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[学位论文] 作者：阚保涛,
来源：浙江大学 年份：2012
作为一种直接带隙结构的Ⅱ-Ⅵ族新型宽禁带半导体材料，室温下ZnO的禁带宽度为3.37eV，激子束缚能高达60meV。另外，ZnO还具有原料丰富、成本低廉、自然环保等优点，使其在紫外光电领......
[学位论文] 作者：阚保涛,
来源：浙江大学 年份：2018
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[期刊论文] 作者：阚保涛,汪鑫,叶春丽,吕建国,叶志镇,,
来源：发光学报 年份：2011
以六亚甲基四胺和硝酸锌为原料,采用水热法在90℃条件下反应24 h,于Si衬底上制备出一维ZnO纳米梭材料。采用场发射扫描电镜、X射线衍射仪和高分辨透射电镜等方法对样品形貌和...
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