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[期刊论文] 作者：王培羽,王新,谭封印,张荣华,
来源：半导体光电 年份：2021
基于第一性原理,应用Materials Studio软件对2H-MoS2的能带结构、态密度、光学特性等进行了模拟研究.结果 表明:MoS2是间接带隙半导体,禁带宽度约为1.1275 eV;材料在紫外至可见光波段具有一定吸收,吸收系数随波长增加而减小,拉曼光谱在375和400 cm-1分别出现了E......
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