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[学位论文] 作者：秦军瑞,,
来源：国防科学技术大学 年份：2009
作为时钟产生和同步的电路,锁相环(PLL)被广泛应用于各种航天器的电子和通信系统中。空间辐射环境中的PLL在单粒子作用下,将产生频率或相位偏差,甚至导致振荡中止,造成通信或...
[学位论文] 作者：秦军瑞,,
来源：国防科学技术大学 年份：2013
我国航天科技迅速发展，航天器对先进集成电路抗辐照技术的研究需求十分迫切。随着集成电路工艺的不断进步、芯片上集成的晶体管数目不断增加、时钟频率不断增加、工作电压以及......
[期刊论文] 作者：李达维,秦军瑞,陈书明,,
来源：国防科技大学学报 年份：2012
基于TCAD（Technology Computer-Aided Design）3-D模拟,研究了25 nm鱼鳍型场效应晶体管（Fin Field Effect Transistor,FinFET）中单粒子瞬态效应的工艺参数相关性。研究表明一些重...
The temperature dependence of single-event transients in 90-nm CMOS dual-well and triple-well NMOSFE
[期刊论文] 作者：李达维,秦军瑞,陈书明,,
来源：Chinese Physics B 年份：2013
This paper investigates the temperature dependence of single-event transients(SETs) in 90-nm complementary metat-oxide semiconductor(CMOS) dual-well and triple-...
[会议论文] 作者：张超,方粮,李鑫,秦军瑞,
来源：第十四届计算机工程与工艺会议(NCCET'10) 年份：2010
石墨烯(单层石墨)中的碳原子以正六边形结构构成蜂窝状二维晶体,其中的碳原子以sp2杂化成键.石墨烯是目前为止发现的最轻而且经过测试为最结实的材料且具有极高的载流子迁移...
[期刊论文] 作者：丁一,胡建国,秦军瑞,谭洪舟,,
来源：Chinese Physics B 年份：2015
As the device size decreases, the soft error induced by space ions is becoming a great concern for the reliability of integrated circuits(ICs). At present, the...
[期刊论文] 作者：秦军瑞,陈书明,陈建军,梁斌,刘必慰,,
来源：国防科技大学学报 年份：2011
研究了影响SEL敏感性的关键因素。针对180rim体硅工艺，基于校准的CMOS反相器器件模型，使用器件模拟的方法，研究了粒子人射位置、温度、阱／衬底接触位置、NMOS与PMOS间距等因素对S......
[期刊论文] 作者：刘征,陈书明,陈建军,秦军瑞,刘蓉容,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
Using three-dimensional technology computer-aided design (TCAD) simulation, parasitic bipolar amplification in a single event transient (SET) current of a singl...
[期刊论文] 作者：陈吉华,秦军瑞,赵振宇,刘衡竹,,
来源：国防科技大学学报 年份：2009
分析验证了传统D触发器型PFD结构的SEE敏感性,提出了一种新型的SEU/SET加固鉴频鉴相器,SPICE模拟结果表明该结构功能正确,对于1GHz的时钟信号,鉴频鉴相的精度可达0.8rad。锁...
[期刊论文] 作者：秦军瑞, 陈书明, 张超, 陈建军, 梁斌, 刘必慰,,
来源：物理学报 年份：2004
利用第一性原理的计算方法,研究了A-Z-A型GNR-FET的电子结构和输运性质及其分子吸附效应.得到了以下结论:纯净的A-Z-A型GNR-FET具有典型的双极型晶体管特性,吸附分子的存在会...
[期刊论文] 作者：秦军瑞,陈书明,李达维,梁斌,刘必慰,,
来源：Chinese Physics B 年份：2012
In this paper,we investigate the temperature and drain bias dependency of single event transient(SET) in 25-nm fin field-effect-transistor(FinFET) technology in...
[期刊论文] 作者：赵振宇,赵学谦,张民选,郭斌,秦军瑞,,
来源：计算机工程与科学 年份：2009
单粒子瞬变（SET）现象对高性能计算的影响日益严重，本文对高性能微处理器中锁相（PLL）的RHBD（Radiation Hardened-By-Design）加固方法进行了分析和总结，从系统级和电路级两个方面对PIA......
[期刊论文] 作者：秦军瑞,陈吉华,赵振宇,梁斌,刘征,,
来源：计算机工程与科学 年份：2011
空间辐射环境中的锁相环在SET作用下，将产生频率或相位偏差，甚至导致振荡中止，造成通信或功能中断。压控振荡器是锁相环中的关键电路，也是对SET最为敏感的部件之一。本文基于工艺......
[期刊论文] 作者：陈建军,陈书明,梁斌,刘征,刘必慰,秦军瑞,
来源：电子学报 年份：2011
本文研究了负偏置温度不稳定性（NBTI）对单粒子瞬态（SET）脉冲产生与传播过程的影响.研究结果表明：NBTI能够导致SET脉冲在产生与传播的过程中随时间而不断展宽.本文还基于工艺计算机......
[期刊论文] 作者：陈建军,陈书明,梁斌,刘必慰,池雅庆,秦军瑞,何益百,,
来源：物理学报 年份：2011
由于负偏置温度不稳定性和热载流子注入,p型金属氧化物半导体场效应晶体管(pMOSFET)将在工作中不断退化,而其SiO2/Si界面处界面态的积累是导致其退化的主要原因之一.采用三维...
[期刊论文] 作者：赵振宇，赵学谦，张民选，郭斌，秦军瑞，ZHAOZhen-yu，ZHAOXue-qian，ZHANGMin-xuan，GUOBin，QINJun-rui,
来源：计算机工程与科学 年份：2009
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