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[学位论文] 作者：闵嘉华,
来源：上海大学 年份：2001
半导体纳米微晶随其尺寸的减小,显示出与体材料截然不同的特异性质,在超高速的光运算、光开关、光信息存储以及发光显示等领域具有广阔的应用前景,可望成为新一代固态电子、...
[学位论文] 作者：闵嘉华,
来源：上海大学 年份：2006
CdZnTe(CZT)核辐射探测器具有较高的探测效率和较好的能量分辨率，广泛应用于X、γ射线探测和成像装置，在国家安全防务、核探测、核控制、天体物理以及医学等领域具有巨大的应用...
[期刊论文] 作者：史伟民,闵嘉华,
来源：上海大学学报：自然科学版 年份：2000
从热力学角度对ＬＰＥ中同时 Ｓｉ氧化与ＳｉＯ２腐蚀的动态平衡过程进行了分析，表明在Ｓｉ的低温同质液相外延中，一般的ＬＰＥ条件很难解决防止Ｓｉ的氧化问题。作者尝试采用饱和Ｓｎ源保护Ｓｉ衬底的方法来解决硅氧化......
[期刊论文] 作者：方雅珂,桑文斌,闵嘉华,
来源：无机材料学报 年份：2004
用化学腐蚀的方法研究TeO2晶体(110)面和(001)面位错蚀坑的形貌,结合晶面极图,并运用对称群理论进行分析论证,理论分析与实验结果相一致.实验结果同时显示,TeO2晶体位错腐蚀...
[期刊论文] 作者：陈龙,桑文斌,闵嘉华,郭昀,
来源：人工晶体学报 年份：2005
本文通过CZ法生长钼酸铅单晶,讨论了温度梯度、拉速、转速等生长参数对晶体质量的影响,分析了晶体开裂、包裹物等宏观缺陷以及位错等微观缺陷的形成机理,并从晶体形态、包裹...
[期刊论文] 作者：王焱,闵嘉华,梁小燕,张继军,
来源：功能材料 年份：2011
运用有限元分析软件Comsol Multiphys-ics,结合晶体生长固液界面曲率分析法,模拟了垂直布里奇曼法生长Cd0.9Zn0.1Te（CZT）晶体。研究了固液界面处曲率变化对于溶质径向偏析的影...
[期刊论文] 作者：王焱,闵嘉华,梁小燕,张继军,
来源：功能材料与器件学报 年份：2004
本文采用有限元分析法,应用软件COMSOL,对Cd0.9Zn0.1Te (CZT)晶体垂直布里奇曼生长法进行模拟计算.为了研究固液界面过冷度的影响,通过改进传统的晶体生长模型只考虑热传导和...
[期刊论文] 作者：沈悦, 张文竹, 闵嘉华, 王林军,,
来源：教育教学论坛 年份：2018
以应届本科毕业生为主的全日制专业硕士研究生培养模式是一种新型的研究生教育方式,本文结合上海大学集成电路工程专业硕士点近十年的培养工作,从教学、日常管理、实习实践等...
[期刊论文] 作者：张斌,桑文斌,李万万,闵嘉华,
来源：半导体学报 年份：2004
对于未掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片，采用在Cd／Zn气氛下，以In作为气相掺杂源进行热处理；而对于低阻In—Cd0.9Zn0.1Te晶片，则采用在Te气氛下进行热处理．分别研究了不同的热处理条件，包括温度......
[期刊论文] 作者：孟利敏,闵嘉华,梁小燕,钱永彪,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2012
借助有限元模拟仿真软件ANSYS,研究分析了不同的封装体、芯片和框架厚度,以及散热底和芯片基岛尺寸对于小尺寸两边扁平无引脚(DFN)封装器件在回流焊温度条件下的热应力及翘曲...
[期刊论文] 作者：刘洪涛,桑文斌,李万万,闵嘉华,李刚,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2007
利用控制In气氛下的热处理工艺成功地制备了CdZnTe：In。不同In压下（Cd，Zn分压保持在平衡分压）的热处理实验结果表明：热处理后样品的电阻率可从6．75×10^5Ω·cm提高到10^8～1...
[期刊论文] 作者：陈军, 闵嘉华, 梁小燕, 张继军, 王东, 李辉,,
来源：人工晶体学报 年份：2010
采用原子力显微镜(AFM)、椭圆偏振光谱仪、Dage-Pc2400推理分析等测试方法研究了石英坩埚真空镀膜工艺获得的碳膜的表面状态、粗糙度,碳膜和石英坩埚的结合力,确定了用于CdZn...
[期刊论文] 作者：刘洪涛,桑文斌,袁铮,闵嘉华,詹峰,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2007
采用有限元方法，对晶体结晶结束位置处的晶体内部热应力分布进行了数值模拟，结果表明：晶体在石英安瓿内壁附近，变径处以及头部尖端处的热应力较大，应力值约在10^8N／m^2数量级，晶体中......
[期刊论文] 作者：魏哨静,梅年松,张钊锋,闵嘉华,,
来源：微电子学与计算机 年份：2017
针对于传统电荷泵结构存在的阈值压降和受体效应影响的问题,在传统四相时钟电荷泵结构基础上通过增加衬底自举电容及辅助管增大传输管的衬底电压,降低体效应的影响,提升了电...
[期刊论文] 作者：郭昀,夏义本,闵嘉华,赵岳,王斌,,
来源：无机材料学报 年份：2010
采用极性电气石（0001）晶面作为生长衬底,通过超声雾化热解技术,制备出直立片状晶体交叉构成的纳米ZnO薄膜,XRD和Raman测试显示晶体为六方纤锌矿结构.利用电子探针和穆斯堡尔谱,...
[期刊论文] 作者：赵岳 曹萌 施凌云 王林军 闵嘉华,
来源：文教资料 年份：2016
摘 要： 提高本科生的教育质量，使本科生不仅具有较高的专业素养，而且具有一定的自学能力和创新能力，是解决目前社会经济技术发展需求的必要措施。为提高本科生的整体质量，从目前本科生教育中存在的问题入手，提出若干用于提高本科生教育质量的办法。 关键词： 工科本......
[期刊论文] 作者：李万万,桑文斌,王昆黍,闵嘉华,张斌,
来源：上海有色金属 年份：2004
介绍了CdZnTe晶体作为γ 和X 射线探测器的优点和国内外的研究现状。概括了生长CdZnTe晶体的主要方法及其特点,总结了使用CdZnTe晶体制作的γ 和X 射线探测器的几种主要形式...
[会议论文] 作者：张滢,闵嘉华,梁小燕,张继军,李明,毛祎斐,
来源：第十五届全国固体薄膜学术会议 年份：2016
CdZnTe是一种性能优异的直接禁带半导体材料,具有直接跃迁能带结构的功能,改变Zn的百分比x,会有不同的用途。它具有如下优异性能：对X、γ射线具有较高的探测效率,能量分辨率很高,在室温下就可以正常工作。......
[期刊论文] 作者：李万万,桑文斌,闵嘉华,郁芳,张斌,王昆黍,
来源：半导体光电 年份：2003
表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关.研究了化学钝化的工艺条件对CdZnTe表面状态...
[期刊论文] 作者：邹荣,闵嘉华,储楚,梁小燕,张涛,滕家琪,,
来源：上海大学学报(自然科学版) 年份：2013
为提高0．35um30_40_50VBCD（bipolar—CMOS—DMOS）I艺下50VHVPMOS的电学性能，在不改变工艺流程的基础上，仅通过微调器件结构尺寸来实现电学性能的优化．采用Silvaco公司的工艺与器件...
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