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[学位论文] 作者：邓长发,,
来源：湘潭大学 年份：2020
GaN因其优良的电学及光学性能在第三代半导体材料中极具代表性,如禁带宽度较高、耐腐蚀性、高电子迁移率等,是制造微纳器件和各类传感器的绝佳材料之一。随着各种电子元器件的高度集成化发展,基于一维GaN的压电晶体管、光电探测器、传感器、力开关、逻辑运算器......
[期刊论文] 作者：邓长发,
来源：西北人口 年份：1988
【正】 1987年全国1％人口抽样调查,我市抽查了两个县、12个乡镇、268个村、6925户,共计28940人。从调查中获得了大量的原始数据。根据手工汇总资料推算,我市农村劳动的剩余量,...
[期刊论文] 作者：邓长发,燕少安,王冬,彭金峰,郑学军,
来源：物理学报 年份：2019
利用导电原子力显微镜技术研究了单根GaN纳米带在光调控下的力电耦合性能.首先使用化学气相沉积法制备出结晶性良好的GaN纳米带,然后将GaN纳米带分散到高定向热解石墨基底上,...
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