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[期刊论文] 作者：郑元宇,,
来源：引进与咨询 年份：2005
本文从选用节能型变压器、合理选择变压器容量及台数、平衡负荷、提高变压器功率因数等方面来阐述电力变压器的节能可行性及方法。...
[期刊论文] 作者：郑元宇,,
来源：中国新技术新产品 年份：2017
从外延工艺和芯片工艺上,对AIGa In P系LED在提升外量子效率的各种方法做了分析,探讨了各种工艺目前存在的优势和缺点。以期为Ga As基AIGa In P LED的发展提供理论依据。...
[期刊论文] 作者：郑元宇,,
来源：中国高新技术企业 年份：2017
文章采用VEECO型MOCVD外延了GaAs基AlGaInP发光二级管，通过外延中各层结构优化来提升亮度。研究表明，采用三个复合中心结构的DBR、最佳NP厚度比、应变结构的MQW、最佳Gap厚度，能...
[期刊论文] 作者：郑元宇,
来源：引进与咨询 年份：2005
提高电动机的效率已成为节能降耗、降低生产成本的重要手段,文章从分析电动机的选择、起动装置、调速方式等方面入手,介绍了电动机的选择及使用过程中可采用的各种节能降耗方...
[学位论文] 作者：郑元宇,
来源：厦门大学 年份：2011
Si基Ge材料具有较高的载流子迁移率，并且与传统硅工艺相兼容，是未来制备先进CMOS器件和Si基光电子器件的理想材料之一。然而，由于Si与Ge之间品格失配度大，在Si衬底上外延生长高质......
[期刊论文] 作者：郑元宇,
来源：家园·电力与科技 年份：2021
摘要：时代的发展进步，计算机智能技术在我国配电网施工中得到了广泛应用。而系统维护和抢修是基础工作，是整个网络正常运行的必要保障。但是在实际应用中，还有一些问题亟待完善，如果不妥善处理，就会影响到用户的实际体验，阻碍整个电力行业前进的步伐。在今后的发展道路......
[期刊论文] 作者：郑元宇,
来源：激光与光电子学进展 年份：2017
采用金属有机化学气相沉积系统外延AlGaInP发光二极管, 制备成面积小于12 mil×12 mil(300 μm×300 μm, 1 mil=25.4 μm)的芯片, 封装成裸晶结构并在50 mA、50 ℃加速应力环境下进行1008 h老化寿命实验, 研究外延结构中不同掺杂浓度的分布式布拉格反射镜(DBR)......
[会议论文] 作者：汤梦饶;黄巍;李成;郑元宇;,
来源：第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2011
对张应变的Si基外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性以及NiGe与外延Ge接触的电学特性进行了研究。通过四探针等测试，表明张应变外延Ge上NiGe薄膜的热稳定性比N型c-Ge上NiGe薄膜的...
[期刊论文] 作者：郑元宇,李成,陈阳华,赖虹凯,陈松岩,,
来源：光电子.激光 年份：2011
采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)系统,用低温Ge缓冲层技术在Si衬底上外延了张应变Ge薄膜。扫描电镜(TEM)图表明Si基外延Ge薄膜拥有低的位错密度,原子力显微镜(AFM)测试Ge...
[期刊论文] 作者：郑元宇,吴超瑜,林峰,伍明跃,周启伦,李水清,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2017
采用金属有机化学气相沉积系统外延了具有三个不同反射中心波长的AlAs/Al0.5Ga0.5As复合分布式布拉格反射镜(DBR),利用透射电镜、X射线衍射仪表征其结构、厚度和组分,利用白...
[期刊论文] 作者：黄诗浩,李成,陈城钊,郑元宇,赖虹凯,陈松岩,,
来源：物理学报 年份：2012
应变锗材料具有准直接带特性,而且与标准硅工艺兼容,成为实现硅基发光器件重要的候选材料之一.本文基于van de Walle形变势理论,计算了应变情况下半导体Ge材料的能带结构以及...
[期刊论文] 作者：黄诗浩,李成,陈城钊,郑元宇,赖虹凯,陈松岩,,
来源：半导体光电 年份：2011
理论和实验研究表明,在一定的应变和掺杂浓度下,Si基外延Ge薄膜能实现1.55μm光通信波段的直接带隙发光。讨论了Si基外延Ge材料的生长技术及其能带结构,结合本小组近年来在该...
[期刊论文] 作者：陈城钊,郑元宇,黄诗浩,李成,赖虹凯,陈松岩,,
来源：物理学报 年份：2012
利用超高真空化学气相淀积系统,基于低温缓冲层和插入应变超晶格的方法,在Si(100)衬底上外延出厚度约为880nm的纯Ge层.采用X射线双晶衍射、高分辨透射电镜、原子力显微镜和光...
[期刊论文] 作者：郑元宇,吴超瑜,林峰,伍明跃,周启伦,李水清,,
来源：激光与光电子学进展 年份：2017
采用金属有机化学气相沉积系统（MOCVD）外延具有三个不同反射中心波长的 Al As/Al0.5Ga0.5As 复合分布式布拉格反射镜（DBR），利用透射电镜（TEM）、X 射线衍射（XRD）表征结构、厚度和组分，利......
[会议论文] 作者：黄诗浩,李成,陈城钊,郑元宇,陈松岩,赖虹凯,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
Ge的直接带跃迁发光性质可以通过n型掺杂和张应变得到增强。本文从理论上计算了应变作用下Ge的能带结构以及载流子在导带中的分布，通过分析载流子在直接带和间接带间的辐射复合和非辐射复合的竞争，计算了n型掺杂张应变Ge材料直接带跃迁的内量子效率和光增益等发光......
[会议论文] 作者：陈城钊,郑元宇,黄诗浩,李成,赖虹凯,陈松岩,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
提出一种结合低温缓冲层和应变超晶格优势的制备方法，利用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)设备，在Si(100)衬底上外延出厚度约为880 nm的高质量纯Ge层。原子力显微镜测试表明表面均方根粗糙度为0.45nm，XRD双晶衍射曲线半高宽分别为273 arcsec，位错腐蚀结果显示线位错......
[会议论文] 作者：李成,郑元宇,陈诚钊,黄诗浩,黄魏,赖虹凯,陈松岩,
来源：第十二届全国固体薄膜会议 年份：2010
采用低温Ge和SiGe／Ge超晶格相结合，吸收过滤因晶格失配在硅／锗界面处产生的失配位错向表面的穿透，制备出低位错密度、高质量的硅基Ge单晶薄膜。在具有硅盖层的硅基锗外延材料上，通过热氧化形成二氧化硅绝缘层，制备出硅基Ge MOS电容，研究了氧化物介质与锗界面物理结构对......
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