搜索筛选:
搜索耗时0.6674秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 223 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：薛成山,,
来源：农机使用与维修 年份：2018
配气机构组成部件的检修是柴油机大修中必不可少的项目,重点阐述了配气机构主要部件的结构特点与检修要点,以提高柴油机的大修质量。...
[期刊论文] 作者：薛成山,,
来源：农机使用与维修 年份：2018
从拖拉机液压悬挂机构组成部件、工作原理谈起,重点强调了使用维护中应该注意的事项。...
[期刊论文] 作者：薛成山,
来源：农业与技术 年份：2013
摘 要：柴油机整机故障是指所出现故障的产生原因，这不仅仅局限于某一特定的系统，可能是由多个系统的多种故障原因所引起，也可把它称为柴油机综合故障。此类故障的诊断难度较大，本文就柴油机整机常见的故障与排除进行分析研究。 关键词：柴油机；故障；排除；启动；运转 ......
[期刊论文] 作者：薛成山,
来源：农家科技（下旬刊） 年份：2013
农业机械化是现代农业最基本、最显著的特点，推进农业现代化必须首先发展农业机械化，这是农业现代化建设的基础。...
[期刊论文] 作者：李玉国,薛成山,
来源：山东师大学报(自然科学版) 年份：1999
介绍一种新型多路无线红外防盗报警系统。论述了该报警系统的工作原理及解决的关键技术。给出了主要技术指标。...
[期刊论文] 作者：刘秀喜,薛成山,
来源：山东电子 年份：1995
鉴于现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，提出了受主双质掺杂新技术的研究，经工艺论证和对比实验，首先成功的研制成开管铝镓扩散法，为电力半导体器件研究和生产开创了一条先进的工艺途径。......
[期刊论文] 作者：李玉国,薛成山,
来源：半导体杂志 年份：1999
介绍了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体特点，论述了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体获得ｎ、ｐ型衣深补偿能菜的研究现状，讨论了离子注入Ⅲ－Ⅴ族化合物后的退火及其保护问题。...
[期刊论文] 作者：刘秀喜,薛成山,
来源：半导体杂志 年份：1996
针对铝乳胶源涂布与气相镓相结合的开管受主双质扩散技术，本文就其掺杂机制进行了分析讨论。...
[期刊论文] 作者：刘秀喜,薛成山,
来源：物理化学学报 年份：1997
...
[期刊论文] 作者：李玉国,薛成山,
来源：山东师大学报(自然科学版) 年份：1995
介绍了Ｃ６０的结构，分析了Ｃ６０不同制备方法的特点，并指出了由Ｃ６０衍生的物理学，化学，材料科学方面的研究领域。...
[期刊论文] 作者：刘秀喜,薛成山,
来源：半导体学报 年份：1997
本文报道了一种ＳＭ材料的制备，性能，钝化保护机理和试用结果，该材料具有优良的电性能、钝化保护性能、机械性能和化学稳定性，并经晶闸管生产线工艺论证及应用，能明显地减小漏电流，提高......
[期刊论文] 作者：李玉国,薛成山,
来源：半导体学报 年份：2001
利用卢瑟福背散射及沟道技术研究了2MeVEr^+以不同剂量注入硅（100）所引起的辐射损伤及其退火行为。采用多重散射模型计算了2MeV1×10^14/cm^2注入硅（100）引起的损伤分布，并与T...
[期刊论文] 作者：刘秀喜,薛成山,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
就现行Ｐ型杂质扩散工艺的不足，进行了开管铝镓掺杂技术的研究，经过大量实验和工艺论证，该研究取得成功。具有先进性和实用性可明显地提高器件电参数一致性，综合性能和成品率，为电力......
[会议论文] 作者：刘秀喜;薛成山;,
来源：中国电工技术学会电力电子第六次全国学术会议 年份：1997
采用有机化合物、金属氧化物和增强剂，按比例均匀混合制备成液状ＳＭ材料，涂覆于器件台表面上，再经系列固化工艺，形成坚硬、高密度、不透气的白色固体绝缘保护层。该材料经电性能检测......
[期刊论文] 作者：薛成山,裴志华,
来源：微电子技术 年份：1996
...
[期刊论文] 作者：薛成山,庄惠照,
来源：微电子技术 年份：1996
...
[期刊论文] 作者：庄惠照,薛成山,
来源：山东师范大学学报：自然科学版 年份：1992
...
[期刊论文] 作者：杨莺歌,薛成山,等,
来源：半导体学报 年份：2003
报道了用溅射后退火反应法在GaAs(110)衬底上制备GaN薄膜，XRD、XPS、TEM溅量结果表明该方法制备的GaN是沿c轴方向生长的六角纤锌矿结构的多晶薄膜，PL测量结果发现了位于368nm处...
[期刊论文] 作者：庄惠照,薛成山,
来源：山东电子 年份：1995
本文就大台面高电压，大电流晶闸管玻璃钝化，从理论和实践上阐述了钝化机理，系统介绍了台面造型。玻璃涂复、熔烧等工作途径，并给出了研究结果。...
[期刊论文] 作者：裴素华,薛成山,
来源：半导体技术 年份：1996
利用开管扩散方式，将元素Ｇａ分为低浓度、高浓度两段掺杂，在Ｎ型Ｓｉ的衬底上形成Ｐ区和Ｐ＾＋区用于整流管芯片的制作，能较好地协调元件阻断特性与通态特性的矛盾。...
相关搜索：
