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[期刊论文] 作者：袁先漳,
来源：温州师范学院学报 年份：2003
在简要介绍半导体光电导现象的基本分类和实验测量方法的基础上,结合作者的工作领域,具体介绍了光电导光谱在半导体及其微结构研究中的若干应用....
[期刊论文] 作者：袁先漳,陆卫,
来源：红外与毫米波学报 年份：2000
应用光热电离光谱方法研究了ＭＢＥ生长ＧａＡｓ薄膜中Ｂｅ受主的杂质能级。通过与理论计算的比较，将观测到的３个跃迁峰归属于Ｇ线、Ｃ线和Ｄ线跃迁，同时在实验上也观察到Ｂｅ受主１ｓ３／２（Γ％＾＋）态到２ｐ１／２（Γ＾）态跃迁，由实验结果算......
[期刊论文] 作者：袁先漳,缪中林,
来源：物理学报 年份：2004
用分子束外延 (MBE)方法在GaAs表面量子阱上外延生长不同厚度的Al层 ,以超高真空下的原位光调制光谱(PR)作为测量手段 ,研究Al扩散形成的表面势垒层对于GaAs表面量子阱中带间...
[会议论文] 作者：李娜,陆卫,李宁,袁先漳,刘兴权,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：李娜,李宁,陆卫,袁先漳,李志峰,沈学础,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：袁先漳,陆卫,李宁,陈效双,沈学础,资剑,
来源：物理学报 年份：2003
研究了响应波长在 15 μm附近的超长波GaAs AlGaAs量子阱红外探测器在不同外加偏压下的光电流谱特性 .光电流谱上的两个主要由于阱宽随机涨落而呈现为高斯线形的响应峰被分别...
[期刊论文] 作者：赵强,孙艳,郑丁葳,倪晟,王基庆,袁先漳,,
来源：压电与声光 年份：2007
采用金属单质靶和直流反应溅射制备了不同Al含量（摩尔分数）掺杂的ZnO薄膜,得到的薄膜均为c-轴择优取向的纤锌矿结构,在可见波段具有很高的透过率。薄膜的晶面间距、光学折射率...
[期刊论文] 作者：郭俊宏, 段延敏, 张静, 袁先漳, 颜利芬, 王鸿雁, 朱,
来源：光子学报 年份：2018
对激光二极管端面抽运Nd:YAG/Cr4+:YAG/YAG键合晶体的1 064nm被动调Q激光性能进行了研究.对比分析了Cr4+:YAG晶体初始透过率分别为84.9%和90.6%的调Q激光输出特性,以及不同耦...
[期刊论文] 作者：孙瑛璐,段延敏,程梦瑶,袁先漳,张立,张栋,朱海永,
来源：物理学报 年份：2020
报道了高效的Nd:YVO4晶体自拉曼结合二阶非线性光学混频实现黄绿波段三波长可选输出.从改善热效应和增加拉曼介质长度出发,设计双端键合的YVO4/Nd:YVO4/YVO4晶体用于自拉曼变...
[期刊论文] 作者：李宁,李娜,胡新文,袁先漳,陆卫,沈学础,黄绮,周均铭,
来源：量子电子学报 年份：2000
本文报道了γ射线辐照对量子阱红外探测器性能的影响．γ射线的辐射剂量分别为1mrad、6mrad、16mrad．测量了器件在不同γ辐照剂量下的光谱响应、暗电流、黑体响应率．通过对实验结...
[期刊论文] 作者：袁先漳,裴慧元,陆卫,李宁,史国良,方家熊,沈学础,
来源：物理学报 年份：2004
应用红外光电导谱研究半绝缘p型Zn0.04Cd0.96Te中的深能级，在温度从4.2到165K范围内，观察到了位于0.24，0.34，0.38，0.47，0.55和0.80eV处6个光电导响应峰.结合4.2K下光致发光谱的测量...
