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[期刊论文] 作者：胡福义,李爱珍,
来源：半导体学报 年份：1991
用光致发光谱及高分辨率的X射线双晶衍射对 MBE GaAs/Si异质结材料进行研究,发现GaAs外延层和Si衬底存在一定的晶向偏离,整个GaAs外延层呈现双轴张应力,这是GaAs和Si的晶格失...
[期刊论文] 作者：胡福义,李爱珍,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
High qualities of GaAs layers directly grown on Si substrates have been obtained by MBE. The residual stress in those MBE grown GaAs layers onHigh qualities...
[期刊论文] 作者：胡雨生,胡福义,等,
来源：半导体学报 年份：1993
本文采用光调制反射光谱（PR），双晶衍射（DCRD），光荧光激发光谱（PL）等技术研究了MBE－GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况，以及从不同温度快速热退火后GaAi/Si(PR)谱的变化可看出GaAs外延......
[期刊论文] 作者：胡福义,李爱珍,王建新,
来源：半导体学报 年份：1991
用光致发光谱及高分辨率的X射线双晶衍射对 MBE GaAs/Si异质结材料进行研究,发现GaAs外延层和Si衬底存在一定的晶向偏离,整个GaAs外延层呈现双轴张应力,这是GaAs和Si的晶格失...
[期刊论文] 作者：胡雨生,胡福义,汪乐,李爱珍,范伟栋,
来源：半导体学报 年份：1993
本文采用光调制反射光谱(PR),双晶衍射(DCRD),光荧光激发光谱(PL)等技术研究了MBE-GaAs/Si异质结材料GaAs层的应变情况,以及从不同温度快速热退火后GaAs/Si(PR)谱的变化可看...
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