搜索筛选:
搜索耗时1.8243秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 50 篇相符的论文内容
类      型:
[期刊论文] 作者:蔡菊荣,, 来源:微电子学 年份:1980
四机部1424所于1980年6月25日~29日召开了本年度第一次科研成果鉴定会。 出席会议的有部、院、省、地领导部门,研究单位,大专院校及工厂等137个单位,与会代表277名。 提...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:电子与封装 年份:2004
主要讨论了SOI集成技术及其发展前景,介绍了SOI技术在VLSI应用方面的优越性以及在微电子领域中的广泛应用....
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:电子与封装 年份:2004
主要讨论了SOI集成技术及其发展前景,介绍了SOI技术在VLSI应用方面的优越性以及在微电子领域中的广泛应用....
[期刊论文] 作者:蔡菊荣,, 来源:电子元器件应用 年份:2001
本文首先简要介绍纳米器件的若干产品,然后比较详细地列举这些器件在军事电子系统中的应用前景。...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:微电子技术 年份:1995
本文阐述了当前在CMOS和DRAM中,栅氧化层、IMD、DRAM电容器三个方面所用的低介质常数和高介质常数材料的研究动态以及发展方向。...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:微电子技术 年份:1997
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:微电子技术 年份:1997
半导体工业的发展速度比预测的更快,到1997年末0.5μm的工艺技术可进入生产阶段,1999年达到0.18μm的生产水平。第一个4GbDRAM在二月份展现。19997年底将出现最新修订的发展里程。1997年将有50个新Fab处在建造和安装阶......
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:微电子技术 年份:1996
本文介绍了微环境的研究概况。对微环境新Fab的投资及成本-效益进行了分析。例举了新Fab的结构设计方案,在全球新Fab投资方面,重点介绍了欧洲及日本对新Fab投资发展的动向。......
[期刊论文] 作者:蔡菊荣,, 来源:电子元器件应用 年份:2001
5.6 监视、侦察系统在现代电子战中,监视系统必须宽广的复盖面,才能有效地起到监视、预警的作用,及时处置发现的情况,从而掌握战场主动权和控制权。未来的微型机电系统...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣,, 来源:电子元器件应用 年份:2000
3 硅集成电路在雷达系统中的应用雷达是现代战争中实施战略、战术打击的重要的武器装备之一,是各种作战指挥系统或C~3I系统中能获取战争现实场信息的探测手段。雷达自问...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣,, 来源:电子元器件应用 年份:2000
本文首先概述硅集成电路在军事电子装备中的地位和作用,然后比较详细地介绍这种电路在通信、雷达、战略武器和战术武器中的应用。...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:微电子技术 年份:1998
台湾的IC工业从7μm开始经过20年的发展,进入了深亚微米技术水平。从生产到研究进入世界IC列强第4位。本文介绍了台湾IC的发展优势、工业状况以及科技工业园的建设。...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:微电子技术 年份:1997
IC已有39年发展历史。有人曾预测硅技术已接近发展极限,引起人们关注。在这世纪之交的数年内,IC如何发展。本文对IC技术以及IC水平的现状和基本趋势作出了试析,并对IC前沿技术的发展提出了看......
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:微电子技术 年份:1993
[会议论文] 作者:蔡菊荣, 来源:首届全国电子元器件应用技术研讨会 年份:2000
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:微电子学 年份:2004
得克萨斯仪器公司采用的按比例MOS(SMOS)工艺是一种先进的双层多晶硅技术,几何尺寸小达2.5微米。到目前为止,许多加工步骤的简化使该工艺成为半导体工业中最简单的制造方法...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:微电子学 年份:2004
据美刊《电子设计》1983年31卷第5期报道,美国得克萨斯公司生产的高速有效的TTL逻辑阵列系列性能如下:┏━━━━━━┳━━━━━━┳━━━━━━┳━━━━━━━┳━━━...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:微电子学 年份:1983
高纯水——在电子工业中常定标为18兆欧——早已成为制作集成电路及类似的单片器件的主要材料之一。现在,几何尺寸变得更小的更高水平集成要求更严格控制工艺水中的微粒物质...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣, 来源:半导体技术 年份:1982
随着MOS工艺向超大规模集成电路方向的迅速发展,VLSI的集成度七十年代约每年提高1倍,八十年代预测约2年提高1倍。 在此情况下,原先应用的某些常规工艺或在近来一个时期内出...
[期刊论文] 作者:蔡菊荣,, 来源:微电子学 年份:1974
引言现有的休斯飞机公司的互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺具有良好的低功率性能和生产大规模集成电路的能力。然而,与p型MOS芯片相比,现有的CMOS芯片的器件密度十分低。这...
相关搜索: