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[会议论文] 作者：梁俊厚,崔铮,
来源：第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会 年份：1997
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[会议论文] 作者：梁俊厚,葛璜,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[会议论文] 作者：梁俊厚,周先明,
来源：第九届全国电子束.离子束.光子束学术年会 年份：1997
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[会议论文] 作者：陈宝钦,梁俊厚,
来源：中国真空学会电子材料与器件第十届学术年会 年份：1994
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[会议论文] 作者：梁俊厚,陈宝钦,
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果，研究人员针对不同的电子束机型，采用了不同的电子束曝光工艺（包括抗蚀剂工艺、曝光工艺及图形转换工艺），研制的器件包括具有0．2um栅长的高电子迁移率晶体管（HEMT）具有叉指宽度为0.82-0.7微米、中心频率为950MHz，1.134GHz，1.35......
[会议论文] 作者：梁俊厚[1]陈宝钦[2],
来源：全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议 年份：1998
该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果，研究人员针对不同的电子束机型，采用了不同的电子束曝光工艺（包括抗蚀剂工艺、曝光工艺及图形转换工艺），研制的器件包括具有0．2um栅长......
[会议论文] 作者：刘明,陈宝钦,梁俊厚,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
电子束曝光技术是目前相当活跃的研究领域，广泛应用于量子效应器件制造及纳米级超微细加工中，简单介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂、电子束纳米级加工及基于ＪＢＸ－５０００ＬＳ系统的一些研究工......
[会议论文] 作者：梁俊厚,侯豪清,韩阶平,
来源：第六届全国电子束离子束光子束学术年会 年份：1991
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[期刊论文] 作者：孙毓平, 朱文珍, 梁俊厚, 葛璜, 梁久春,,
来源：电子科学学刊 年份：1985
本文研究了电子束光刻中电子能量（10—30keV）和电荷剂量(10-6—10-3C·cm-2)对铝栅MOS电容器的损伤和低温退火（...
[期刊论文] 作者：孙毓平,朱文珍,梁俊厚,葛璜,梁久春,,
来源：Journal of Electronics(China) 年份：1986
The irradiation damages in the electron beam lithography(EBL)to Al-gate MOS capacitors inthe ranges of 10—30keV and 10~(-6)—10~(-3)C·cm~(-2) and the effects...
[期刊论文] 作者：周静,龙品,刘大禾,徐大雄,陈宝钦,梁俊厚,
来源：高技术通讯 年份：1994
相移掩模方法是一种新的光刻技术，它可以提高现有光刻设备的分辨率，使超大规模集成电路及二元光学的制作迈上一个新台阶。本文介绍了相移掩模方法的基本原理，用部分相干光成象理......
[会议论文] 作者：陈宝钦,刘明,梁俊厚,韩郑生,张建宏,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
为适应我国开展亚微米、深亚微米以至纳米级光刻技术的研究和开发的需要，吕国科学院微电子中心近期引进了ＪＢＸ－５０００ＬＳ电子束光刻系统，着重介绍利用该设备开展电子束直写及超微细加工技术研......
[期刊论文] 作者：孙毓平,韩阶平,梁俊厚,葛璜,梁久春,
来源：半导体学报 年份：2004
扫描电子束曝光是微细图形加工中的一项核心技术.它既是远紫外、X-射线、投影电子束光刻制备微米、亚微米精细掩模的主要手段,也是在硅片上直接加工微细图形的重要光刻技术...
[会议论文] 作者：张建宏;梁俊厚;陈宝钦;刘明;张卫红;李友;,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
该文介绍了利用可变矩形束电子束曝光机，在制作亚微米器工作中遇到的工艺技术难点及采用的相应技术方案，描述了为适应制作亚微米图形，采用的几步关键调机方法，给出了有关可变矩形......
[会议论文] 作者：张建宏,梁俊厚,陈宝钦,刘明,李友,张卫红,
来源：第十届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：1999
介绍利用自行设计的检测图形，检测可变矩形束曝光机成形光阑形态，描述了成形光阑的调整方法，而成形光阑形态、位置的正确与否直接关系到器件和电路芯的制作质量。通过大量实验检......
[期刊论文] 作者：刘明,陈宝钦,梁俊厚,李友,徐连生,张建宏,张卫红,
来源：微电子学 年份：2000
电子束曝光技术是近三十年来发展起来的一门技术 ,主要应用于 0 .1～ 0 .5μm的超微细加工 ,甚至可以实现纳米线条的曝光。文中重点介绍电子束曝光系统、电子束抗蚀剂以及电子...
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