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[期刊论文] 作者：茅经怀,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
1983年日本的H.Itoh等首先将空气桥源MESFET应用于12GHz单片集成低噪声放大器,实现器件的单边接地。但是,由于器件采用叉指结构,无法采用斜蒸发工艺缩短栅长。1986年,南...
[期刊论文] 作者：戴永胜,茅经怀,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
本文讨论了采用反馈法的优点,对应用反馈技术使微波低噪声FET放大器同时获得最佳噪声和最小驻波问题进行了研究分析,讨论了放大器的设计,给出了计算和实验结果。在7.6～9GHz下,...
[期刊论文] 作者：冯珅,茅经怀,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
本文介绍了栅宽为150μm和240μm两种单边接地MESFET制造工艺及其在单片电路中的应用。这种器件结构可减小器件占用的GaAs芯片面积,提高电路布线的灵活性,并已应用于12GHz低...
[会议论文] 作者：茅经怀,戴永胜,
来源：全国首届MIC CAD及MIC工艺学术会 年份：1986
该文对采用反馈法使微波低噪声FET放大器同时获得最佳噪声和最小驻波的问题进行了研究，运用计算机对这种放大器进行了分析，给出了计算结果，还做了实验研究。（本刊录）...
[期刊论文] 作者：叶禹康,茅经怀,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
微波单片集成电路(MMIC)是新一代微波产品。它把有源和无源元件,采用可批量生产的集成技术制作在同一GaAs衬底上完成一定微波功能,具有成本低、产量高、可靠性高、体积小...
[期刊论文] 作者：王福臣,茅经怀,俞土法,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1985
为了满足我国电视卫星低噪声接收的需要,使单片低噪声FET放大器的性能赶上世界先进水平,南京固体器件研究所正抓紧单片12GHz低噪声GaAs MESFET放大器的研究,最近取得了较...
[期刊论文] 作者：王福臣,茅经怀,俞土法,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1986
本文叙述了12GHz单片组合的低噪声GaAs MESFET放大器的设计和制造.每级单片放大器包含一个有源元件FET、一个隔直电容和两个射频旁路电容.在11.7～12.2GHz范围内,单级放大器增...
[期刊论文] 作者：伍祥冰,过常宁,茅经怀,冯珅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
自1978年第一块单片开关电路问世以来,各种电路结构形式以及各种工作频率的单片移相器不断涌现.由于单片移相器具有控制速度快、功耗低、尺寸小、重量轻及频带宽等优点,...
[期刊论文] 作者：伍祥冰,过常宁,茅经怀,冯珅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
自1978年第一块单片开关电路问世以来,各种电路结构形式以及各种工作频率的单片移相器不断涌现.由于单片移相器具有控制速度快、功耗低、尺寸小、重量轻及频带宽等优点,逐渐...
[期刊论文] 作者：伍祥冰,过常宁,茅经怀,冯珅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
本文报道了一种工作在16.0～17.0GHz单片集成180°的移相器.文中通过对无源工作的GaAs MESFET的建模,分析了影响移相器性能的主要参数,以及这些参数的最佳取值.制作在2.45×2.8...
[期刊论文] 作者：叶禹康,茅经怀,潘扬,伍祥冰,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1993
用分析方法获取具有4个端口的双栅FET适用S参数进行设计,用微波单片集成电路技术制成增益30dB,可控增益大于65dB,二栅开关时间小于5ns的S波段单片可变增益放大器,封装后的尺...
[期刊论文] 作者：茅经怀,冯珅,叶禹康,瞿慰萱,陈培坤,王柏年,潘扬,陆小兵,
来源：中山集团评论 年份：1989
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[期刊论文] 作者：茅经怀,冯珅,叶禹康,瞿慰萱,陈培坤,王柏年,潘扬,陆小兵,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
1983年日本的H.Itoh等首先将空气桥源MESFET应用于12GHz单片集成低噪声放大器,实现器件的单边接地。但是,由于器件采用叉指结构,无法采用斜蒸发工艺缩短栅长。1986年,南京电...
[期刊论文] 作者：茅经怀,冯珅,叶禹康,瞿慰萱,陈培坤,王柏年,高伟忠,潘扬,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1987
1986年我们研制了GaAs单片集成X波段低噪声放大器。GaAs基片采用南京电子器件研究所高压单晶炉拉制的大直径非掺杂半绝缘单晶,其电阻率大于10~7Ω·cm,利用汽相外延生长出低...
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