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Total ionizing dose radiation effects on NMOS parasitic transistors in advanced bulk CMOS technology
[期刊论文] 作者：何宝平,王祖军,盛江坤,黄绍艳,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
In this paper,total ionizing dose effect of NMOS transistors in advanced CMOS technology are examined.The radiation tests are performed at ~(60)Co sources at th...
[期刊论文] 作者：司文, 王文杰, 王铁军, 牛国盛, 江坤, 吴瑞岳,,
来源：山西医科大学学报(基础医学教育版) 年份：2010
为加强实习医师带教管理,培养创新型人才,将临床路径理念引入临床教学工作过程中,探讨临床路径教学法在提高实习医师带教质量中的应用效果。结果显示实施临床路径带教对健全...
[期刊论文] 作者：王祖军,罗通顶,杨少华,刘敏波,盛江坤,,
来源：中国空间科学技术 年份：2014
针对电荷耦合器件（CCD）在空间轨道环境中应用时易受到辐射损伤的影响，对面阵CCD的电离辐照损伤效应问题进行了试验研究。首先，通过开展面阵CCD60Coγ射线电离辐照效应试验，在暗场......
[期刊论文] 作者：刘敏波,姚志斌,黄绍艳,何宝平,盛江坤,,
来源：原子能科学技术 年份：2014
针对辐照前高温老练(Burn-in)影响SRAM器件的抗总剂量辐射能力问题,进行了实验研究。选取了3种不同工艺尺寸SRAM存储器,利用60 Co放射源对经过高温老炼和不经过高温老炼(No B...
[期刊论文] 作者：秦丽, 郭红霞, 张凤祁, 盛江坤, 欧阳晓平, 钟向丽,,
来源：物理学报 年份：2004
以型号为FM28 V100的铁电存储器为研究对象,进行了60Co γ射线和2 Me V电子辐照实验.研究了铁电存储器不同工作方式、不同辐射源下的总剂量辐射损伤规律,用J-750测试部分直流...
[期刊论文] 作者：刘敏波，姚志斌，黄绍艳，何宝平，盛江坤，LIUMin-bo，,
来源：原子能科学技术 年份：2014
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[期刊论文] 作者：王祖军,刘静,薛院院,何宝平,姚志斌,盛江坤,,
来源：半导体光电 年份：2017
CMOS图像传感器(CIS)在空间辐射或核辐射环境中应用时,均会受到总剂量辐照损伤的影响,严重时甚至导致器件功能失效。文章从微米、超深亚微米到纳米尺度的不同CIS生产工艺、从...
[会议论文] 作者：刘敏波, 陈伟, 姚志斌, 何宝平, 黄绍艳, 盛江坤, 肖,
来源： 年份：2004
选取了两种类型的双极晶体管和九种双极集成电路,利用-1Co放射源开展了四种不同剂量率下的辐照实验,测量了双极晶体管基极电流以及运算放大器和比较器的输入偏置电流等辐射敏...
[期刊论文] 作者：秦丽, 郭红霞, 张凤祁, 盛江坤, 欧阳晓平, 钟向丽, 丁李,
来源：物理学报 年份：2018
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[期刊论文] 作者：缑石龙,马武英,姚志斌,何宝平,盛江坤,薛院院,潘琛,
来源：物理学报 年份：2021
为了研究氢气与辐射感生产物之间的作用关系,以栅控横向PNP双极晶体管为研究对象,分别开展了氢气氛围中浸泡后的辐照实验和辐照后氢气氛围中退火实验,结果表明:氢气进入双极晶体管后会使其辐照损伤增强,并且未浸泡器件辐照后在氢气中退火也会使晶体管辐射损伤增......
[期刊论文] 作者：黄绍艳, 刘敏波, 姚志斌, 盛江坤, 肖志刚, 何宝平, 王祖,
来源：强激光与粒子束 年份：2014
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[会议论文] 作者：刘敏波, 陈伟, 姚志斌, 何宝平, 黄绍艳, 盛江坤, 肖志刚,
来源：中国核科学技术进展报告（第三卷）——中国核学会2013年学术年会 年份：2013
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[期刊论文] 作者：何宝平,姚志斌,刘敏波,黄绍艳,王祖军,肖志刚,盛江坤,
来源：现代应用物理 年份：2013
采用多陷阱的理论方法,模拟了不同剂量率辐照下MOS电容的总剂量效应,分析了氧化层空间电荷场效应与辐照剂量率的关系.研究了氧化层中浅能级陷阱、深能级陷阱对界面俘获电荷和...
[期刊论文] 作者：秦丽,郭红霞,张凤祁,盛江坤,欧阳晓平,钟向丽,丁李利,罗尹,
来源：物理学报 年份：2018
以型号为FM28 V100的铁电存储器为研究对象,进行了60 Coγ射线和2 MeV电子辐照实验.研究了铁电存储器不同工作方式、不同辐射源下的总剂量辐射损伤规律,用J-750测试部分直流...
[期刊论文] 作者：何宝平,刘敏波,王祖军,姚志斌,黄绍艳,盛江坤,肖志刚,,
来源：计算物理 年份：2015
从氧化层俘获空穴和质子诱导界面态形成的物理机制出发,建立部分耗尽SOI器件总剂量辐射诱导的氧化层陷阱电荷和界面态物理模型,模型可以很好地描述辐射诱导氧化层陷阱电荷和...
[期刊论文] 作者：王祖军,薛院院,姚志斌,马武英,何宝平,刘敏波,盛江坤,,
来源：半导体光电 年份：2017
提出了光电图像传感器辐照效应参数测试需要解决的问题,简述了光电图像传感器参数测试国际标准(EMVA1288)的原理和要求,建立了基于EMVA1288国际标准的光电图像传感器辐照效应...
[期刊论文] 作者：何宝平,姚志斌,盛江坤,王祖军,黄绍燕,刘敏波,肖志刚,
来源：中国物理C：英文版 年份：2015
Radiation induced offstate leakage in the shallow trench isolation regions of SIMC 0.18 μm nMOSFETs is studied as a function of dose rate. A "true" dose rate e...
[期刊论文] 作者：马武英,姚志斌,何宝平,王祖军,刘敏波,刘静,盛江坤,董观涛,
来源：物理学报 年份：2018
对65 nm互补金属氧化物半导体工艺下不同尺寸的N型和P型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET和PMOSFET）开展了不同偏置条件下电离总剂量辐照实验.结果表明：PMOSFET的电离辐射...
[期刊论文] 作者：刘敏波,陈伟,姚志斌,黄绍艳,何宝平,盛江坤,肖志刚,王祖军,,
来源：强激光与粒子束 年份：2014
选择了四种典型双极集成电路,在两种不同剂量率下,开展了不同温度的高温辐照加速实验,测量了典型双极集成电路的辐射敏感参数在不同高温辐照下的变化规律。实验结果表明:高温...
[期刊论文] 作者：姚志斌,陈伟,何宝平,马武英,盛江坤,刘敏波,王祖军,金军山,
来源：原子能科学技术 年份：2018
本文建立了包含温度场的低剂量率辐照损伤增强效应（ELDRS）的物理模型,利用有限元方法仿真了辐照温度、剂量率、总剂量和辐射感生产物浓度的相互关系,分析了工艺参数,如氧化物陷......
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