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[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：半导体杂志 年份：1996
随着SiC单晶和薄膜制备技术日趋成熟以及相关器件工艺的显著进展,各种SiC器件如pn结与肖特基势垒整流器、JFET、MESFET、增强/耗尽型MOSFET、SiC-Si异质结高频双极晶体...
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：半导体杂志 年份：1995
本文介绍宽禁带半导体金刚石材料的结构、物理特性、器件结构和制备工艺，并根据材料的特性参数，给出金刚石功率器件频率与功率性能预测，与Ｓｉ，ＧａＡｓ等材料进行了比较。最后指出金刚石半导......
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：无机材料学报 年份：1996
本文研究了静电喷雾高温分解工艺制备的ＳｎＯ２薄膜气体传感器在不同温度与气氛条件下的复阻抗谱，根据等效电路模型与复阻抗谱的变化，分析了电导调制机构与气敏机理，基于气体在晶界与表......
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：西安理工大学学报 年份：1994
多孔硅是晶体硅片在氢氟酸溶液中进行阳极氧化，在硅衬底上形成多孔态的硅材料。本文介绍了多孔硅的形成和结构形貌，对其光学性质和发光机制进行了扼要讨论，并介绍了当前多孔硅研......
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：传感器技术 年份：1994
讨论了锑化铟(InSb)磁敏电阻的工作原理、设计与制备工艺,并介绍了InSb磁敏电阻作为一种非接触敏感器件的典型应用。...
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：半导体杂志 年份：1996
本文介绍了半导体ＳｉＣ材料的结构和特性、材料制备及器件研制的进展，并与Ｓｉ、ＧａＡｓ、金刚石等材料作了比较，强调指出ＳｉＣ做为一种接近实用的高温、高频、高功率和抗辐射器件材料的优越性，同时亦......
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：电子与仪表 年份：1991
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[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：电子与仪表 年份：1992
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[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：电力电子技术 年份：1994
微电子学与集成技术的长足进步,带动了硅电力电子器件的飞速发展.然而,受硅材料特性的限制,在兼顾高频大功率和提高工作温度方面不可能再有更大的突破.从大功率应用目的...
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：半导体学报 年份：1996
本文研究了Ｐ／ｎ－Ｉｎｐ肖特基二极管在氢，氧气氛下的Ｉ－Ｖ，Ｃ－Ｖ以及复阻抗谱特性，测试结果表明：在氢气氛下势垒高度降低，在氢气氛下势垒高度增加，对二者均有良好的敏感特性。......
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：仪表技术与传感器 年份：1998
叙述了场效应气敏器件的基本理论和重要研究方向－高温场效应气敏器件和阵列式智能气体传感器。...
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：中国大学教学 年份：1993
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[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：电子与仪表 年份：1995
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[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：半导体技术 年份：1990
本文主要讨论根据正向J_F-V特性和C-V特性测试数据解析肖特基势垒高度和理想因子的数据处理方法和计算程序。以溅射工艺形成的Pt-Si接触为例,给出了在不同温度和退火气氛条件...
[期刊论文] 作者：田敬民,,
来源：电气传动自动化 年份：1996
本文介绍了近年来ＭＯＳ晶闸管的新进展，分析了各种新器件的结构特点、工作原理及其主要特性。...
[期刊论文] 作者：田敬民,,
来源：物理实验 年份：1990
一、前言为了防止高压硅功率半导体器件反向偏压时PN结击穿,PN结表面造型技术是一种行之有效的手段。通过表面造型使裸露在表面上的空间电荷区展宽,从而降低表面最大电...
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1996
采用静电喷雾高温分解工艺制备ＳｎＯ２气敏膜，并与Ｓｉ３Ｎ４－ＳｉＯ２集成多层介质膜，用催化金属Ｐｔ作栅电极，制成新型的ＭＳＩＳ结构气敏电容。通过检测平带电压的变化，研究对Ｈ２和Ｏ２的气敏特性，分析其气敏机理并提出了检测......
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：电子与仪表 年份：1995
讨论了金属氧化物半导体ＳｎＯ２气体传感器基本特性的表征方法，给出了报警监测以及传感器用于低浓度气氛中测量电路的设计原理。...
[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：电子与仪表 年份：1994
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[期刊论文] 作者：田敬民,
来源：电子与仪表 年份：1994
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