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[学位论文] 作者:练小正, 来源:哈尔滨工程大学 年份:2013
自从上个世纪八十年代末提出了智能材料系统的概念,智能材料就受到了科研工作者的密切关注。经过二十多年的发展,智能材料的研究取得重大突破,已经形成了一个横跨多学科、多方面......
[会议论文] 作者:练小正, 来源:第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份:2015
  GaSb是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料,其禁带宽度为0.72eV,是优良的电子和光电子器件衬底材料.可以用于光纤通讯、太阳能电池[1]、红外探测器[2]以及发光二极管[3]等领域.制备...
[期刊论文] 作者:张颖武,练小正,程红娟,, 来源:天津科技大学学报 年份:2015
硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料.以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶,采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸CdSe单晶,并对其晶体结构和光学性能进行了表征.EDS和......
[期刊论文] 作者:于佳音,崔新芳,练小正,乔英杰, 来源:中国科技论文 年份:2013
针对液浮陀螺仪悬浮液的应用环境,设计出Al/Al2O3/Cu测控温材料。采用阳极氧化的方法在草酸与冰乙酸组成的电解液中制备了阳极氧化膜绝缘层,并采用磁控溅射的方法制备了温度敏感......
[期刊论文] 作者:乔英杰,崔新芳,刘瑞良,练小正, 来源:哈尔滨工业大学学报:英文版 年份:2012
In the present study,anodic films on aluminium alloy was used as the dielectric layer for Cu thinfilm temperature sensor,and then Cu film was deposited by unbal...
[期刊论文] 作者:崔新芳,乔英杰,刘瑞良,练小正,, 来源:Journal of Harbin Institute of Technology 年份:2012
In the present study,2024 aluminum alloy specimen was anodized in acetic acid and oxalic acid electrolytes.Effects of the current density on the microstructure...
[期刊论文] 作者:乔英杰,崔新芳,刘瑞良,练小正,, 来源:Journal of Harbin Institute of Technology 年份:2012
In the present study,anodic films on aluminium alloy was used as the dielectric layer for Cu thinfilm temperature sensor,and then Cu film was deposited by unbal...
[期刊论文] 作者:张颖武,练小正,张政,程红娟,, 来源:河南科技 年份:2016
β-Ga2O3是一种光电性能优异的宽带隙氧化物半导体材料,基于此,介绍β-Ga2O3的特性及应用潜力,阐述大尺寸β-Ga2O3单晶生长面临的难点,并结合国内外β-Ga2O3单晶生长技术进展...
[期刊论文] 作者:徐世海,李晖,高飞,练小正,朱磊,陈阳,, 来源:微纳电子技术 年份:2017
主要研究了Czochralski法生长的β-Ga_2O_3单晶片的化学机械抛光(CMP)。采用酸性硅溶胶溶液作为抛光液,对经过切割、机械抛光后的10 mm×10 mmβ-Ga_2O_3单晶片进行了CMP实验...
[期刊论文] 作者:李强,张颖武,司华青,练小正,程红娟,, 来源:压电与声光 年份:2016
硫化镉(CdS)是一种光电性能优异的Ⅱ-Ⅵ族直接跃迁、宽带隙化合物半导体材料。将本征高阻的CdS单晶材料在镉气氛中高温退火,并对退火后的CdS材料进行电学、光学特性表征。测试...
[期刊论文] 作者:程红娟,张胜男,练小正,金雷,徐永宽, 来源:人工晶体学报 年份:2019
通过对导模法制备的非故意掺杂、Si掺杂β-Ga2O3晶体和Si掺杂后退火处理的β-Ga2O3晶体进行了X射线光电子能谱分析(XPS),对比分析不同样品的Ga3d、Ga2p、O1s特征峰位和峰强度...
[会议论文] 作者:张颖武,程红娟,练小正,司华青,李璐杰, 来源:第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份:2015
  硒化镉(CdSe)是一种性能优异的长波红外用非线性光学晶体材料。如何获得大尺寸CdSe晶体材料是该材料制备的难点之一。本文采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法进行CdSe单晶...
[期刊论文] 作者:练小正, 张胜男, 程红娟, 齐海涛, 金雷, 徐永宽,, 来源:半导体技术 年份:2004
以高纯Ga2O3为原料,使用自主设计的单晶生长炉,采用导模(EFG)法生长了2英寸(1英寸=2.54 cm)未掺杂的高质量β-Ga2O3单晶。研究了保护气氛对抑制Ga2O3原料高温分解速率的影响,对制...
[期刊论文] 作者:张胜男,练小正,张颖,王健,刘卫丹,程红娟,, 来源:半导体技术 年份:2020
β-Ga2O3单晶材料由于其优异的性能得到了广泛关注,但是对于其掺杂、能级、电学性能等方面的研究仍然比较欠缺.采用导模法分别制备了非故意掺杂β-Ga2O3单晶和Si/Mg/Fe掺杂的...
[期刊论文] 作者:杨丹丹, 金雷, 张胜男, 练小正, 孙科伟, 程红娟, 徐, 来源:微纳电子技术 年份:2004
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[期刊论文] 作者:练小正, 张胜男, 程红娟, 王健, 齐海涛, 陈建丽, 徐, 来源:微纳电子技术 年份:2018
针对β-Ga2O3单晶易解理的特性,研究了晶体形状对其(100)主解理面的机械剥离影响。结果表明,棱角较为平缓的体单晶机械剥离时容易出现碎裂,而棱角尖锐的体单晶极易实现机械剥离...
[期刊论文] 作者:练小正,齐海涛,张颖武,司华青,程红娟,徐永宽,, 来源:半导体技术 年份:2015
采用物理气相输运(PVT)法生长了直径为50 mm的K掺杂Cd S晶体,对掺杂和未掺杂的Cd S晶片进行显微观察、二次离子质谱(SIMS)成分分析、红外光谱透过率以及霍尔效应测试,研究了K...
[期刊论文] 作者:练小正,李璐杰,张志鹏,张颖武,程红娟,徐永宽,, 来源:人工晶体学报 年份:2016
采用垂直布里奇曼法(VB法)生长2英寸GaSb单晶,分析了GaSb多晶产生的原因,即GaSb原料与覆盖剂中残留水分发生化学反应生成氧化镓残渣,残渣吸附在坩埚内壁导致GaSb多晶形成。通过...
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