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[期刊论文] 作者：薛春来,,
来源：化工管理 年份：2015
在塔河油田随着钻井新工艺、新技术的不断推广应用,给钻井液工作提出了更高的要求,长裸眼井、PDC钻头的应用不仅极大的节约了钻井成本,提高了机械钻速。但是在使用PDC钻头时,...
[期刊论文] 作者：薛春来,
来源：中国石油和化工标准与质量 年份：2016
英买力地区位于塔里木河以北,库尔勒-阿克苏公路以南,呈东西向延伸.该地区主要分成北部勘探区块与南部勘探区块,而南部2井区无盐层,地层缺失较少,主要缺失二叠系、石炭系、泥...
[学位论文] 作者：薛春来,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2007
先进的数字集成电路技术、射频模块、数字通讯以及网络技术的发展和融合，给无线通讯市场带来了一场技术性的革命，使得无线通讯成为了飞速发展的通讯市场的一个热点。伴随着这种......
[期刊论文] 作者：薛春来,
来源：中学生天地·高中学习版 年份：2007
背景 2007年6月25日，中共中央总书记胡锦涛在中央党校省部级干部进修班发表重要讲话。 胡锦涛强调，改革开放，是我们党在新的时代条件下带领人民进行的一次新的伟大革命。事实雄辩地证明，改革开放是发展中国特色社会主义、实现中华民族伟大复兴的必由之路。 ......
[期刊论文] 作者：薛春来,王启明,,
来源：科学 年份：2016
信息社会以计算机信息处理技术和传输手段的广泛应用为基础和标志,无论是社会生活方式与管理方式,还是现代化生产过程,信息均成为主题要素。计算机、光网络、传感器以及...
[期刊论文] 作者：薛春来 唐靖,
来源：科学导报 年份：2018
渴望知识，珍惜学习机会 王启明出生于福建泉州一个城市贫民家庭，他从小就对知识有着强烈的渴求。他曾偷偷跟着哥哥，溜去学校听课。家庭破灭时，他也失学了。后来，王启明由他姑妈做主，被许给了泉州市郊一户姓王的地主人家当养子。在新家庭里，他重新获得了就学机会，直接......
[期刊论文] 作者：姚飞,薛春来,成步文,
来源：微电子学 年份：2005
带胶剥离是微电子工艺的常见工艺步骤。文章通过对带胶剥离的样品进行退火实验,研究了电极蒸发金属和不同基底的粘附特性。实验表明,带胶剥离工艺制备的电极,其金属与衬底的...
[期刊论文] 作者：马志华,薛春来,左玉华,
来源：中国集成电路 年份：2010
能源危机和环保的要求使得高效太阳能电池的研究成为各国科技工作者关注的焦点。杂质带太阳能电池由于具有简单的结构和理论上的高转换效率,也日益成为研究人员关注的重点。...
[会议论文] 作者：王楠,丛慧,薛春来,王启明,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
通过向Ge中引入Sn形成Ge1-xSnx合金,可以使其能带结构向直接带隙转变,且与CMOS工艺兼容,是实现硅基光源最具有可行性的方案之一,具有重要的科学研究价值.在本文中,使用MBE在Si(001)衬底上外延生长了10个周期的Ge/Ge0.9Sn0.1/Ge量子阱结构,测试表明材料具有良好......
[期刊论文] 作者：薛春来,姚飞,成步文,王启明,,
来源：半导体学报 年份：2006
使用三维电磁场模拟的方法对不同硅衬底结构螺旋电感进行了模拟和分析．通过改变衬底的电导率、隔离层的厚度以及隔离层的材料、衬底引入硅锗合金层等模拟，分析了电感性能的变化......
[期刊论文] 作者：薛春来,成步文,姚飞,王启明,
来源：微纳电子技术 年份：2004
回顾了Si1-xGex/Si HBT在几十年中的重要进展以及目前的研究现状.通过不同材料器件的对比表明,Si1-xGex/Si HBT在高频功率应用方面存在着巨大的优势,并将在未来无线通信和射...
[期刊论文] 作者：薛春来,成步文,姚飞,王启明,
来源：半导体学报 年份：2006
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的SiGe HBT．在没有扣除测试结构的影响下，当直流偏置IC=10mA，VCE=2．5V时，fτ和fmax分别为1．8和10．1GHz．增益卢为144．25，BV......
[期刊论文] 作者：薛春来,姚飞,成步文,王启明,
来源：半导体学报 年份：2006
使用三维电磁场模拟的方法对相同硅衬底结构下不同布图结构的螺旋电感进行了模拟和分析，通过改变电感匝数、电感金属的宽度和间隔以及电感的内径，模拟和分析了电感性能的变化，给......
[期刊论文] 作者：时文华,薛春来,罗丽萍,王启明,
来源：中国科技信息 年份：2008
结合透射电镜与原子力显微镜实验，用双晶X射线衍射方法分析了Ge/Si多层纳米岛材料，衍射的卫星峰可以被分解为两个洛仑兹峰，它们分别源于材料的浸润层区和纳米岛区。利用透射电镜......
[期刊论文] 作者：姚飞,成步文,薛春来,王启明,
来源：半导体学报 年份：2005
用过腐蚀自对准离子注入工艺制备SiGe/Si异质结双极型晶体管,过腐蚀湿法腐蚀的横向钻蚀,为自对准离子注入提供了技术保障.对外基区的离子注入既减小了外基区的串联电阻,又有...
[期刊论文] 作者：姚飞,薛春来,成步文,王启明,,
来源：电子器件 年份：2007
分别在高掺杂的Si衬底和SOI衬底上用超高真空化学汽相淀积(UHV/CVD)系统生长了SiGe/Si外延材料,并采用2μm的工艺制备出SiGe/SiHBT(Heterostructure Bipolar Transistor).使...
[期刊论文] 作者：薛春来,成步文,姚飞,王启明,,
来源：半导体光电 年份：2006
详细地阐述了高频大功率SiGe／Si异质结双极晶体管（HBT）设计中的一些主要问题，主要包括器件的纵向设计中发射区、基区以及收集区中掺杂浓度、形貌分布、层厚的选择以及横向布局设......
[期刊论文] 作者：姚飞,薛春来,成步文,王启明,,
来源：物理学报 年份：2007
硅锗异质结双极晶体管(SiGe HBT)一般以重掺硼(B)的应变SiGe层作为基区.精确表征SiGe材料能带结构对SiGe HBT的设计具有重要的意义.在应变SiGe材料中,B的重掺杂一方面会因为...
[会议论文] 作者：刘智,温娟娟,薛春来,成步文,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
...
[期刊论文] 作者：薛春来,成步文,姚飞,王启明,,
来源：半导体学报 年份：2006
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的2个单元4个发射极指的Si Ge HBT.在没有扣除测试结构的影响下,当直流偏置IC=10mA,VCE=2·5V时,fT和fmax分别为1·8和10·1GHz.增益...
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