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[期刊论文] 作者：金高龙,
来源：华东科技(综合) 年份：2019
在建筑物内安装空调的过程中,将新鲜空气通过送风口传输到室内,进而实现冷热、干湿气流的交换,原有空气再经过回风口排出,才能保证室内空间的舒适度,基于此,本文将简述空调常...
[期刊论文] 作者：何杰,金高龙,
来源：真空科学与技术 年份：1995
利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）深能级瞬态谱（ＤＬＴＳ）研究了ＴｉＮ／ｎ－ＧａＡｓ体系。ＳＩＭＳ结果表明，退火后Ｔｉ的浓度剖面向胂化镓衬底略有移动，Ｎ则基本救济为；ＤＬＴＳ观察到的Ｅｃ＝０．２１ｅＶ处的Ｔｉ＾３＋＊３ｄ）／Ｔｉ＾３＋（３ｄ＾２）单受主中心，但其浓度较ＥＬ２要小得多。根据实验结果，探讨了退火......
[会议论文] 作者：何杰,金高龙,
来源：中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：金高龙,陈维德,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对金属Cr淀积在GaAs(100)清洁表面后引起的界面反应及电子性质的变化作了较详细的研究.我们给出了具体的模型描述初始界面的突发反应过程,分析了突发反应的起因,并认为初...
[期刊论文] 作者：陈维德,金高龙,
来源：半导体学报 年份：1991
本文利用俄歇电子谱(AES)、X射线衍射(XRD)和电学测量等方法研究了原位掺杂多晶硅/CoSi_2/Si_(衬底)多层结构在700—900℃的温度范围内在惰性气体和真空中进行热处理的稳定性...
[期刊论文] 作者：金高龙,陈维德,
来源：半导体学报 年份：1994
本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成ＣｏＳｉ２／ＧａＡｓ Ｓｃｈｏｔｔｋｙ接触，采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２／ＧａＡｓ的薄膜及界面特性进行了细致的研究，结果表明：热退火处理后......
[期刊论文] 作者：金高龙,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1991
本文对金属Cr淀积在GaAs(100)清洁表面后引起的界面反应及电子性质的变化作了较详细的研究.我们给出了具体的模型描述初始界面的突发反应过程,分析了突发反应的起因,并认为初...
[期刊论文] 作者：金高龙,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1993
本文采用AES、XRD和TEM等技术对Si/Co/GaAs三层结构的界面反应作了较详细的研究。结果表明:Si/Co与Co/GaAs两界面的反应具有一定的相似性,即当退火温度低于300℃时,两界面都...
[期刊论文] 作者：龙萨金 高龙钰,
来源：陕西教育·高教版 年份：2021
基于大学生需求的就业创业平台新模式研究 ——以西安五所大学的调查为例...
[期刊论文] 作者：金高龙,陈维德,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1993
本文采用ＡＥＳ．ＸＲＤ和ＴＥＭ等技术对Ｓｉ／Ｃｏ／ＧａＡｓ三层结构的界面反应作了详细的研究。结果表明：Ｓｉ／Ｃｏ与Ｃｏ／ＧａＡｓ两界面的反应的具有一定的相似性，即当退火温度低于３００℃时，两界面都保持完整；当退火温度高于４００℃时，两界面都发手了......
[期刊论文] 作者：金高龙,陈维德,许振嘉,
来源：半导体学报 年份：1994
本文选用了Ｃｏ／Ｓｉ／ＧａＡｓ结构作为研究对象，经６００℃恒温退火及８００℃快速退火处理后，分别在ＧａＡｓ衬底上形成Ｃｏｓｉ２／ＧａＡｓＳｃｈｏｔｔｋｙ接触．采用多种薄膜和界面的测试技术，对ＣｏＳｉ２：／ＧａＡｓ的薄膜及界面特性进行了细致的研究．结果表明：热退大处理后，Ｃｏ／Ｓｉ经......
[期刊论文] 作者：茹加军,白跃金,高龙,茹荡忠,
来源：山西果树 年份：2011
1种子准备选择生长健壮的母树，待10月中下旬果实自然成熟后收集果实，并及时摊晒晾干，干后用脱粒机脱除果肉在干燥通风处储藏备用。注意堆层厚度不宜超过1m，并注意防鼠害、虫害，定......
[期刊论文] 作者：茹加军,白跃金,高龙,茹荡忠,,
来源：山西果树 年份：2011
1种子准备选择生长健壮的母树,待10月中下旬果实自然成熟后收集果实,并及时摊晒晾干,干后用脱粒机脱除果肉在干燥通风处储藏备用。注意堆层厚度不宜超过1m,并注意防鼠害、虫...
[期刊论文] 作者：何杰,卢励吾,金高龙,许振嘉,张利春,
来源：真空科学与技术 年份：1995
在研究难熔金属氮化物／n－GaAs体系的势垒特性随退火温度的变化时，发现势垒特性随温度（700～850℃）提高而有所改善。深入研究发现，在负偏压预溅射氮离子后，难熔金属／n－GaAs的势垒特性仍有......
[期刊论文] 作者：何杰,金高龙,卢励吾,许振嘉,张利春,
来源：真空科学与技术 年份：1995
利用二次离子质谱（SIMS）和深能级瞬态谱（DLTS）研究了TiN／n－GaAs体系。SIMS结果表明，退火后Ti的浓度剖面向砷化镓衬底略有移动，N则基本未变；DLTS观察到在Ec=0．21eV处的Ti3+（3d1）／Ti2+（3d2）单......
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