：陈记安,杨臣华,丁永庆,彭瑞伍,
来源：激光与红外 年份：1990
本文用多种方法分析MOCVD外延片的表面形貌、结晶性、界面和缺陷、组分和其均匀性,电、光性能。在15×15mm2面积上,HgCdTe外延层表面形貌较好,为单晶。CdTe和HgCdTe外延...
[期刊论文] 作者：丁永庆,彭瑞伍,陈记安,杨臣华,
来源：激光与红外 年份：1990
用自已设计的MOCVD设备,国产的DMCd和DETe金属有机源,采用变通的多层互扩散工艺生长了HgCdTe/CdTe/GaAs外延片,获得良好的n型HgCdTe外延层。研究了生长速率与温度的关系;组份...
[期刊论文] 作者：关振东,赖德生,陈记安,余惠玲,,
来源：激光与红外 年份：1985
一、前言资料[1]介绍了富碲碲镉汞液相温度的测量方法。本文在此基础上为液相外延膜生长工艺的研究提供了富碲(Hg_(1-x)Cd_x)_(1-y)Te_y区域相图。为获得消除富碲存在时的过...
[期刊论文] 作者：陈记安,刘克岳,李贤春,赵振香,
来源：红外与激光技术 年份：1995
本文采用有机金属沉积（ＭＯＣＶＤ）法在ＣａＡｓ衬底上率先开展生长双色ＨｇＣｄＴｅ材料的研究，总结了生长ＣｄＴｅ缓冲层和隔离层、ｘ≈０．２、ｘ≈０．３的ＨｇＣｄＴｅ晶膜的工艺条件，并给出了ＨｇＣｄＴｅ双色材料的组分均匀性、厚度、表面形貌、结构和电性......
[期刊论文] 作者：陈记安,赖德生,余惠玲,关振东,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
掌握富Te碲镉汞母液的动态液相温度,对提高外延生长成膜率具有重要意义。本文报道在碲镉汞液相外延生长动态环境中,应用差热分析法测定母液的液相温度。动态测量会遇到许多...
[期刊论文] 作者：丁永庆,彭瑞伍,陈记安,杨臣华,陈美霓,,
来源：Rare Metals 年份：1992
When we use MOCVD technique,an excellent CdTe epi-layer was grown on GaAs substrates and theCdTe/GaAs hybrid substrates suitable for growing Hg1-xCd...
[期刊论文] 作者：丁永庆,彭瑞伍,陈记安,杨臣华,陈美霓,
来源：稀有金属 年份：1993
用改进的 MOCVD 装置成功地在 GaAs 衬底上生长了 CdTe 过渡层,获得了适合于生长Hg_(1-x) Cd_xTe(CMT)的 CdTe/GaAs 复合衬底材料。所得 CMT 的 x 值可在0.2～0.8之间变化,其电...
[期刊论文] 作者：杨臣华,陈记安,关振东,丁永庆,彭瑞伍,,
来源：激光与红外 年份：1987
本研究项目由电子部科技司下达。本工作是国内首次采用自行研制的MOCVD设备在GaAs和CdTe衬底上生长Ⅱ-Ⅵ族化合物——CdTe外延层。所采用的有机金属源——二甲基镉和二乙基碲...
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