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[学位论文] 作者:郭怀新,, 来源: 年份:2013
由于Nd:YAG晶体材料具有优异的激光性能以及良好的热学特性和机械性能,自上世纪60年代以来,钕掺杂钇铝石榴石晶体就成为固体激光器中占主要地位的工作物质。近年来,随着激光二极......
[学位论文] 作者:郭怀新,, 来源:哈尔滨工业大学 年份:2009
目前压电变压器的多是铅基的陶瓷材料,不仅人体有害,还造成环境污染。而且陶瓷材料的烧结温度高、还需要昂贵的铂、锗金属作内电极,成本也较高,限制了压电变压器的发展。因此...
[学位论文] 作者:郭怀新, 来源:合肥工业大学 年份:2023
电网新设备投运是电力系统运行管理的重要工作。随着国家经济水平的不断提高,电力系统规模不断扩大,电网新设备启动方案编制工作繁重。依赖专家经验的方法难以在短时间内准确高效地编制大量电网新设备启动方案。本文依托于知识图谱技术,旨在构建以电网拓扑编辑......
[期刊论文] 作者:司建文,郭怀新,王子良,, 来源:电子与封装 年份:2016
针对TO型针封结构陶瓷外壳在封接过程中的开裂、变形等失效现象,采用ABAQUS有限元模拟软件,系统分析了包铜复合引线、氧化铝陶瓷环、柯伐过渡片及钢框架的应力分布规律。结果...
[期刊论文] 作者:郭怀新,韩平,陈堂胜,, 来源:固体电子学研究与进展 年份:2017
针对大功率器件散热瓶颈问题,基于GaN功率芯片,利用有限元分析方法开展了芯片近结区热特性模拟方法的研究。建立了芯片近结区散热能力仿真评估的三维理论模型,系统地研究了不...
[期刊论文] 作者:郭怀新,程凯,胡进,王子良,, 来源:固体电子学研究与进展 年份:2015
针对器件在密封可靠性检测过程中的结构易失效现象,利用ABAQUS有限元数值方法对器件外壳在密封检验过程中的结构可靠性进行仿真分析,计算和分析了不同盖板结构设计对外壳受力...
[期刊论文] 作者:赵博,郭怀新,程凯,王子良,, 来源:电子与封装 年份:2015
针对器件在密封检测过程中的失效现象,采用ABAQUS有限元模拟软件,建立失效器件外壳的密封试验三维仿真模型,分别对失效结构封装件和改进结构封装件进行密封测试环境下的应力...
[期刊论文] 作者:顾鹏飞,郭怀新,沈国策,韩潇, 来源:电子元件与材料 年份:2020
GaN器件大功率、高集成度的发展受限于热积累效应引起器件结温升高问题,严重导致器件性能和寿命衰减,使GaN器件的高功率性能优势远未得到发挥,片内微流热管理技术是解决热瓶...
[期刊论文] 作者:郭怀新, 孔月婵, 韩平, 陈堂胜,, 来源:固体电子学研究与进展 年份:2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”$ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’#陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者:张大波, 郭怀新, 储著伟, 王博欣, 来源:电力信息与通信技术 年份:2023
随着电网结构日渐复杂,电网新设备启动愈来愈多,依赖电网运行人员手工编制启动方案无法满足电网智能管理需求。基于大量历史电网新设备启动方案数据,智能编制电网新设备启动方案成为研究的重点。但电网历史新设备启动方案为非结构化数据,无法直接利用。为将非结构化......
[期刊论文] 作者:黄语恒, 郭怀新, 孔月婵, 陈堂胜,, 来源:电子元件与材料 年份:2019
针对传统SiC衬底GaN器件高功率密度工作时的热积累问题,开展基于芯片内部嵌入高热导率材料的GaN器件芯片级热管理技术研究。在实现工艺兼容性的基础上,采用反应离子刻蚀技术...
[期刊论文] 作者:陶鹏, 常超, 郭怀新, 陈寰贝, 尚文, 邓涛,, 来源:中国材料进展 年份:2018
现代电子设备的大功率化、高度集成化、微型化、柔性化发展趋势对先进的热管理材料和技术提出了迫切需求。基于气液相变的热管技术是一种高效的热管理手段,然而传统的刚性热...
[期刊论文] 作者:郭怀新,胡进,曹坤,程凯,王子良,张海亮,, 来源:固体电子学研究与进展 年份:2014
采用ABAQUS有限元模拟软件,建立氧化铝陶瓷-钨铜金属功率集成电路外壳的三维计算模型,对其钎焊封装的残余应力进行模拟计算,并系统地分析了外壳设计因素和钎焊因素对封装的残...
[期刊论文] 作者:张明福,王野,孙盘滔,郭怀新,韩杰才,, 来源:硅酸盐通报 年份:2009
本文对聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)和纳米TiO2复合材料的制备工艺与光学性质进行了研究。利用XRD、SEM、红外光谱、紫外可见光谱、热重等对纳米颗粒及复合材料进行了表征。结果表...
[期刊论文] 作者:房柏彤,朱广润,张凯,郭怀新,陈堂胜, 来源:电子元件与材料 年份:2021
针对低成本、大尺寸的GaN HEMT技术,回顾了近年来Si基GaN射频器件在大尺寸材料外延生长、器件制备工艺与单片集成电路等方面的国内外研究进展,指出推进其发展的重要意义,并分...
[报纸论文] 作者:郭怀新, 胡进, 曹坤, 程凯, 王子良, 张海亮,, 来源:固体电子学研究与进展 年份:2014
采用ABAQUS有限元模拟软件,建立氧化铝陶瓷-钨铜金属功率集成电路外壳的三维计算模型,对其钎焊封装的残余应力进行模拟计算,并系统地分析了外壳设计因素和钎焊因素对封装的残...
[会议论文] 作者:许承海,孟松鹤,郭怀新,韩杰才,张明福, 来源:第十六届全国晶体生长与材料学术会议 年份:2012
[期刊论文] 作者:李义壮,郭怀新,郁鑫鑫,孔月婵,陈堂胜, 来源:电子元件与材料 年份:2022
片内热积累效应严重制约GaN器件向高功率密度应用发展,金刚石钝化散热结构的GaN器件热管控技术已成为目前研究重点,而金刚石栅区高精度刻蚀和控制是实现该热管理技术应用的关键工艺难点.因此,本文采用电感耦合等离子体(ICP)刻蚀技术,以氮化硅作为刻蚀掩膜,对纳......
[期刊论文] 作者:郭怀新,张明福,聂颖,韩杰才,许承海,赵业权,, 来源:人工晶体学报 年份:2013
采用水平定向结晶法(HDS)成功生长出了质量优异的板状蓝宝石晶体。利用光学显微镜,扫描电镜(SEM),并结合化学腐蚀法对生长出的蓝宝石晶体不同位置的样品进行宏观缺陷及微观位错形......
[期刊论文] 作者:张海亮,张明福,左洪波,韩杰才,汪桂根,郭怀新,, 来源:南京航空航天大学学报 年份:2009
蓝宝石光学窗口在空间环境服役时,将会受到不同射线(如γ射线、X射线)以及离子流(如电子、质子等)的辐照作用,使其光学性质及结构发生变化,影响使用性能。为模拟空间环境,采...
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