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[期刊论文] 作者：简崇玺,
来源：集成电路通讯 年份：2010
集成电路集成度的提高，特别是等离子刻蚀工艺的广泛应用，对LPCVD淀积的二氧化硅薄膜的质量，提出了更高的要求。分析了LPCVD系统的气体弥散管和石英笼罩舟的结构及其对改善LTO膜......
[期刊论文] 作者：简崇玺,,
来源：集成电路通讯 年份：2008
氮化硅（摘要）薄膜具有许多优良特性，在半导体、微电子和MEMS领域应用广泛。本文简要介绍了利用CVD方法制备摘要薄膜以及Si3N4薄膜的特性，详细介绍了低压化学气相淀积（Low Pressure......
[期刊论文] 作者：简崇玺,高博,
来源：集成电路通讯 年份：2012
多晶硅薄膜在电学、力学、光学方面具有很多优良特性，已被广泛应用于半导体集成电路和MEMS器件制造等领域。LPCVD系统的腔室反应压力、淀积温度、气体流量等条件对多晶硅薄膜...
[期刊论文] 作者：汪继芳,刘善喜,简崇玺,,
来源：电子工艺技术 年份：2012
双面PSD器件具有很高的灵敏度、良好的瞬态响应特性、紧密的结构以及简单的处理电路等优点。介绍了PSD器件的制作技术。重点介绍了利用微细加工技术进行双面两侧分流电极型PS...
[期刊论文] 作者：简崇玺,姜楠,周福虎,高博,
来源：集成电路通讯 年份：2016
为解决带有氮化硅薄膜工艺的BJT与JFET兼容的双极型集成电路横向PNP管和纵向PNP管放大系数衰减的技术难点，对此类电路的工艺现状进行分析并对工艺途径进行优化改善，在淀积氮化...
[期刊论文] 作者：汪继芳,简崇玺,王文婧,
来源：集成电路通讯 年份：2011
悬空膜技术是MEMS器件制作中的一项基础工艺技术，它利用不同材料在同一种腐蚀液（或腐蚀气体）中腐蚀速率的差异，选择性地将结构图形与衬底之间牺牲层材料刻蚀掉，形成空腔膜或其它悬......
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