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[学位论文] 作者：武红磊,
来源：深圳大学 年份：2007
氮化铝(AlN)晶体是一种优良的直接带隙宽禁带(6.2eV)化合物半导体材料，在光电子领域，是一种理想的紫外光电子器件材料。同时氮化铝晶体具有高击穿场强、高热导率、化学和热稳定...
[会议论文] 作者：武红磊,
来源：2021光电子材料与器件发展论坛 年份：2021
氮化铝(AlN)是宽禁带半导体材料(氮化镓、碳化硅、金刚石等)的典型代表之一，具有宽带隙、高激子结合能、高熔点、高临界击穿场强、高硬度、高热导率、高温热稳定性和耐化学腐蚀等优异特性。......
[会议论文] 作者：武红磊,
来源：2019第二届光电材料与器件战略论坛 年份：2019
宽禁带半导体材料-氮化铝(AlN)晶体具有超宽的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强、极高的热导率、良好的光学和力学等性质,同时,AlN 与AlGaN 属同族材料,两者的晶格失配最大值仅为2.4％,且热膨胀系数几乎相同,故以AlN 单晶作为衬底可以极大地改善AlGaN 器件的性能.......
[期刊论文] 作者：郑瑞生,武红磊,,
来源：深圳大学学报(理工版) 年份：2010
评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶...
[期刊论文] 作者：郑瑞生,武红磊,
来源：深圳大学学报 年份：2004
评述氮化铝体单晶生长技术中常用的金属铝直接氮化法、溶解生长法、氢化物气相外延法和物理气相传输法.指出氢化物气相外延法和物理气相传输法是前景看好的生长氮化铝体单晶...
[会议论文] 作者：郑瑞生,武红磊,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：郑瑞生,武红磊,
来源：第十八届全国半导体物理学术会议 年份：2011
通过对氮化铝晶体及其制备方法高温物理气相法的简要介绍，总结了制备过程中的难点，并概述了在基本掌握了氮化铝晶体生长习性和工艺条件的基础上取得的研究进展。...
[会议论文] 作者：武红磊,郑瑞生,
来源：第二十届全国半导体物理学术会议 年份：2015
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[会议论文] 作者：武红磊,郑瑞生,
来源：第17届全国晶体生长与材料学术会议 年份：2015
氮化铝(AlN)晶体做为第三代半导体材料的典型代表，具有宽直接带隙(带宽6.2 eV)、高热导率、高击穿场强、高电子饱和速率、高抗辐射能力等优点，同时，无毒性，对人体无害，对环境......
[期刊论文] 作者：闫征,郑瑞生,武红磊,
来源：人工晶体学报 年份：2014
采用基于密度泛函理论的第一性原理全势线性缀加平面波法,研究了Li-O共掺杂纤锌矿AlN体系的晶格结构、电子态密度、能带结构和光学性质,较详细地分析了O对Li掺杂AlN晶体p型特...
[期刊论文] 作者：武红磊,郑瑞生,孟姝,
来源：人工晶体学报 年份：2009
在不添加任何添加剂的情况下,采用氮化铝粉体作高温气相法生长氮化铝晶体的保温材料。实验结果表明：氮化铝保温材料具有耐高温、对钨坩埚材料没有损伤、使用寿命长、不易在晶......
[期刊论文] 作者：闫征,武红磊,郑瑞生,
来源：硅酸盐通报 年份：2013
采用基于密度泛函理论的全势线性缀加平面波法，研究了C：Si共掺杂纤锌矿AlN晶体的32原子超胞体系，得到了该体系的能带结构、电子态密度等性质，在此基础上分析了C：Si共掺杂实现AlN晶......
[期刊论文] 作者：武红磊,郑瑞生,孟姝,
来源：第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2008
保温材料是影响高温气相法生长氮化铝晶体的主要素之一。石墨由于其优良的耐高温性和低的热导率,成为目前制备氮化铝最常用的保温材料,但是存在易引入碳杂质、减少坩埚寿命等缺点。本文采用不添加任何添加剂氮化铝粉体制作了高温气相法生长氮化铝晶体的保温材料......
[会议论文] 作者：闫征,郑瑞生,武红磊,
来源：第13届全国发光学学术会议 年份：2013
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[会议论文] 作者：武红磊,孙振华,郑瑞生,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
氮化铝(AlN)晶体是新型宽禁带半导体材料的典型代表,具有6.2eV的直接带隙、高热导率、高击穿场强、高电子饱和速率、高抗辐射能力等优良特性,且无毒性,对人体无害,对环境无污染,以及原料来源丰富.因此,氮化铝晶体是制作紫外光电器件以及高频、大功率、抗辐射的......
[期刊论文] 作者：武红磊,郑瑞生,孙秀明,
来源：半导体学报 年份：2007
研究了物理气相法制备AlN晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,AlN晶体的...
[会议论文] 作者：武红磊,郑瑞生,孙秀明,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
研究了物理气相法制备氮化铝晶体的过程中生长条件的改变对晶体生长的影响.实验中,采用带石墨环的坩埚组件可以避免高温下钨坩埚体和盖的粘结问题.随着生长温度的升高,氮化铝...
[期刊论文] 作者：许桂雯,张凤霞,武红磊,
来源：教育教学论坛 年份：2021
随着创新型、应用型、复合型人才培养的需求,以及实验类“金课”新标准的提出,高校大型仪器的开放共享与实验教学改革越来越受到关注.依托高校大型仪器公共服务平台资源,提出了基于真实情境与案例的探究式教学创新方法.该教学方法在真实案例素材库的基础上,创建......
[会议论文] 作者：武红磊,郑瑞生,刘文,郑伟,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
在碳化硅(SiC)衬底上通过物理气相传输(PVT)法制备出氮化铝晶体。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微(SEM)和能量色散光谱(EDS)等手段对制备出的样品进行分析测试。同时,再结合碳化硅和氮化铝的物理、化学特性以及对制备过程的分析。由此得知,由于作为衬底的碳化......
[期刊论文] 作者：陈冉,郑瑞生,庄志贤,武红磊,,
来源：计算机工程与设计 年份：2017
为解决嵌入式Web服务器操作繁杂的问题,讨论DNS欺骗技术的基本原理与嵌入式Web服务器的常用技术,提出将DNS欺骗技术与嵌入式Web服务器相结合实现网页的重定向的解决方案。结...
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