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[学位论文] 作者：戴家赟,
来源：中国科学院大学 年份：2016
石墨烯凭借其优异的性能在众多领域有着极为广泛的应用前景，大尺寸高质量单晶石墨烯材料的制备是石墨烯研究领域的热点。在(110)晶面的锗衬底上通过无缝拼接法可以获得大尺寸...
[期刊论文] 作者：许理达,戴家赟,孔月婵,王元,
来源：电子元件与材料 年份：2021
针对基于外延层转移技术的InP HBT与Si COMS异质集成工艺中的器件互连问题,本文系统性地开展了ICP干法刻蚀BCB(苯并环丁烯)工艺研究。重点研究了射频功率、腔室压强和刻蚀气...
[期刊论文] 作者：彭龙新,戴家赟,王钊,贾晨阳,
来源：电子与封装 年份：2021
提出了一种电流垂直流动的纵向导电PIN二极管集成限幅器.根据功率要求,确定了 PIN的P+、I和N+层浓度和厚度等参数,并设计了工艺实现方案和加工方法,成功研制的SiC衬底Si PIN...
[期刊论文] 作者：彭龙新,戴家赟,王钊,贾晨阳,杨进,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
南京电子器件研究所首次提出了PIN异质集成纵向结构超大高功率限幅器构想,引入现有MMIC限幅器不具有的纵向导电结构和SiC衬底的高导热特性,把Si薄层二极管转移到SiC衬底上,极...
[期刊论文] 作者：郭怀新,戴家赟,潘斌,周书同,孔月婵,陈堂胜,朱健,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2021
针对化合物半导体与Si基晶圆异质集成中的热失配问题,利用有限元分析方法开展GaAs半导体与Si晶片键合匹配偏差及影响因素研究,建立了101.6 mm(4英寸)GaAs/Si晶圆片键合匹配偏...
[期刊论文] 作者：戴家赟,陈鑫,王登贵,吴立枢,周建军,王飞,孔月婵,陈堂胜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2023
通过研究基于临时键合与解键合工艺的GaN、InP等材料无损剥离和晶圆级柔性集成等关键技术，提出了解决当前柔性化合物半导体器件普遍存在的转移后器件性能退化严重和大面积批量制造困难等问题的方案，制备出100 mm（4英寸）柔性GaN HEMT器件和75 mm （3英寸）InP HBT器件。......
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