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[学位论文] 作者：徐礼磊,
来源：南京邮电大学 年份：2021
作为一种新型的半导体材料,Ga2O3具有超宽的带隙、超高的临界击穿电场以及不同晶相下独特的性质,在光电子、高功率以及高频器件研究领域都有极其广阔的应用前景。本论文针对Ga2O3/Ga N相关FET的基本特性、电流崩塌效应展开了详细研究。取得的相关研究成果如下:......
[期刊论文] 作者：祝冉冉,张玉,徐礼磊,
来源：电子世界 年份：2020
磁场传感器广泛应用于生产与生活中各个领域,本文介绍了一种典型的基于场效应晶体管的磁场传感器(MagFET),分析了其基本结构,并讨论了主要参数、器件结构、组成材料对相对灵...
[期刊论文] 作者：周家伟,徐礼磊,葛凡,
来源：电子世界 年份：2020
在传统场效应晶体管的发展中,由于亚阈值摆幅(SS)极限的存在(60 mV/dec),在超大规模集成电路(ULSI)中,电源电压的缩放受到物理障碍的限制,如何降低电路的功耗成为很多人研究...
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