[期刊论文] 作者：袁先漳,陆卫,史国良,陈益栋,陈张海,李宁,沈学础,
来源：红外与毫米波学报 年份：2000
应用光热电离光谱方法研究了 MBE生长 Ga As薄膜中 Be受主的杂质能级 .通过与理论计算的比较 ,将观测到的 3个跃迁峰归属于 G线、C线和 D线跃迁 ,同时在实验上也观察到 Be受...
[期刊论文] 作者：李娜,李宁,陆卫,袁先漳,李志锋,窦红飞,刘京郊,沈学础,金,
来源：红外与毫米波学报 年份：2001
在分子束外延生长量子阱材料过程中,分析了在不同的GaAs/AlGaAs异质结生长次序中Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称,讨论了GaAs/AlGaAs量子阱红...
[期刊论文] 作者：甘海波,廖小青,石豪珂,阮秀凯,袁先漳,王鸿雁,朱海永,段延,
来源：激光与红外 年份：2017
通过LD端面抽运Nd∶YAG激光腔镜膜系的合理设计,抑制Nd∶YAG晶体最强跃迁对应的1064 nm波长和相邻的1319 nm波长的激光振荡,成功实现了1338 nm单波长激光输出。实验中对比了...
[期刊论文] 作者：缪中林,陆卫,陈平平,李志锋,刘平,袁先漳,蔡炜颖,徐文兰,,
来源：红外与毫米波学报 年份：2004
用分子束外延系统生 长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合注入的方法,在同一块衬底上获得了不 同注入离子和不同注入剂量的耦合量子阱单元,没有经过快速热退火...
[期刊论文] 作者：李娜,陆卫,李宁,刘兴权,袁先漳,窦红飞,沈学础,FULan,TanHH,CJagadish,MBJohnston,MGal,
来源：红外与毫米波学报 年份：2000
利用质子注入和快速退火技术改变GaAs/AlGaAs量子阱能级分布,使量子阱红外探测器的光电特性发生变化,在较大地移动了探测波长的同时,探测器的响应率、探测率以及暗电流特性也...
[期刊论文] 作者：甘海波,廖小青,石豪珂,阮秀凯,袁先漳,王鸿雁,朱海永,段延敏,,
来源：激光与红外 年份：2017
通过LD端面抽运Nd:YAG激光腔镜膜系的合理设计,抑制Nd:YAG晶体最强跃迁对应的1064 nm波长和相邻的1319 nm波长的激光振荡,成功实现了1338 nm单波长激光输出.实验中对比了平平...
[期刊论文] 作者：袁先漳,陆卫,江俊,徐国森,沈学础,王明凯,杨学平,吴钢,李永贵,
来源：中国科学(A辑) 年份：2001
应用北京自由电子激光 (BFEL)对典型的红外光电子材料Hg1-xCdxTe进行了非线性光电导特性研究 .利用自由电子激光的高光子密度特性 ,采用光电导实验构型研究了Hg1-xCdxTe材料中双光子吸收诱导光电导特性 ,观测到了随激发光强度增大而出现的饱和效应 ,并比较了不......
[期刊论文] 作者：李娜,袁先漳,李宁,陆卫,李志峰,窦红飞,沈学础,金莉,李宏伟,周均铭,黄绮,
来源：物理学报 年份：2000
通过理论计算对用于量子阱红外探测器的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱能级结构进行模拟设计 ,将不同生长结构的量子阱材料的光响应谱和光致荧光谱 (PL)与计算结果进行比较 .说明量子...
[期刊论文] 作者：李娜,李宁,陆卫,袁先漳,李志锋,窦红飞,刘京郊,沈学础,金莉,李宏伟,周均铭,黄绮,
来源：红外与毫米波学报 年份：2001
在分子束外延生长量子阱材料过程中 ,分析了在不同的 Ga As/ Al Ga As异质结生长次序中 Ga的解吸附速率不同和量子阱中掺杂的扩散造成量子阱结构的不对称 ,讨论了 Ga As/ Al...
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