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[会议论文] 作者:许烁烁,陈树拳,沈辉, 来源:第13届中国光伏大会 年份:2013
采用了蒸镀氧化硼的方法,确保了激光掺杂时硼源的均匀性,之后进行激光掺杂.在激光功率不变的情况下,氧化硼薄膜的厚度决定了掺杂后硅片的平均方阻.掺杂后p-n结的结深为1.2~1.5...
[期刊论文] 作者:许烁烁, 陈特超, 禹庆荣, 刘舟,, 来源:电子工业专用设备 年份:2019
采用平板式等离子体增强化学气相沉积(PECVD)设备,开展氧化铝(Al2O3)薄膜沉积工艺的研究。通过在p型单晶硅片背表面沉积Al2O3和氮化硅(SiNx)薄膜,形成Al2O3/SiNx叠层钝化膜,...
[期刊论文] 作者:谢于柳,禹庆荣,许烁烁,朱奕漪, 来源:电子工业专用设备 年份:2016
M5111-6/UM型五管软着陆扩散炉用于晶体硅太阳能电池片扩散工艺,具有全自动化、高产能、减压扩散等特点,介绍该型号设备结构组成及性能,并给出了工艺结果,结果表明该设备各方...
[期刊论文] 作者:张威,许烁烁,唐电,彭宜昌,刘舟,吴易龙, 来源:电子工业专用设备 年份:2020
从高效太阳能电池结构要求出发,分析了超薄氧化层的作用,在自研设备的基础上,采用强氧化性的O2等离子体与硅前驱体进行了PEALD沉积研究。在源瓶温度80℃、沉积温度200℃的工...
[期刊论文] 作者:冯梓颖,蒋忱,曾滢瀛,金彦烁,黎子旋,许烁烁,沈辉, 来源:太阳能学报 年份:2015
采用金属辅助化学刻蚀法(MACE)制备硅纳米线,样品形貌表征结果表明:电化学反应的HF溶液浓度越小,硅纳米线直径越小,硅纳米阵列越稀疏.此外,对比分析单晶硅和硅纳米线的拉曼光...
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