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[期刊论文] 作者：李俊炜,石成英,王祖军,薛院院,
来源：光学学报 年份：2021
为了研究空间辐照诱发的子电池GaAs相关参数的退化行为,以三结太阳电池的子电池GaAs为研究对象,开展了不同辐照条件下的质子辐照模拟研究,建立了子电池GaAs结构模型,得到了不...
[期刊论文] 作者：王祖军,刘静,薛院院,何宝平,姚志斌,盛江坤,,
来源：半导体光电 年份：2017
CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从...
[期刊论文] 作者：缑石龙,马武英,姚志斌,何宝平,盛江坤,薛院院,潘琛,
来源：物理学报 年份：2021
为了研究氢气与辐射感生产物之间的作用关系,以栅控横向PNP双极晶体管为研究对象,分别开展了氢气氛围中浸泡后的辐照实验和辐照后氢气氛围中退火实验,结果表明:氢气进入双极晶体管后会使其辐照损伤增强,并且未浸泡器件辐照后在氢气中退火也会使晶体管辐射损伤增......
[期刊论文] 作者：杨勰,王祖军,尚爱国,霍勇刚,薛院院,贾同轩,焦仟丽,
来源：现代应用物理 年份：2021
以4T CMOS有源像素图像传感器为研究对象,开展了 10 MeV不同注量质子辐照导致图像传感器满阱容量性能退化模拟研究,建立了 CMOS图像传感器结构模型和质子辐照模型;结合满阱容量计算模型,分析了不同注量质子辐照对光电二极管(PPD)电容、TG沟道势垒及浮置节点(FD)......
[期刊论文] 作者：王祖军,薛院院,姚志斌,马武英,何宝平,刘敏波,盛江坤,,
来源：半导体光电 年份：2017
提出了光电图像传感器辐照效应参数测试需要解决的问题,简述了光电图像传感器参数测试国际标准(EMVA1288)的原理和要求,建立了基于EMVA1288国际标准的光电图像传感器辐照效应...
[会议论文] 作者：马武英,姚志斌,何宝平,陈伟,王祖军,缑石龙,薛院院,董观涛,
来源：中国核学会2021年学术年会 年份：2021
以40nm-n型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）为研究载体,探索了其总剂量效应与热载流子效应之间的耦合机制。分别对试验载体进行了先热载流子注入后辐照试验,以及先辐照后热载流子注入试验。辐照试验在开态偏置条件下利用10keV-x射线源进行。试验结果表明:......
[期刊论文] 作者：李俊炜,王祖军,石成英,薛院院,宁浩,徐瑞,焦仟丽,贾同轩,
来源：物理学报 年份：2020
以GaInP/GaAs/Ge三结太阳电池为研究对象,开展了能量为0.7, 1, 3, 5, 10 MeV的质子辐照损伤模拟研究,建立了三结太阳电池结构模型和不同能量质子辐照模型,获得了不同质子辐照...
[期刊论文] 作者：薛院院,王祖军,刘静,何宝平,姚志斌,刘敏波,盛江坤,马武英,
来源：强激光与粒子束 年份：2018
针对空间质子诱发C C D性能退化问题, 开展了C C D质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究.采用三维蒙特卡罗软件G e a n t 4模拟计算了不同能量质子在S i和S i O2 中的射程及B...
[期刊论文] 作者：王祖军,薛院院,刘敏波,唐本奇,何宝平,姚志斌,盛江坤,马武,
来源：现代应用物理 年份：2016
针对星用电荷耦合器件（charge coupled device，CcD）在空间环境中遭受的辐射损伤效应，建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条件、...
[期刊论文] 作者：王祖军,薛院院,王迪,焦仟丽,刘卧龙,杨业,赵铭彤,王忠明,陈伟,
来源：现代应用物理 年份：2021
为评估CCD在高能质子辐照条件下的损伤效应,在西安200 MeV质子应用装置上开展了200 MeV质子辐照CCD的实验研究,在辐照注量为1×1010 cm-2时,得到了CCD性能退化的实验结果,分析了CCD的暗信号、暗电流密度、随机噪声、暗信号不均匀性、暗信号尖峰及其分布等暗场特......
[期刊论文] 作者：王祖军,薛院院,刘敏波,唐本奇,何宝平,姚志斌,盛江坤,马武英,,
来源：现代应用物理 年份：2016
针对星用电荷耦合器件(charge coupled device,CCD)在空间环境中遭受的辐射损伤效应,建立了CCD空间环境辐射效应地面模拟试验方法。从辐射模拟源、试验流程、最劣辐照偏置条...
[期刊论文] 作者：王祖军,宁浩,薛院院,徐瑞,焦仟丽,刘敏波,姚志斌,马武英,盛江坤,董观涛,
来源：半导体光电 年份：2020
半导体激光器(LD)工作在空间辐射或核辐射环境中时, 会受到辐照损伤的影响而导致器件性能退化。文章回顾了不同时期研制的LD(从早期的GaAs LD到量子阱LD和量子点LD)在辐照效应实验方面的研究进展, 梳理了国际上开展不同辐射粒子或射线(质子、中子、电子、伽马射......
[期刊论文] 作者：薛院院,王祖军,刘静,何宝平,姚志斌,刘敏波,盛江坤,马武英,董观涛,金军山,
来源：强激光与粒子束 年份：2018
针对空间质子诱发CCD性能退化问题,开展了 CCD质子辐照效应的三维蒙特卡罗模拟研究.采用三维蒙特卡罗软件 Geant4模拟计算了不同能量质子在 Si和 SiO2中的射程及 Bragg 峰,分...
[期刊论文] 作者：王祖军,薛院院,刘卧龙,陈伟,王迪,焦仟丽,贾同轩,杨业,王茂成,王百川,王忠明,
来源：现代应用物理 年份：2021
为评估互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器(CIS)的辐照损伤效应,在西安200 MeV质子应用装置上,首次开展了 65 nm工艺PPD CIS负氢离子(H-)辐照实验,在H-能量为7 MeV,辐照注量分别为1×1011,5×1011,1×1012 cm-2时,得到了 H-辐照诱发65 nm工艺PPD CIS性能退化......
[期刊论文] 作者：聂栩,王祖军,王百川,薛院院,黄港,赖善坤,唐宁,王茂成,赵铭彤,杨馥羽,王忠明,
来源：光学学报 年份：2023
应用在空间辐射环境下的互补金属氧化物半导体图像传感器（CIS）会受到高能质子辐照损伤，导致性能退化，严重时甚至功能失效。为了分析CIS高能质子辐照损伤机理，本文以0.18μm工艺CIS为研究对象，利用西安200 MeV质子应用装置开展了注量为1×1010p/cm~2、5×1010 p/cm~2、......
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