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[期刊论文] 作者：曾伊浓,易映萍,董晓帅,
来源：高电压技术 年份：2021
为了对碳化硅(SiC)MOSFET功率器件的特性参数进行全面的研究,提出了一种碳化硅(SiC)MOSFET变温度参数模型,该模型考虑了功率器件中封装引脚寄生电感、内部寄生电容、体二极管...
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