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[会议论文] 作者：方芳,林成鲁,沈宗雍,
来源：中国电子学会生产技术学会1987年第三届学术年会 年份：1987
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[期刊论文] 作者：林成鲁,邹世昌,沈宗雍,
来源：物理 年份：1989
绝缘层上多晶硅的激光再结晶所制备的SOI(sil con on insulator)材料,可用于制造高速、抗辐照器仲,复合功能电路及三维结构的集成电路.它具有易于隔离(因而可以缩小电路尺...
[期刊论文] 作者：林成鲁,沈宗雍,邹世昌,
来源：人工晶体 年份：1985
在绝缘层上生长硅材料的 SOI(Silicon on Insulator)技术对于制作高密度的 MOS 电路与新型的三维集成电路有重要的应用前景,近几年已引起了国际上许多国家的密切注意。这种...
[期刊论文] 作者：沈宗雍,吴汝麟,何宇亮,
来源：半导体学报 年份：2004
用电容式辉光放电系统淀积了Si:H薄膜,利用X光衍射法分析了薄膜的结构.本实验条件下,T_s≤300℃下淀积的膜是无定形膜,而当T_s≥320℃淀积的膜已具有微晶结构,平均晶粒大小随...
[期刊论文] 作者：何宇亮,沈宗雍,颜永红,
来源：科学通报 年份：1982
一、引言 近两年来国外报道了非晶硅薄膜的晶化问题。由于非晶半导体的热力学相是不稳定的,具有无序网络结构的非晶态硅只要经过一定的工艺处理(如退火、激光辐照或掺杂)就...
INFLUENCE OF LASER RECRYSTALLIZATION AND HYDROGEN ANNEALING ON ELECTRICAL CHARACTERISTICS OF POLYSIL
[期刊论文] 作者：方芳,林成鲁,沈宗雍,邹世昌,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1986
Asenic ions are implanted with doses of 5×10~(11)—5×10~(15)/cm~2 into LPCVD polysilicon films onSiO_2 isolating substrate.The polysilicon films have been re...
[期刊论文] 作者：方芳,林成鲁,沈宗雍,邹世昌,
来源：电子科学学刊 年份：1986
连续Ar~+激光再结晶能使多晶硅的电阻率下降,迁移率显著增高,对离子注入剂量为5×10~(11)—5×10~(15)cm~(-2)的多晶硅经激光再结晶后再进行等离子氢退火,能使其电学性质得到...
[期刊论文] 作者：沈宗雍,林成鲁,方芳,邹世昌,
来源：科学通报 年份：1985
SOI(Silicon on Insulator)材料是发展高速CMOS-LSI(Complementary matal-oxide-semiconductor-large scale integrated circuits)和三维集成电路的理想材料。最近几年,利用...
[期刊论文] 作者：沈宗雍,林成鲁,邹世昌,薛自,
来源：电子学报 年份：1986
在Ar~+激光再结晶多晶硅岛上制备出的CMOS/SOI器件,性能良好。N沟和P沟MOSFE7在沟道长度为4μm时,低场电子和空穴表面迁移串分别为510cm~2/V.s和142cm~2/V.s;CMOS六倒相器有...
[期刊论文] 作者：刘湘娜,何宇亮,沈宗雍,吴汝麟,
来源：电子学报 年份：1983
本文研究了用常压GVD法和GD(辉光放电)法生长的非晶与多晶硅薄膜电导特性随膜中晶粒大小的变化规律。在临近晶化温度上下范围生长的样品,带尾宽度随膜中晶粒增大而显著地减小...
[期刊论文] 作者：吴汝麟,何宇亮,沈宗雍,颜永红,
来源：科学通报 年份：1983
近些年来,由于非晶硅太阳能电池及其它非晶器件的新颖性引起人们的极大兴趣。在非晶硅器件的研制过程中,置换性掺杂是一项重要的工序。而掺杂后对非晶硅薄膜结构、电学及光...
[期刊论文] 作者：林成鲁,沈宗雍,方芳,林梓鑫,邹世昌,
来源：中国激光 年份：1985
利用连续Ar 激光使绝缘层上的多晶硅薄膜再结晶.实验结果表明多晶硅晶粒尺寸显著增大,电学性能大为改善,并且与常规的集成电路工艺相容....
[期刊论文] 作者：邹世昌,沈宗雍,林成鲁,倪如山,林梓鑫,姚良骐,朱桂枫,,
来源：电子学报 年份：1983
绝缘衬底上以低压化学汽相淀积得到的多晶硅膜,经连续Ar~+激光再结晶后,电学性质显著改善,晶粒尺寸从原来的200～500埃增大到10μm左右。利用激光再结晶后的多晶硅膜制备了增强...
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