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[期刊论文] 作者：钟战天,
来源：真空科学与技术 年份：1989
采用俄歇电子谱研究了热处理GaAs(110)表面与氧的相互作用。热处理GaAs表面吸附氧后,Ga俄歇峰向低能移动表明氧与表面Ga原子形成化学键。通过氧俄歇峰强度与氧暴露量的关系和...
[期刊论文] 作者：钟战天,
来源：真空科学与技术 年份：1987
一、引言我们研制的表面分析联合谱仪具有LEED,RHEED,AES和光电子发射产额谱仪(PYS)等表面分析器,并带有分子束外延设备以便进行亚原子层金属淀积和生长各种理想表面。这是...
[期刊论文] 作者：钟战天,
来源：真空科学与技术 年份：1986
光电子发射产额谱仪(PYS)是高灵敏度和高能量分辨率的表面分析仪器,能够探测半导体带隙和价带顶附近精细电子态,直接提供此处满表面态的分布形状和精确测量功函数等半导体重...
[期刊论文] 作者：钟战天,周小川,
来源：半导体学报 年份：1992
探测器采用50周期GaAs/Al_(0.3)Ga_(0.7)As多量子阱结构的分子束外延材料,并制成直径为320μm的台面型式单管.其器件主要性能和指标如下:探测峰值波长为 9.2 μm,工作温度为7...
[期刊论文] 作者：钟战天,崔玉德,
来源：功能材料与器件学报 年份：1996
在配有液Ｎ２冷却Ａｓ快门的分子束外延设备中利用迁殉增强外延（ＭＥＥ）方法于低温下生长了ＧａＡｓ／Ａｌ／ＧａＡｓ结构材料。俄歇测量结果表明：用ＭＥＥ方法生长 材料中Ａｌ和ＧａＡｓ之间的互扩散大大减小，在５００℃热处理后也没有引起多大......
[期刊论文] 作者：钟战天,吴冰清,
来源：功能材料与器件学报 年份：1995
利用二次离子质谱系统地研究了生长温度，Ａｌ组分Ｘ值和Ａｓ４夺强对Ｓｉδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ时，随着生长温度的提高或Ａｌ组份Ｘ值增加，Ｓｉ掺杂分......
[期刊论文] 作者：杜全钢,钟战天,
来源：半导体学报 年份：1994
本文报道ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ多量子阱长波长红外探测器材料的制备及其性能，这种材料由ＧａＡｓ阱和ＡｌＧａＡｓ势垒组成，阱内ｎ型掺杂，具有５０个周期，利用分子束处延技术成功地生长出大面积（φ２英寸）均匀（厚度△ｔｍａｘ／ｔ≤３％，组分△ｘｍａｘ／ｘ≤３．４％，掺杂浓......
[期刊论文] 作者：钟战天,吴冰清,
来源：真空科学与技术 年份：1996
利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）和电化学剖面Ｃ－Ｖ方法研究了生长温度对ＧａＡｓ中理想Ｓｉδ掺杂的结构的偏离和掺杂原子电微活效率的影响。实验发现，外延生长Ｓｉδ掺杂，ＧａＡｓ时，随着生长温度的升高，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰非对称展......
[期刊论文] 作者：钟战天,王大文,
来源：半导体学报 年份：1990
利用自己研制的具有分子束外延系统的表面分析联合谱仪研究了氧与Si(100)—As表面的相互作用。本文进一步证实了As层是Si表面的很好的钝化层,并首次研究了Si(100)—As表面的...
[会议论文] 作者：钟战天,陈维德,
来源：'98全国材料表面与界面的科学与工程研讨会 年份：1998
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[期刊论文] 作者：钟战天,杨鸿展,金维新,
来源：真空科学与技术 年份：1989
使用自己研制的带有MBE系统的表面联合谱仪进行生长和研究GaAs/Si异质结。Si衬底经过重复氧化和去氧的化学腐蚀,随后热处理得到清洁完整的表面。Si上外延GaAs薄膜的生长过程...
[期刊论文] 作者：钟战天,金维新,何树声,
来源：稀有金属 年份：1987
采用XPS测量了GaAs_1-xPx固溶体的芯能级和价带光电子谱。实验结果表明,根据Ga-3d,As-3d和P-2p的发射峰强度可以定量地确定组分比x值。随着磷含量的增加,Ga-3d能级的结合能和...
[期刊论文] 作者：邢益荣,钟战天,沈光地,
来源：半导体学报 年份：2004
利用 Mg Ka X射线作为激发源,对 a-Si:(Cl,H)薄膜进行了 PESIS研究.样品是采用辉光放电方法在SiCl_4-SiH_4-H_2混合气体中,当石墨衬底温度为350℃时生长的.实验发现,薄膜中的...
[期刊论文] 作者：钟战天,周小川,杜全钢,朱勤生,
来源：真空科学与技术 年份：1992
在半导体超晶格研究基础上,发展了以量子阱内电子由束缚基态至势垒顶附近连续态跃迁为机理的长波长红外探测器,这也是近几年来发展的一种新型红外探测器。它具有响应速...
[期刊论文] 作者：王大文,钟战天,范越,牟善明,
来源：真空科学与技术学报 年份：1990
利用XPS研究了Au在不同状态GaAs表面上的淀积模式。实验结果表明,在状态不同的GaAs表面上室温淀积Au时,它以类似于Stranskl—Krastanow模式进行生长,均存在一初始覆盖层,该层...
[期刊论文] 作者：王大文,钟战天,范越,牟善明,
来源：真空科学与技术 年份：1990
利用XPS研究了表面处理方式及热退火对Au/GaAs界面的影响。结果指出,随着淀积的进行,Au本身将从初始类原子态过渡到金属态,前者的芯能级位置随GaAs表面处理方式的不同而不同...
[期刊论文] 作者：钟战天,王大文,范越,李承芳,
来源：半导体学报 年份：2004
利用自己研制的具有分子束外延系统的表面分析联合谱仪研究了氧与Si(100)—As表面的相互作用。本文进一步证实了As层是Si表面的很好的钝化层,并首次研究了Si(100)—As表面的...
[期刊论文] 作者：钟战天,邢益荣,沈光地,戴国瑞,姜秀英,
来源：稀有金属 年份：1989
为了发展GaAs材料的电子器件和集成电路,必须解决怎样在GaAs表面上生长高质量的自体氧化膜的问题。目前,很多人都在这方面进行研究。更多还原...
[期刊论文] 作者：戴国瑞,姜秀英,钟战天,沈光地,邢益荣,
来源：发光学报 年份：1986
本文首次利用AES和XPS分析了闭管热氧化法生长GaAs自体氧化膜及其界面组成,其主要成分是Ga_2O_3和元素As,少量的As_2O_3分布在氧化层的外侧,从而推断出As_2O_3是本反应的氧化...
[期刊论文] 作者：钟战天,陈宗圭,邢益荣,孙殿照,沈光地,
来源：半导体学报 年份：1986
利用分子束外延(MBE)设备生长了AI/GaAs(100)肖特基结.通过C-V和I-V电学特性测量看到,肖特基势垒高度随热处理温度上升而增高(≤450℃).同时利用AES和XPS表面分析技术以及喇...
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